【技术实现步骤摘要】
一种用于多晶硅用切割硅芯脱胶的装置
本技术涉及多晶硅用切割硅芯脱胶
技术介绍
近年来,由于技术的快速进步,光伏行业发展迅猛,已成为可再生能源领域的一匹黑马。多晶硅产业是整个光伏产业的最上游,其生产方法主要有两种,一是改良西门子法,二是硅烷流化床法,其中,改良西门子法生产的多晶硅产量占全球多晶硅总产量90%以上,是在还原炉内通入三氯氢硅和氢气,同时炉内放置硅芯,给硅芯棒通电加热至反应温度,然后通过化学气相沉积的方法,让硅沉积在硅芯表面上,生产出满足要求的原生多晶硅。所以说,硅芯是多晶硅生产过程中必不可少的原材料之一,根据生产工艺不同又可以分为区熔硅芯和切割硅芯两种。区熔硅芯是在区熔设备内,利用预先制备好的原料棒,通过区熔工艺拉制成直径7-12mm,长2.6-3.0m的硅芯,由于其横截面为圆形,也叫圆硅芯。切割法硅芯是通过金刚线网切割直拉硅芯棒获得硅芯,由于线网十字交叉,所以所切硅芯横截面为正方形,也叫方硅芯。与圆硅芯相比,方硅芯具有产能大,尺寸规格一致,还原炉倒棒率低等优势,国内厂商采用较多。对硅芯棒尺寸的要求也比较严格,一般硅芯长度规格为2.4m、2.6m、2.8m、3.3m不等,正负偏差不超过5mm,横截面规格主要有10×10mm、15×15mm等几种。硅芯切割主要通过硅芯切割机进行纵向切割,首先将切割基座与硅芯棒头部粘连,并悬挂于设备上,通过金刚线切割线网从硅芯棒下部开始向上切割。切割完毕的硅芯需要经过由下棒→脱胶→单根硅芯分离→预清洗等操作。本专利主要针对切割完毕的硅芯棒如何快 ...
【技术保护点】
1.一种用于多晶硅用切割硅芯脱胶的装置,其特征在于:第一镂空隔板(5)和第二镂空隔板(3)将该装置分为上中下三层,上层为一个四棱台容腔的脱胶槽(1),中层为一个四棱台容腔的缓冲槽(4),下层为一个长方体容腔的加热槽(6),脱胶槽(1)和缓冲槽(4)整体构成一个四棱台容腔,加热槽(6)底部有加热装置(7)、带盖子的出水口(9)、温度传感器(8),第一镂空隔板(5)的空隙比第二镂空隔板(3)的空隙大。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于多晶硅用切割硅芯脱胶的装置,其特征在于:第一镂空隔板(5)和第二镂空隔板(3)将该装置分为上中下三层,上层为一个四棱台容腔的脱胶槽(1),中层为一个四棱台容腔的缓冲槽(4),下层为一个长方体容腔的加热槽(6),脱胶槽(1)和缓冲槽(4)整体构成一个四棱台容腔,加热槽(6)底部有加热装置(7)、带盖子的出水口(9)、温度传感器(8),第一镂空隔板(5)的空隙比第二镂空隔板(3)的空隙大。
2.根据权利要求1所述的一种用于多晶硅用切割硅芯脱胶的装置,其特征在于:加热槽(6)的上部内部四周有凸沿...
【专利技术属性】
技术研发人员:梁玲,罗晓斌,郭岂宏,李波,赵科巍,张波,王莹,陈丽,
申请(专利权)人:山西潞安太阳能科技有限责任公司,
类型:新型
国别省市:山西;14
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