一种蚀刻片框架、封装支架和LED器件制造技术

本发明专利技术公开了一种蚀刻片框架、封装支架和LED器件，该蚀刻片框架包括：第一金属蚀刻片，具有层叠设置的芯片放置层和第一电极；第二金属蚀刻片，具有层叠设置的连接层和第二电极；芯片放置层的第一长边与第一电极的第一长边的端部齐平，连接层与第二电极的第一长边的端部齐平，使得第一金属蚀刻片与第二金属蚀刻片之间形成凸形隔离沟槽；芯片放置层第一长边的顶角以及连接层第一长边的顶角分别设置有一L形连脚，以分别包裹对应顶角的侧壁。采用本发明专利技术的蚀刻片框架、封装支架和LED器件能够增强蚀刻片框架之间的连接强度和应力，避免蚀刻片框架在后续工艺中发生形变。

An etch frame, package support and LED device

【技术实现步骤摘要】
一种蚀刻片框架、封装支架和LED器件
本专利技术涉及LED
，尤其涉及一种蚀刻片框架、封装支架和LED器件。
技术介绍
如图1所示，现有封装支架中蚀刻片框架通常采用全蚀刻工艺蚀刻成彼此分离的第一电极11和第二电极12，第一电极11和第二电极12之间形成隔离沟槽13，同时，为了使单个蚀刻片框架能够与其相邻的蚀刻片框架进行连接，在蚀刻片框架的第一电极11和第二电极12中远离隔离沟槽13的长边，以及它们全部短边上分别设置有连脚14。然而，由于连脚14通常设置在这些边的中部，且其宽度非常小，则蚀刻片框架之间的连接强度小、应力小，这就致使蚀刻片框架的边缘容易在后续工艺中发生形变，导致注塑成型工艺发生偏移，进而降低了采用该蚀刻片框架制成的封装支架和LED器件的气密性，减少了封装支架和LED器件的使用寿命。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术的一种蚀刻片框架、封装支架和LED器件，能够有效增强蚀刻片框架之间的连接强度和应力，避免蚀刻片框架在后续工艺中发生形变，进而避免注塑成型工艺发生偏移，提升气密性和使用寿命。为解决上述技术问题，本专利技术的一种蚀刻片框架，包括：第一金属蚀刻片，具有层叠设置的芯片放置层和第一电极，所述芯片放置层的长边长于所述第一电极的长边，所述芯片放置层的短边长于所述第一电极的短边；第二金属蚀刻片，具有层叠设置的连接层和第二电极，所述连接层的长边长于所述第二电极的长边，所述连接层的短边长于所述第二电极的短边；所述芯片放置层的第一长边与所述第一电极的第一长边的端部齐平，所述连接层与所述第二电极的第一长边的端部齐平，使得所述第一金属蚀刻片与所述第二金属蚀刻片之间形成凸形隔离沟槽；所述芯片放置层第一长边的顶角以及所述连接层第一长边的顶角分别设置有一L形连脚，以分别包裹对应顶角的侧壁。作为上述方案的改进，每个所述L形连脚的上表面和/或下表面为粗化面。本专利技术还提供一种封装支架，其包括：上述任一种蚀刻片框架，所述凸形隔离沟槽之间填充有EMC材料以形成绝缘隔离沟槽，所述蚀刻片框架的四周设置有一反光杯，且所述反光杯的底部包覆所述蚀刻片框架的侧壁且与所述第一电极和所述第二电极的表面齐平。作为上述方案的改进，所述反光杯的内壁在所述蚀刻片框架上围成呈锥形结构的腔体，所述反光杯的外壁呈矩形杯形。作为上述方案的改进，所述L形连脚的端部与所述反光杯的外壁齐平。作为上述方案的改进，所述芯片放置层和所述连接层的表面设置有反光层。本专利技术还提供一种LED器件，包括：上述任一种封装支架，以及设置于所述芯片放置层上的LED芯片，所述LED芯片分别于所述芯片放置层和所述连接层连接。作为上述方案的改进，所述反光杯内填充有荧光体。与现有技术相比，实施本专利技术的蚀刻片框架、封装支架和LED器件，具有如下有效效果：由于第一金属蚀刻片具有层叠设置的芯片放置层和第一电极，第二金属蚀刻片具有层叠设置的连接层和第二电极，且在芯片放置层第一长边的顶角以及连接层第一长边的顶角分别设置有一L形连脚，使得连脚的内侧壁能够包裹对应顶角的侧壁，如此，在蚀刻框架的4个顶角形成能够与相邻蚀刻片框架进行连接的连脚，且该连脚的连接面积大，可有效增强蚀刻片框架之间的连接强度和应力，避免蚀刻片框架在后续工艺中发生形变，进而避免后续注塑成型工艺发生偏移，从而可提升采用该蚀刻片框架制成的封装支架和LED器件的气密性和使用寿命；同时，由于连脚仅仅设置于芯片放置层第一长边的顶角以及连接层第一长边的顶角，其为半蚀刻连脚，则其厚度小于现有蚀刻片框架中连脚的厚度，可降低后续切割工艺中切割连脚时对刀具造成的损耗。另外，因为芯片放置层的长边长于第一电极的长边，芯片放置层的短边长于第一电极的短边，连接层的长边长于第二电极的长边，连接层的短边长于第二电极的短边，并且芯片放置层的第一长边与第一电极的第一长边的端部齐平，连接层与第二电极的第一长边的端部齐平，使得第一金属蚀刻片与第二金属蚀刻片之间形成凸形隔离沟槽，如此，在后续对凸形隔离沟槽填充EMC材料形成绝缘隔离沟槽时，能够有效增加该绝缘隔离沟槽与蚀刻片框架之间的结合面积，以及增加气体由该绝缘隔离沟槽与蚀刻片框架连接处进入的路径，如此，可进一步增加采用该蚀刻片框架制成的封装支架及LED器件的气密性。附图说明图1是现有封装支架中蚀刻片框架的结构示意图。图2是本专利技术实施例提供的一种蚀刻片框架的结构示意图。图3是本专利技术实施例提供的一种封装支架的立体图。图4(a)是图3中的封装支架沿A1-A2的剖视图。图4(b)是图3中的封装支架沿B1-B2的剖视图。图5(a)是采用图3的封装支架制作的LED器件沿A1-A2的剖视图。图5(b)是采用图3的封装支架制作的LED器件沿B1-B2的剖视图。具体实施方式在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于此描述的其他方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。下面结合具体实施例和附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整的描述。请参见图2，是本专利技术实施例提供的一种蚀刻片框架的结构示意图。如图2所示，该蚀刻片框架包括：第一金属蚀刻片100，具有层叠设置的芯片放置层101和第一电极102，所述芯片放置层101的长边长于所述第一电极102的长边，所述芯片放置层101的短边长于所述第一电极102的短边；第二金属蚀刻片200，具有层叠设置的连接层201和第二电极202，所述连接层201的长边长于所述第二电极202的长边，所述连接层201的短边长于所述第二电极202的短边；所述芯片放置层101的第一长边与所述第一电极102的第一长边的端部齐平，所述连接层201与所述第二电极202的第一长边的端部齐平，使得所述第一金属蚀刻片100与所述第二金属蚀刻片200之间形成凸形隔离沟槽301；所述芯片放置层101第一长边的顶角以及所述连接层201第一长边的顶角分别设置有一L形连脚401，以分别包裹对应顶角的侧壁。其中，芯片放置层101是用于放置LED芯片的层，连接层201是用于对LED芯片进行打线的层。在该实施例中，由于第一金属蚀刻片100具有层叠设置的芯片放置层101和第一电极102，第二金属蚀刻片200具有层叠设置的连接层201和第二电极202，且在芯片放置层101第一长边的顶角以及连接层201第一长边的顶角分别设置有一L形连脚401，使得L形连脚401的内侧壁能够包裹对应顶角的侧壁，如此，在蚀刻框架的4个顶角形成能够与相邻蚀刻片框架进行连接的L形连脚401，且该L形连脚401的连接面积大，可有效增强蚀刻片框架之间的连接强度和应力，避免蚀刻片框架在后续工艺中发生形变，进而避免后续注塑成型工艺发生偏移，从而可提升采用该蚀刻片框架制成的封装支架和LED器件的气密性和使用寿命；同时，由于L形连脚401仅仅设置于芯片放置层101第一长边的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蚀刻片框架，其特征在于，包括：/n第一金属蚀刻片，具有层叠设置的芯片放置层和第一电极，所述芯片放置层的长边长于所述第一电极的长边，所述芯片放置层的短边长于所述第一电极的短边；/n第二金属蚀刻片，具有层叠设置的连接层和第二电极，所述连接层的长边长于所述第二电极的长边，所述连接层的短边长于所述第二电极的短边；/n所述芯片放置层的第一长边与所述第一电极的第一长边的端部齐平，所述连接层与所述第二电极的第一长边的端部齐平，使得所述第一金属蚀刻片与所述第二金属蚀刻片之间形成凸形隔离沟槽；/n所述芯片放置层第一长边的顶角以及所述连接层第一长边的顶角分别设置有一L形连脚，以分别包裹对应顶角的侧壁。/n

【技术特征摘要】
1.一种蚀刻片框架，其特征在于，包括：
第一金属蚀刻片，具有层叠设置的芯片放置层和第一电极，所述芯片放置层的长边长于所述第一电极的长边，所述芯片放置层的短边长于所述第一电极的短边；
第二金属蚀刻片，具有层叠设置的连接层和第二电极，所述连接层的长边长于所述第二电极的长边，所述连接层的短边长于所述第二电极的短边；
所述芯片放置层的第一长边与所述第一电极的第一长边的端部齐平，所述连接层与所述第二电极的第一长边的端部齐平，使得所述第一金属蚀刻片与所述第二金属蚀刻片之间形成凸形隔离沟槽；
所述芯片放置层第一长边的顶角以及所述连接层第一长边的顶角分别设置有一L形连脚，以分别包裹对应顶角的侧壁。


2.如权利要求1所述的蚀刻片框架，其特征在于，每个所述L形连脚的上表面和/或下表面为粗化面。


3.一种封装支架，其特征在于，包括：如权利要求1或2所述的蚀刻片框架，所述凸形隔离沟槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖国伟，万垂铭，曾照明，侯宇，朱文敏，蓝义安，
申请(专利权)人：广东晶科电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44