发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种发光装置，其包含：一发光结构，具有一侧表面、一反射层覆盖侧表面。发光装置具有一第一发光角度及一第二发光角度。第一发光角度与第二发光角度的差值大于15度。

Light emitting device

【技术实现步骤摘要】
发光装置本申请是中国专利技术专利申请(申请号：201611269825.9，申请日：2016年12月30日，专利技术名称：发光装置)的分案申请。
本专利技术涉及一种发光装置，尤其是涉及一种发光装置，其包含一反射层形成于一透光体的两侧边。
技术介绍
发光二极管(Light-EmittingDiode；LED)具有耗能低、寿命长、体积小、反应速度快以及光学输出稳定等特性。近年来，发光二极管渐渐地应用于液晶显示器中的背光源。
技术实现思路
为让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图，说明如下。一种发光装置，包含：一发光结构，具有一侧表面；一反射层覆盖侧表面。发光装置具有一第一发光角度及一第二发光角度。第一发光角度与该第二发光角度的差值大于15度。附图说明图1A为本专利技术一实施例中一发光装置的下视图；图1B为图1A的I-I线段的剖视图；图1C为图1A的II-II线段的剖视图；图1D为图1B的A处的放大图；图1E为图1C的B处的放大图；图1F为发光装置的测量方式的示意图；图2A～图2D分别为本专利技术另一实施例中一发光装置的剖视图；图3A～图3G为本专利技术一实施例中一发光装置的制造流程剖视图；图4A～图4G分别为图3A～图3G的上视图；图5A～图5C为本专利技术一实施例中一发光装置的剖视图；图6A～图6B为本专利技术另一实施例中形成第二反射层的剖视图；图7A～图7G为本专利技术另一实施例中发光装置的制造流程剖视图；图8A～图8C为本专利技术一实施例中一发光装置的剖视图；图9A～图9E为本专利技术另一实施例中发光装置的制造流程上视图；图10A～图10D为本专利技术一实施例中一发光装置的剖视图；图11A为一实施例中发光装置的制造流程的一步骤的剖视图；图11B为一实施例中发光装置的制造流程的一步骤的上视图；图11C为本专利技术一实施例中一发光装置的剖视图；图12A为本专利技术一实施例中一发光装置的上视图；图12B为图12A的I-I线段的剖视图；图13A～图13F为本专利技术一实施例中一发光装置的制造流程剖视图；图14A～图14F分别为图13A～图13F的上视图；图15A～图15F为本专利技术一实施例中一发光装置的制造流程剖视图；图16A～图16F分别为图15A～图15F的上视图；图17A～图17F为透光体的上表面具有波浪状的制造流程剖视图；图18A～图18E分别为透光体的上表面具有不同形状的剖视图；图19为本专利技术一实施例中一发光装置的剖视图；图19A～图19C为模拟中所使用的发光装置的剖视图；图20A～图20G为本专利技术一实施例中一发光装置的制造流程剖视图；图21A～图21G分别为图20A～图20G的上视图；图22A为本专利技术一实施例中一发光装置的剖视图；图22B为本专利技术一实施例中一发光装置的剖视图；图22C为本专利技术一实施例中一发光装置的剖视图；图23A～图23F为本专利技术一实施例中一发光装置的制造流程剖视图；图24A～图24F分别为图23A～图23F的上视图；图25A～图25D为本专利技术的发光装置的一制造流程立体图；图26A～图26C分别为图25B～图25D的剖视图；图27A为一侧投式液晶显示器的背光单元的剖视图；图27B为图12A中发光源及导光板的立体图；图28为一侧投式液晶显示器的背光单元的剖视图；图29为一侧投式液晶显示器的背光单元的剖视图。符号说明100、100'、100"、100'"、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1100发光装置11、11D、11E、11F发光结构110图案化基板1101上表面1102下表面1103第一侧表面1104第二侧表面1105第三侧表面1106第四侧表面1110孔洞111A、111B发光主体1111第一型半导体层1112活性层1113第二型半导体层1114第一绝缘层1115第二绝缘层1116导电层1117第三绝缘层1118第一电极1119第二电极1120欧姆接触层1161第一区域1162第二区域1163第三区域112沟槽211电极层1124上表面12透光体121上表面122下表面123第一侧表面124第二侧表面125第三侧表面126第四侧表面13波长转换体131波长转换颗粒14第一反射层15A、15B延伸电极151第一端152第二端17、17A、17B、17C第二反射层171、171'、171"、171″′、171A、171B、171C外表面172、172'、172"、172″′、172A、172B、172C内表面172A1斜面172A2平面173上表面174下表面21、26胶材22、27载板23、23A、23B切割刀231沟槽251上模具252下模具2521、38凹槽37反射框371穿透孔901发光源9011载板902导光板903扩散板904反射器具体实施方式以下实施例将伴随着附图说明本专利技术的概念，在附图或说明中，相似或相同的部分使用相同的标号，并且在附图中，元件的形状、厚度或高度可扩大或缩小。本专利技术所列举的各实施例仅用以说明本专利技术，并非用以限制本专利技术的范围。对本专利技术所作的任何显而易知的修饰或变更皆不脱离本专利技术的精神与范围。图1A为本专利技术一实施例中一发光装置100的下视图，为清楚表示，图1A仅显示部分层且每一层皆以实线绘制(然，导电层1116以虚线表示，说明详述如后)而不论其材料为非透明、透明或半透明。图1B为图1AI-I线段的剖视图。图1C为图1AII-II线段的剖视图。图1D为图1B的A处的放大图。图1E为图1C的B处的放大图。为简单表示，图1B及图1C的发光结构11仅以方形表示，详细结构描述于图1D及图1E。参照图1A、图1B、及图1D，发光装置100包含一发光结构11、一透光体12、一波长转换体13、一第一反射层14、延伸电极15A、15B、及一第二反射层17。发光结构11包含一图案化基板110以及两发光主体111A、111B。图案化基板(patternedsubstrate)110实质上为一长方体，包含一上表面1101、相对于上表面1101的下表面1102、及连接于上表面1101与下表面1102之间的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光装置，其特征在于，该发光装置包含：/n载板；/n导光板；/n发光结构，位于该载板与该导光板之间，并具有电极，该电极具有底面；/n透光体，包覆该发光结构，并包含第一侧表面、第二侧表面、第三侧表面及第四侧表面；/n反射层，覆盖该第一侧表面与该第三侧表面，但不覆盖该第二侧表面与该第四侧表面；/n延伸电极，具有顶面，该顶面与该电极的该底面相接，且该顶面的最大宽度小于该底面的最大宽度；以及/n扩散板，位于该导光板之上；/n其中，该发光装置在第一方向上具有第一发光角度，及在第二方向上具有不同于该第一发光角度的第二发光角度。/n

【技术特征摘要】
20151231 TW 104144679;20160819 TW 1051265571.一种发光装置，其特征在于，该发光装置包含：
载板；
导光板；
发光结构，位于该载板与该导光板之间，并具有电极，该电极具有底面；
透光体，包覆该发光结构，并包含第一侧表面、第二侧表面、第三侧表面及第四侧表面；
反射层，覆盖该第一侧表面与该第三侧表面，但不覆盖该第二侧表面与该第四侧表面；
延伸电极，具有顶面，该顶面与该电极的该底面相接，且该顶面的最大宽度小于该底面的最大宽度；以及
扩散板，位于该导光板之上；
其中，该发光装置在第一方向上具有第一发光角度，及在第二方向上具有不同于该第一发光角度的第二发光角度。


2.如权利要求1所述的发光装置，其中，该透光体包含上表面，该反射层包含一倾斜于该上表面的内表面。


3.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘建良，许明祺，廖世安，刘俊宏，叶志庭，叶昶腾，陈柏璋，邱圣哲，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71