温控校正电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种温控校正电路，包括负温比电流源模块、负温比电压生成模块、零温比参考模块和模数转换模块，所述负温比电流源模块的输入端与电源正极连接，所述负温比电流源模块的输出端通过负温比电压生成模块与地连接，所述负温比电流源模块输出端与模数转换模块的一个输入端连接，所述零温比参考模块的输入端与电源正极连接，所述零温比参考模块的输出端与模数转换模块的另一个输入端连接。本实用新型专利技术的有益效果在于：提供了一种温控校正电路，该电路结构简单，可靠性高，能够及时反馈电容的初始值变化情况，让电子烟及时校正侦测值，有效防止了防止电子烟的加热模块误操作，提高了用户体验。

【技术实现步骤摘要】
温控校正电路
本技术涉及电子烟的电子电路设计领域，尤其是指一种温控校正电路。
技术介绍
现有电子烟通过检测电子烟传感器的电容变化数值来触发加热丝工作加热烟油，从而雾化烟油，但是发热丝发热时产生的高温也会影响传感器的电容，电容受热后容值也会发生变化，即电路中的基准电容发生了变化，由此会导致电子烟的控制出现问题，出现错误的加热动作，进而影响产品体验。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是：提供一种温控校正电路，能够为电子烟提供准确的工作参数，避免电子烟的错误控温动作。为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为：一种温控校正电路，包括负温比电流源模块、负温比电压生成模块、零温比参考模块和模数转换模块，所述负温比电流源模块的输入端与电源正极连接，所述负温比电流源模块的输出端通过负温比电压生成模块与地连接，所述负温比电流源模块输出端与模数转换模块的一个输入端连接，所述零温比参考模块的输入端与电源正极连接，所述零温比参考模块的输出端与模数转换模块的另一个输入端连接。进一步的，所述负温比电流源模块包括第一P沟道场效应管、第二P沟道场效应管、第三P沟道场效应管、第一N沟道场效应管、第二N沟道场效应管、第一电阻和第一PNP三极管，所述第一P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第一P沟道场效应管的栅极与所述第一P沟道场效应管的源极连接，所述第一P沟道场效应管的源极与所述第一N沟道场效应管的漏极连接，所述第一N沟道场效应管的源极与第一电阻的一端连接，第一电阻的另一端与地连接；所述第二P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第二P沟道场效应管的栅极与第一P沟道场效应管的栅极连接，所述第二P沟道场效应管的源极与第二N沟道场效应管的漏极连接，所述第二N沟道场效应管的漏极与所述第二N沟道场效应管的栅极连接，所述第一N沟道场效应管的栅极与所述第二N沟道场效应管的栅极连接，所述第二N沟道场效应管的源极与第一PNP三极管的发射极连接，所述第一PNP三极管的集电极与地连接，所述第一PNP三极管的基极与第一三极管的集电极连接；所述第三P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第三P沟道场效应管的栅极与第二P沟道场效应管的栅极连接，所述第三P沟道场效应管的源极与负温比电流源模块的输出端连接。进一步的，所述零温比参考模块包括第四P沟道场效应管、第五P沟道场效应管、第六P沟道场效应管、第三N沟道场效应管、第四N沟道场效应管、第二PNP三极管、第三PNP三极管、第四PNP三极管、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻和第一比较器，所述第四P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第四P沟道场效应管的栅极与所述第四P沟道场效应管的源极连接，所述第四P沟道场效应管的源极与所述第三N沟道场效应管的漏极连接，所述第三N沟道场效应管的源极与所述第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端与所述第二PNP三极管的发射极连接，所述第二PNP三极管的集电极与地连接，所述第二PNP三极管的基极与所述第二PNP三极管的集电极连接；所述第五P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第五P沟道场效应管的栅极与所述第四P沟道场效应管的栅极连接，所述第五P沟道场效应管的源极与所述第四N沟道场效应管的漏极连接，所述第四N沟道场效应管的漏极与所述第四N沟道场效应管的栅极连接，第四N沟道场效应管的栅极与所述第三N沟道场效应管的栅极连接，所述第四N沟道场效应管的源极与所述第三PNP三极管的发射极连接，所述第三PNP三极管的集电极与地连接，所述第三PNP三极管的基极与所述第三PNP三极管的集电极连接；所述第六P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第六P沟道场效应管的栅极与所述第四P沟道场效应管的栅极连接，所述第六P沟道场效应管的源极与所述第三电阻的一端连接，所述第三电阻的另一端与所述第三PNP三极管的发射极连接，所述第三PNP三极管的集电极与地连接，所述第三PNP三极管的基极与所述第三PNP三极管的集电极连接；所述第六P沟道场效应管的源极与所述第一比较器的同相输入端连接，所述第一比较器的反相输入端与所述第一比较器的输出端连接，所述第一比较器的输出端与第一参考输出端连接，所述第一比较器的输出端与第四电阻的一端连接，所述第四电阻的另一端与第五电阻的一端连接，所述第五电阻的另一端与所述第六电阻的一端连接，所述第六电阻的另一端与地连接，所述第四电阻的另一端与第二参考输出端连接，所述第五电阻的另一端与第三参考输出端连接。进一步的，所述负温比电压生成模块包括负温比电压生成电阻。进一步的，所述模数转换模块包括第二比较器、第三比较器和第四比较器，所述第二比较器、第三比较器和第四比较器的反相输入端分别与所述负温比电流源模块的输出端连接；所述第二比较器的正相输入端与所述零温比参考模块的第一参考输出端连接，所述第二比较器的输出端与第一模数转换模块输出端连接；所述第三比较器的正相输入端与所述零温比参考模块的第二参考输出端连接与第二模数转换模块输出端连接；所述第四比较器的正相输入端与所述零温比参考模块的第三参考输出端连接与第三模数转换模块输出端连接。本技术的有益效果在于：提供了一种温控校正电路，该电路结构简单，可靠性高，能够及时反馈电容的初始值变化情况，让电子烟及时校正侦测值，有效防止了防止电子烟的加热模块误操作，提高了用户体验。附图说明下面结合附图详述本技术的具体结构及流程：图1为本技术的整体结构框图；图2为本技术的负温比电流源模块的电路结构示意图；图3为本技术的零温比参考模块的电路结构示意图；图4为本技术的模数转换模块的电路结构示意图；1-负温比电流源模块；2-零温比参考模块；3-负温比电压生成模块；4-模数转换模块；Q1-第一P沟道场效应管；Q2-第二P沟道场效应管；Q3-第三P沟道场效应管；Q4-第一N沟道场效应管；Q5-第二N沟道场效应管；Q6-第四P沟道场效应管；Q7-第五P沟道场效应管；Q8-第六P沟道场效应管；Q9-第三N沟道场效应管；Q10-第四N沟道场效应管；R1-第一电阻；R2-第二电阻；R3-第三电阻；R4-第四电阻；R5-第五电阻；R6-第六电阻；VT1-第一PNP三极管；VT2-第二PNP三极管；VT3-第三PNP三极管；VT4-第四PNP三极管；U1-第一比较器；U2-第二比较器；U3-第三比较器；U4-第四比较器。具体实施方式为详细说明本技术的
技术实现思路
、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。请参阅图1至图4，一种温控校正电路，包括负温比电流源模块1、零温比参考模块2、负温比电压生成模块3和模数转换模块4，所述负温比电流源模块1的输入端与电源正极连接，所述负温比电流源模块1的输出端通过负温比电压生成模块3与地连接，所述负温比电流源模块1的输出端与模数转换模本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种温控校正电路，其特征在于：包括负温比电流源模块、负温比电压生成模块、零温比参考模块和模数转换模块，/n所述负温比电流源模块的输入端与电源正极连接，所述负温比电流源模块的输出端通过负温比电压生成模块与地连接，所述负温比电流源模块输出端与模数转换模块的一个输入端连接，所述零温比参考模块的输入端与电源正极连接，所述零温比参考模块的输出端与模数转换模块的另一个输入端连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种温控校正电路，其特征在于：包括负温比电流源模块、负温比电压生成模块、零温比参考模块和模数转换模块，
所述负温比电流源模块的输入端与电源正极连接，所述负温比电流源模块的输出端通过负温比电压生成模块与地连接，所述负温比电流源模块输出端与模数转换模块的一个输入端连接，所述零温比参考模块的输入端与电源正极连接，所述零温比参考模块的输出端与模数转换模块的另一个输入端连接。


2.如权利要求1所述的温控校正电路，其特征在于：所述负温比电流源模块包括第一P沟道场效应管、第二P沟道场效应管、第三P沟道场效应管、第一N沟道场效应管、第二N沟道场效应管、第一电阻和第一PNP三极管，
所述第一P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第一P沟道场效应管的栅极与所述第一P沟道场效应管的源极连接，所述第一P沟道场效应管的源极与所述第一N沟道场效应管的漏极连接，所述第一N沟道场效应管的源极与第一电阻的一端连接，第一电阻的另一端与地连接；
所述第二P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第二P沟道场效应管的栅极与第一P沟道场效应管的栅极连接，所述第二P沟道场效应管的源极与第二N沟道场效应管的漏极连接，所述第二N沟道场效应管的漏极与所述第二N沟道场效应管的栅极连接，所述第一N沟道场效应管的栅极与所述第二N沟道场效应管的栅极连接，所述第二N沟道场效应管的源极与第一PNP三极管的发射极连接，所述第一PNP三极管的集电极与地连接，所述第一PNP三极管的基极与第一三极管的集电极连接；
所述第三P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第三P沟道场效应管的栅极与第二P沟道场效应管的栅极连接，所述第三P沟道场效应管的源极与负温比电流源模块的输出端连接。


3.如权利要求1所述的温控校正电路，其特征在于：所述零温比参考模块包括第四P沟道场效应管、第五P沟道场效应管、第六P沟道场效应管、第三N沟道场效应管、第四N沟道场效应管、第二PNP三极管、第三PNP三极管、第四PNP三极管、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻和第一比较器，
所述第四P沟道场效应管的漏极与电源正极连接，所述第四P沟道场效应管的栅极与所述第四P沟道场效应管的源极连接，所述第四P沟道场效应管的源极与所述第三N沟道场效应管的漏极连接，所述第三N沟道场效应管的源极与所述第二电阻的一端连接，所述第二电...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘世淦，
申请(专利权)人：深圳市瑞之辰科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44