【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷膜修饰的金刚石/铝复合材料及其无压浸渗制备工艺
本专利技术涉及一种陶瓷膜修饰的金刚石/铝复合材料及其无压浸渗制备工艺。
技术介绍
随着电器、电子和通信行业的快速发展,各种半导体激光元件、高频元件正向高功率化、高速化、高集成化持续发展,其元件和系统的散热问题正变得越来越突出,积聚的热量如果不能及时传导或者散出,将会导致工作不良甚至失效,引起严重后果。另外,对各种半导体元件而言,元件的高功率化会导致其尺寸变大,半导体元件与热沉的热膨胀不匹配问题逐渐显著。为解决这些问题,研究人员谋求开发兼具高导热和热膨胀系数匹配的导热材料。目前为止,第二代、第三代金属电子封装材料的热导率无论如何优化,热导率都难以达到300W/(m·K),因此需要开发更高导热系数的金属电子封装材料。金刚石作为具有极高热导率(热导率可达2000W/(m·K))和较低热膨胀系数的材料开始得到电子封装行业的关注,随着其价格的不断降低,大规模应用开始变得现实。将金刚石粉末与高导热金属铝复合,得到的金刚石铝复合材料,有机协调了两者的导 ...
【技术保护点】
1.一种金刚石/铝复合材料的无压浸渗制备工艺,其特征在于包括以下步骤:/n(1)在金刚石粉表面镀上金属膜或二氧化硅膜,再置于真空条件下、1000-1400℃保温5-10h,生成陶瓷膜,膜厚30~300nm;/n(2)在金刚石粉预制体上,放置铝合金锭,在压强0.08~0.15MPa的氮气气氛中加热,得到金刚石/铝复合材料。/n
【技术特征摘要】
1.一种金刚石/铝复合材料的无压浸渗制备工艺,其特征在于包括以下步骤:
(1)在金刚石粉表面镀上金属膜或二氧化硅膜,再置于真空条件下、1000-1400℃保温5-10h,生成陶瓷膜,膜厚30~300nm;
(2)在金刚石粉预制体上,放置铝合金锭,在压强0.08~0.15MPa的氮气气氛中加热,得到金刚石/铝复合材料。
2.根据权利要求1所述的制备工艺,其特征在于:步骤(1)所述的陶瓷膜为碳化合物,其种类包括碳化钛、碳化钼、碳化钨、碳化硅、碳化铬、碳化锆和碳化钕。
3.根据权利要求1所述的制备工艺,其特征在于:步骤(1)所述的镀上陶瓷膜,镀膜方法采用磁控溅射、化学镀、化学气相沉积、溶胶凝胶或盐浴镀方法。
4.根据权利要求1所述的制备工艺,其特征在于:步骤(1)中,所述金刚石粉的粒径为10~300μm。
5.根据权利要求1所述的制备工艺,其特征在于:步骤(2)所述的金刚石粉预制体,采用以下两种方法中的一种制成:
①将金刚石粉装入模具后压实,再进行高温氧化,得到预制体;
②将金刚石粉和粘结剂混合,装入模具中,经过排气、加压、固化成型得到预制体。
6.根据权利要求5所述的制备工艺,其特征在于:所...
【专利技术属性】
技术研发人员:丁伟,李荣福,李学伟,李诗菁,
申请(专利权)人:黑龙江科技大学,广东中诚表面防护材料检验研究院有限公司,广州粤晖金属机械防护技术有限公司,
类型:发明
国别省市:黑龙;23
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