【技术实现步骤摘要】
抗龟裂ITO导电玻璃的制作方法
本专利技术涉及ITO导电玻璃领域，尤其涉及一种抗龟裂ITO导电玻璃的制作方法。
技术介绍
ITO导电玻璃是在钠钙基或硅硼基基片玻璃的基础上，镀上一层二氧化硅作为阻挡层，再镀上一层氧化铟锡膜(俗称ITO膜，又称透明电极)。现有技术的二氧化硅层的镀膜方式一般使用中频镀膜，所生产的ITO导电玻璃基本能够在85℃的高温下保持500小时不出现故障，但是随着时间的推移，玻璃基板的金属离子慢慢迁移到氧化铟锡层，从而导致ITO层发生翘曲形成龟裂，所以这种ITO导电玻璃超过500小时后就容易出现龟裂，特别是低欧姆ITO导电玻璃，连续工作时间更短，工作300时显示画面将出现异常，多条裂纹相连，最终横向断裂。如图1所示，采用中频镀膜工艺所形成的阻挡层颗粒较小、间隙较多、排列不平整、亮度不一，不能有效阻止玻璃基板中的金属离子迁移到ITO层，而阻挡层本身的设置亦会影响面板本身的稳定性。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提出一种抗龟裂ITO导电玻璃，主要解决现有ITO导电玻璃的I...
【技术保护点】
1.一种抗龟裂ITO导电玻璃的制作方法，其特征在于，包括步骤：/nS1，清洗玻璃基板：提供玻璃基板，使用乙醇和/或丙酮中的至少一种作为溶质，以及去离子水作为所述溶质的载体，以超声波对所述玻璃基板进行清洗，辅以N
【技术特征摘要】
1.一种抗龟裂ITO导电玻璃的制作方法，其特征在于，包括步骤：
S1，清洗玻璃基板：提供玻璃基板，使用乙醇和/或丙酮中的至少一种作为溶质，以及去离子水作为所述溶质的载体，以超声波对所述玻璃基板进行清洗，辅以N2气体吹干备用；
S2，镀阻挡层：将玻璃基板置于射频磁控溅射镀膜设备的真空溅射腔室中，压强为9.0x10-4-3.5x10-4Pa，然后注入氧气和氩气，其中氩气流量占比大于99％，镀膜时玻璃基板的温度为300-450℃，溅射气压为0.3-1Pa，镀膜功率为100-175W，阻挡层包括NbOx层、SiNx层以及SiO2层，使用射频磁控溅射镀膜设备在玻璃基板的一面依次镀上NbOx层、SiNx层以及SiO2层，形成所述的阻挡层；
S3，镀ITO层：使用射频磁控溅射镀膜设备在所述阻挡层表面镀上氧化铟锡，形成所述的ITO层。
2.如权利要求1所述的抗龟裂ITO导电玻璃的制作方法，其特征在于，所述S2中NbOx层的厚度为10nm-25nm，SiNx层的厚度为10nm-20nm，以及Si...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈绪强，詹重庆，聂星保，吴敏艺，
申请(专利权)人：精电河源显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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