一种电池充电装置制造方法及图纸

技术编号:22976876 阅读:22 留言:0更新日期:2020-01-01 00:12
本发明专利技术公开了一种电池充电装置。一种电池充电装置包括第一电阻、第一PMOS管、第二电阻、第一NPN管、第三电阻、第二NPN管、第四电阻、第二PMOS管、第三NPN管、第三PMOS管、第五电阻和电池。利用本发明专利技术提供的电池充电装置可以防止在充电过程中对电池进行损坏。

A battery charging device

【技术实现步骤摘要】
一种电池充电装置
本专利技术涉及电子
,尤其涉及到一种电池充电装置。
技术介绍
为了在充电过程中对电池进行保护,防止损坏,设计了一种电池充电装置。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术的不足,提供一种电池充电装置。一种电池充电装置,包括第一电阻、第一PMOS管、第二电阻、第一NPN管、第三电阻、第二NPN管、第四电阻、第二PMOS管、第三NPN管、第三PMOS管、第五电阻和电池:所述第一电阻一端接电源电压VCC,另一端接所述第一PMOS管的漏极和所述第二电阻的一端和所述第四电阻的一端;所述第一PMOS管的栅极接所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第三NPN管的集电极和所述第三PMOS管的栅极,漏极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第四电阻的一端,源极接电源电压VCC;所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一PMOS管的漏极和所述第四电阻的一端,另一端接所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极;所述第一NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第二电阻的一端和所述第二NPN管的基极,发射极接地;所述第三电阻的一端接所述第二NPN管的发射极,另一端接地;所述第二NPN管的基极接所述第二电阻的一端和所述第一NPN管的基极和集电极,集电极接所述第四电阻的一端和所述第三NPN管的基极,发射极接所述第三电阻的一端;所述第四电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第一PMOS管的漏极,另一端接所述第二NPN管的集电极和所述第三NPN管的基极;所述第二PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管的栅极和所述第三NPN管的集电极和所述第三PMOS管的栅极,源极接电源电压VCC;所述第三NPN管的基极接所述第四电阻的一端和所述第二NPN管的集电极,集电极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极,发射极接地;所述第三PMOS管的栅极接所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第三NPN管的集电极,漏极接所述第五电阻的一端,源极接电源电压VCC;所述第五电阻的一端接所述第三PMOS管的漏极,另一端接所述电池的正极;所述电池的正极接所述第五电阻的一端,负极接地。所述第一电阻、所述第二电阻和所述第一NPN管构成启动电路,这样所述第二NPN管和所述第三NPN管就能正常工作,所述第三NPN管的集电极电流通过所述第二PMOS管镜像给所述第一PMOS管提供给所述第一NPN管和所述第二NPN管构成的核心电路;所述第一电阻的电阻取值很大,只是提供启动电流作用,正常工作后主要还是由所述第一PMOS管的漏极提供电流;所述第三NPN管的集电极电流通过所述第二PMOS管镜像给所述第三PMOS管的漏极输出对所述电池进行充电;所述第五电阻起到限流作用。附图说明图1为本专利技术的电池充电装置的电路图。具体实施方式以下结合附图对本
技术实现思路
进一步说明。一种电池充电装置,如图1所示,包括第一电阻101、第一PMOS管102、第二电阻103、第一NPN管104、第三电阻105、第二NPN管106、第四电阻107、第二PMOS管108、第三NPN管109、第三PMOS管110、第五电阻111和电池112:所述第一电阻101一端接电源电压VCC,另一端接所述第一PMOS管102的漏极和所述第二电阻103的一端和所述第四电阻107的一端;所述第一PMOS管102的栅极接所述第二PMOS管108的栅极和漏极和所述第三NPN管109的集电极和所述第三PMOS管110的栅极,漏极接所述第一电阻101的一端和所述第二电阻103的一端和所述第四电阻107的一端,源极接电源电压VCC;所述第二电阻103的一端接所述第一电阻101的一端和所述第一PMOS管102的漏极和所述第四电阻107的一端,另一端接所述第一NPN管104的基极和集电极和所述第二NPN管106的基极;所述第一NPN管104的基极和集电极接在一起再接所述第二电阻103的一端和所述第二NPN管106的基极,发射极接地;所述第三电阻105的一端接所述第二NPN管106的发射极,另一端接地;所述第二NPN管106的基极接所述第二电阻103的一端和所述第一NPN管104的基极和集电极,集电极接所述第四电阻107的一端和所述第三NPN管109的基极,发射极接所述第三电阻105的一端;所述第四电阻107的一端接所述第一电阻101的一端和所述第二电阻103的一端和所述第一PMOS管102的漏极,另一端接所述第二NPN管106的集电极和所述第三NPN管109的基极;所述第二PMOS管108的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管102的栅极和所述第三NPN管109的集电极和所述第三PMOS管110的栅极,源极接电源电压VCC;所述第三NPN管109的基极接所述第四电阻107的一端和所述第二NPN管106的集电极,集电极接所述第一PMOS管102的栅极和所述第二PMOS管108的栅极和漏极和所述第三PMOS管110的栅极,发射极接地;所述第三PMOS管110的栅极接所述第二PMOS管108的栅极和漏极和所述第一PMOS管102的栅极和所述第三NPN管109的集电极,漏极接所述第五电阻111的一端,源极接电源电压VCC;所述第五电阻111的一端接所述第三PMOS管110的漏极,另一端接所述电池112的正极;所述电池112的正极接所述第五电阻111的一端,负极接地。所述第一电阻101、所述第二电阻103和所述第一NPN管104构成启动电路,这样所述第二NPN管106和所述第三NPN管109就能正常工作,所述第三NPN管109的集电极电流通过所述第二PMOS管108镜像给所述第一PMOS管102提供给所述第一NPN管104和所述第二NPN管106构成的核心电路;所述第一电阻101的电阻取值很大,只是提供启动电流作用,正常工作后主要还是由所述第一PMOS管102的漏极提供电流;所述第三NPN管109的集电极电流通过所述第二PMOS管108镜像给所述第三PMOS管110的漏极输出对所述电池112进行充电;所述第五电阻111起到限流作用。对上述所提供的实施方式的说明,仅是本专利技术的优选实施方式的说明,对本
的技术人员来说能够根据以上说明进行实现或使用本专利技术。应当指出,对于本
的技术人员来说,在不脱离本专利技术技术原理的前提下,还可以做出若干改进和变形,任何不超出本专利技术实质精神范围内的专利技术创造,应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网
...

【技术保护点】
1.一种电池充电装置,其特征在于:包括第一电阻、第一PMOS管、第二电阻、第一NPN/n管、第三电阻、第二NPN管、第四电阻、第二PMOS管、第三NPN管、第三PMOS管、第五电阻和电池;/n所述第一电阻一端接电源电压VCC,另一端接所述第一PMOS管的漏极和所述第二电阻的一端和所述第四电阻的一端;所述第一PMOS管的栅极接所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第三NPN管的集电极和所述第三PMOS管的栅极,漏极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第四电阻的一端,源极接电源电压VCC;所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一PMOS管的漏极和所述第四电阻的一端,另一端接所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极;所述第一NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第二电阻的一端和所述第二NPN管的基极,发射极接地;所述第三电阻的一端接所述第二NPN管的发射极,另一端接地;所述第二NPN管的基极接所述第二电阻的一端和所述第一NPN管的基极和集电极,集电极接所述第四电阻的一端和所述第三NPN管的基极,发射极接所述第三电阻的一端;所述第四电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第一PMOS管的漏极,另一端接所述第二NPN管的集电极和所述第三NPN管的基极;所述第二PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管的栅极和所述第三NPN管的集电极和所述第三PMOS管的栅极,源极接电源电压VCC;所述第三NPN管的基极接所述第四电阻的一端和所述第二NPN管的集电极,集电极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极,发射极接地;所述第三PMOS管的栅极接所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第三NPN管的集电极,漏极接所述第五电阻的一端,源极接电源电压VCC;所述第五电阻的一端接所述第三PMOS管的漏极,另一端接所述电池的正极;所述电池的正极接所述第五电阻的一端,负极接地。/n...

【技术特征摘要】
1.一种电池充电装置,其特征在于:包括第一电阻、第一PMOS管、第二电阻、第一NPN
管、第三电阻、第二NPN管、第四电阻、第二PMOS管、第三NPN管、第三PMOS管、第五电阻和电池;
所述第一电阻一端接电源电压VCC,另一端接所述第一PMOS管的漏极和所述第二电阻的一端和所述第四电阻的一端;所述第一PMOS管的栅极接所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第三NPN管的集电极和所述第三PMOS管的栅极,漏极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第四电阻的一端,源极接电源电压VCC;所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一PMOS管的漏极和所述第四电阻的一端,另一端接所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极;所述第一NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第二电阻的一端和所述第二NPN管的基极,发射极接地;所述第三电阻的一端接所述第二NPN管的发射极,另一端接地;所述第二NPN管的基极接所述第二电阻的...

【专利技术属性】
技术研发人员:孟庆生
申请(专利权)人:杭州宽福科技有限公司
类型:发明
国别省市:浙江;33

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