一种太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池领域。该太阳能电池包括：晶硅衬底；依次设置在所述晶硅衬底的至少一面上的本征薄膜层、掺杂硅基薄膜层、透明导电层和电极；所述掺杂硅基薄膜层的面积小于所述本征薄膜层的面积。本发明专利技术实施例提供的太阳能电池，通过设置掺杂硅基薄膜层的面积小于本征薄膜层的面积，使得部分入射光可透过透明导电层和本征薄膜层直接进入晶硅衬底，而不经过掺杂硅基薄膜层，减少了掺杂硅基薄膜层对入射光中短波光的吸收损耗，从而促进电池效率的提高。

A solar cell and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池及其制备方法
本专利技术涉及太阳能电池领域，特别涉及一种太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
太阳能电池，是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。现有技术中，太阳能电池包括晶硅衬底、依次设置在晶硅衬底上的本征薄膜、掺杂硅基薄膜和电极。其中，掺杂硅基薄膜完整地沉积在本征非晶硅基薄膜上，覆盖本征薄膜。专利技术人发现现有技术中至少存在以下问题：掺杂硅基薄膜具有短波吸收的作用，当入射光照射太阳能电池时，掺杂硅基薄膜会吸收一部分短波(波长为300-600nm)，而阻碍外量子效率(EQE)的提升，进而限制了电池效率的提高。
技术实现思路
本专利技术提供了一种太阳能电池及其制备方法，可解决上述技术问题。具体而言，包括以下的技术方案：一方面，本专利技术提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：晶硅衬底；依次设置在所述晶硅衬底的至少一面上的本征薄膜层、掺杂硅基薄膜层、透明导电层和电极；所述掺杂硅基薄膜层的面积小于所述本征薄膜层的面积。在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括：/n晶硅衬底(1)；/n依次设置在所述晶硅衬底(1)的至少一面上的本征薄膜层(2)、掺杂硅基薄膜层(3)、透明导电层(4)和电极(5)；/n所述掺杂硅基薄膜层(3)的面积小于所述本征薄膜层(2)的面积。/n

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括：
晶硅衬底(1)；
依次设置在所述晶硅衬底(1)的至少一面上的本征薄膜层(2)、掺杂硅基薄膜层(3)、透明导电层(4)和电极(5)；
所述掺杂硅基薄膜层(3)的面积小于所述本征薄膜层(2)的面积。


2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述本征薄膜层(2)上未覆盖掺杂硅基薄膜层(3)的区域填充有透明导电层(4)。


3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂硅基薄膜层(3)包括至少两个掺杂硅基薄膜单元，且所述至少两个掺杂硅基薄膜单元不连续。


4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，在所述至少两个掺杂硅基薄膜单元不连续的区域上填充有透明导电层(4)。


5.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂硅基薄膜单元呈条状。


6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂层硅基薄膜层(3)包括镂空区。


7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述镂空区填充有透明导电层(4)。


8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂硅基薄膜层(3)为n型掺杂层或p型掺杂层。


9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述晶硅衬底(1)为n型单晶硅片或p型单晶硅片；和/或所述本征薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：郁操，
申请(专利权)人：君泰创新北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11