液晶介质制造技术

本发明专利技术涉及液晶介质及其用于有源矩阵显示器的用途，特别是基于VA，PSA，PS‑VA，PM‑VA，SS‑VA，PALC，IPS，PS‑IPS，FFS或PS‑FFS效应的有源矩阵显示器。

Liquid crystal medium

【技术实现步骤摘要】
液晶介质
本专利技术涉及液晶介质(LC介质)，其用于电-光目的的用途，特别是用于基于ECB效应的具有有源矩阵寻址的电-光显示器以及用于IPS(面内切换)显示器或FFS(边缘场切换)显示器，还涉及包含该介质的显示器。
技术介绍
1971年，首次提出了电场控制双折射，即ECB效应或者即DAP(排列相变形)效应的原理(M.F.SchieckelandK.Fahrenschon,"Deformationofnematicliquidcrystalswithverticalorientationinelectricalfields",Appl.Phys.Lett.19(1971),3912)。之后J.F.Kahn(Appl.Phys.Lett.20(1972),1193)和G.Labrunie和J.Robert(J.Appl.Phys.44(1973),4869)发表了论文。J.Robert和F.Clerc(SID80DigestTechn.Papers(1980),30)，J.Duchene(Displays7(1986),3)和H.Schad本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.液晶介质，特征在于其包含一种或多种式EY的化合物：/n

【技术特征摘要】
20180621 DE 102018005326.21.液晶介质，特征在于其包含一种或多种式EY的化合物：



和，
一种或多种选自式IA和IB化合物的化合物



和/或一种或多种选自式BF-1，BF-2，BS-1和BS-2化合物的化合物：






其中单个基团在每种情况下彼此独立地，在每次出现时相同地或不同地具有以下的含义中之一：
R1，R1*，
R1A，R1B和RB表示H，具有最多15个C原子的烷基或烯基，其是未取代的，被CN或CF3单取代或被卤素至少单取代，其中，此外，这些基团中的一个或多个CH2基团可以被-O-，-S-，-C≡C-，-CF2O-，-OCF2-，-OC-O-或-O-CO-以使得O原子不直接相互连接的方式替代，在每次出现时相同地或不同地表示，



L1，L2彼此独立地表示F或Cl，
L3，L4在每种情况下彼此独立地表示F，Cl，CF3或CHF2，
L5表示H或甲基，
Z2A和Z2B在每种情况下彼此独立地表示-CH2CH2-，-CH＝CH-，-CF2O-，-OCF2-，-CH2O-，-OCH2-，-COO-，-OCO-，-C2F4-，-CF＝CF-或-CH＝CHCH2O-，
(O)表示O或单键，
p表示1或2，
q表示0或1，
c表示0，1或2，和
d表示1或2。


2.根据权利要求1所述的液晶介质，其中所述介质包含一种或多种式IA或IB化合物，其中Z2A和Z2B彼此独立地表示-CH2CH2-，-CH2O-或-OCH2-。


3.根据权利要求1或2所述的液晶介质，其中所述介质包含一种或多种式EY化合物，其中
R1表示具有2-7个C原子的烯氧基，和
R1*表示具有1-6个C原子的烷氧基，具有2-7个C原子的烯氧基。


4.根据权利要求1-3中的一项或多项所述的液晶介质，其中所述介质包含一种或多种选自下式化合物的化合物EY：











5.根据权利要求4的液晶介质，其中所述介质包含如权利要求4所定义的所述化合物EY-15。


6.根据权利要求1-5中的一项或多项所述的液晶介质，其中所述介质包含一种或多种选自式IIA，IIB和IIC化合物的化合物，



其中，
R2A，R2B和R2C在每种情况下彼此独立地表示H，具有最多15个C原子的烷基或烯基，其是未取代的，被CN或CF3单取代或被卤素至少单取代，其中，此外，这些基团中的一个或多个CH2...

【专利技术属性】
技术研发人员：H·赫施曼，S·舍恩，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE