液晶介质制造技术

本发明专利技术涉及包含至少一种式I化合物的液晶介质，

Liquid crystal medium

【技术实现步骤摘要】
液晶介质本申请是申请号为201510426405.6专利申请的分案申请。
本专利技术涉及包含至少一种式I化合物的液晶介质，其中R1和R1*各自彼此独立地表示具有1-15个C原子的烷基或烷氧基，其中另外，这些基团中的一个或多个CH2基团可各自彼此独立地被-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-、-CH＝CH-、-O-、-CO-O-、-O-CO-以O原子不彼此直接连接的方式替代，和其中另外，一个或多个H原子可被卤素替代，L1和L2各自彼此独立地表示F、Cl、CF3或CHF2。该类型介质可用于,特别是具有基于ECB效应的有源矩阵寻址的电光显示器和IPS(面内切换)显示器或FFS(边缘场切换)显示器。
技术介绍
1971年，首次提出了电场控制双折射，即ECB效应或者即DAP(排列相变形)效应的原理(M.F.SchieckelandK.Fahrenschon,"Deformationofnematicliquidcrystalswithverticalorientationinelectricalfields",Appl.Phys.Lett.19(1971),3912)。之后J.F.Kahn(Appl.Phys.Lett.20(1972),1193)和G.Labrunie和J.Robert(J.Appl.Phys.44(1973),4869)发表了论文。J.Robert和F.Clerc(SID80DigestTechn.Papers(1980),30)，J.Duchene(Displays7(1986),3)和H.Schad(SID82DigestTechn.Papers(1982),244)发表的论文表明，液晶相必须具有高的弹性常量K3/K1的比值、高的光学各向异性Δn值和Δε≤-0.5的介电各向异性值，以便适用于基于ECB效应的高信息显示元件。基于ECB效应的电-光显示元件具有垂直边缘排列(VA技术＝垂直排列)。负介电性的液晶介质还可以用于所谓的IPS或者FFS效应的显示器。使用ECB效应的显示器，如所谓VAN(垂直排列向列)显示器，例如在MVA(多象限垂直配向，例如：Yoshide,H.等，论文3.1:"MVALCDforNotebookorMobilePCs...",SID2004InternationalSymposium,DigestofTechnicalPapers,XXXV,BookI,第6–9页,和Liu,C.T.等，论文15.1:"A46-inchTFT-LCDHDTVTechnology...",SID2004InternationalSymposium,DigestofTechnicalPapers,XXXV,BookII,第750-753页)、PVA(垂直取向排列，例如：Kim,SangSoo,论文15.4:"SuperPVASetsNewState-of-the-ArtforLCD-TV",SID2004InternationalSymposium,DigestofTechnicalPapers,XXXV,BookII,第760-763页)、ASV(超视角，例如：Shigeta,Mitzuhiro和Fukuoka,Hirofumi，论文15.2:"DevelopmentofHighQualityLCDTV",SID2004InternationalSymposium,DigestofTechnicalPapers,XXXV,BookII,第754–757页)模式中，除了IPS(面内切换)显示器(例如：Yeo,S.D.,论文15.3:"AnLCDisplayfortheTVApplication",SID2004InternationalSymposium,DigestofTechnicalPapers,XXXV,BookII,第758&759页)和已知很久的TN(扭转向列)显示器之外，均已将其自身还发展为三种新近的当前最重要的液晶显示器之一，特别是用于电视中。例如，在Souk,Jun,SIDSeminar2004,seminarM-6:"RecentAdvancesinLCDTechnology",SeminarLectureNotes,M-6/1至M-6/26,和Miller,Ian,SIDSeminar2004,seminarM-7:"LCD-Television",SeminarLectureNotes,M-7/1至M-7/32中以常规形式比较了上述技术。虽然现代ECB显示器的响应时间通过使用超速驱动寻址方法已经显著提高，例如；Kim,HyeonKyeong等，论文9.1:"A57-in.WideUXGATFT-LCDforHDTVApplication",SID2004InternationalSymposium,DigestofTechnicalPapers,XXXV,BookI,第106-109页，但是图像兼容响应时间的进展，特别是在灰色阴影切换上，仍然是个没有得到令人满意地解决的问题。在电-光显示元件中这种效应的工业化应用需要LC相，其不得不满足需求的多样性。特别重要的是对潮湿、空气的耐化学性以及物理影响例如热、红外线、可见光以及紫外线和直流和交流电场。此外，工业上可使用的LC相需要在适合温度范围内具有液晶介晶相和低粘度。迄今公开的具有液晶介晶相的系列化合物没有一个包含能够满足全部这些要求的单个化合物。因而通常制备2-25种，优选3-18种化合物的混合物以便获得能够作为LC相使用的物质。然而，以这种方式容易地准备最适宜的相是不可能的，因为迄今还没有可使用的具有显著负介电各向异性和足够长期稳定性的液晶材料。已知矩阵液晶显示器(MLC显示器)。能够用于单个像素单独切换的非线性元件例如是有源元件(例如晶体管)。下面使用的术语“有源矩阵”，其中两个类型之间存在区别：1、作为基板的硅晶片上的MOS(金属氧化物半导体)晶体管2、作为基板的玻璃板上的薄膜晶体管(TFT)。在类型1的情况下，所使用的电-光效应一般是动态散射或者宾-主效应。作为基板材料的单晶硅的使用限制了显示器的尺寸，因为不同部分显示器的模块集成也会在连接处导致问题产生。在优选的更有前途的类型2的情况下，使用的电-光效应一般为TN效应。两种技术的区别：含有化合物半导体例如CdSe的TFT或者基于多晶硅或无定形硅的TFT。后一个技术在全世界范围内得以集中研究。TFT矩阵被施加到显示器的一个玻璃板的内部，而另一个玻璃板在其中负载透明的对电极。与像素电极的尺寸相比，TFT非常小并且在图像中几乎不存在相反作用。该技术还能扩展到全彩色功能的显示器中，其中将红、绿和蓝滤光片的镶嵌块以使得滤光元件与每个可切换的像素相对置的方式排列。在此，术语MLC显示器包括具有集成非线性元件的任何矩阵显示器，即除了有源矩阵外，还有具有无源元件的显示器，如可变电阻或二极管(MIM＝金属-绝缘体-金属)。这类MLC显示器特别适用于TV应用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.基于极性化合物的混合物的液晶介质，所述液晶介质具有负介电各向异性，特征在于其包含至少一种式I化合物，/n

【技术特征摘要】
20140422 DE 102014005714.31.基于极性化合物的混合物的液晶介质，所述液晶介质具有负介电各向异性，特征在于其包含至少一种式I化合物，



其中
R1和
R1*各自彼此独立地表示具有1-15个C原子的烷基或烷氧基，其中另外，这些基团中的一个或多个CH2基团可各自彼此独立地被-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-、-CH＝CH-、-O-、-CO-O-、-O-CO-以O原子不彼此直接连接的方式替代，和其中另外，一个或多个H原子可被卤素替代，
L1和L2各自彼此独立地表示F、Cl、CF3或CHF2。


2.根据权利要求1的液晶介质，特征在于所述介质包含至少一种式I-1至I-10化合物，






其中
alkyl和alkyl*各自彼此独立地表示具有1-6个C原子的直链烷基，
alkenyl和alkenyl*各自彼此独立地表示具有2-6个C原子的直链烯基，
alkoxy和alkoxy*各自彼此独立地表示具有1-6个C原子的直链烷氧基，和
L1和L2各自彼此独立地表示F、Cl、CF3或CHF2。


3.根据权利要求1或2的液晶介质，特征在于所述介质包含至少一种选自式I-2.1至I-2.49和I-6.1至I-6.28化合物的化合物，




































其中L1和L2具有权利要求1中所示的含义。


4.根据权利要求1-3一项或多项的液晶介质，特征在于在式I中的L1和L2各自表示F。


5.根据权利要求1-4一项或多项的液晶介质，特征在于其额外包含一种或多种选自式IIA、IIB和IIC化合物的化合物，



其中
R2A、R2B和R2C各自彼此独立地表示H、具有最多15个C原子的烷基或烯基，其为未取代的、被CN或CF3单取代的或至少被卤素单取代，其中另外，这些基团中的一个或多个CH2基团可被-O-、-S-、-C≡C-、-CF2O-、-OCF2-、-OC-O-或-O-CO-以O原子不彼此直接连接的方式替代，
L1-4各自彼此独立地表示F、Cl、CF3或CHF2，
Z2和Z2’各自彼此独立地表示单键、-CH2CH2-、-CH＝CH-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-C2F4-、-CF＝CF-、-CH＝CHCH2O-，
p表示0、1或2，
q表示0或1，和
v表示1-6。


6.根据权利要求1-5一项或多项的液晶介质，特征在于所述介质额外包含一种或多种式III化合物，



其中
R31和R32各自彼此独立地表示具有最多12个C原子的直链烷基、烯基、烷氧基、烷氧基烷基或烷氧基，和

表示



Z3表示单键、-CH2CH2-、-CH＝CH-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-O...

【专利技术属性】
技术研发人员：H·赫施曼，M·鲍尔，M·温德赫斯特，M·罗伊特，V·雷芬拉斯，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE