【技术实现步骤摘要】
一种串联磁路混合永磁体记忆电机
本专利技术属于永磁体记忆电机领域。
技术介绍
传统的永磁电机中,使用单一的永磁体。在电机高速运行时,由于频率的升高导致电机的反电势也随之增大;当电机的速度达到一定的范围,反电势会超过电控系统的IGBT的承受峰值。为了进一步提高转速需要使用弱磁扩速技术。采用弱磁扩速的方式,当对电机的转速有很高的要求时,需要对电机施加很大的负d轴电流,但是这可能会造成永磁体的不可逆退磁。串联磁路混合永磁体记忆电机,由高矫顽力的铷铁硼和低矫顽力的铝镍钴共同构成转子磁极,其中铷铁硼永磁体提供主要的磁场,铝镍钴永磁体起到调节磁场的作用。然而在现有技术中,每极磁场由高矫顽力的铷铁硼永磁体和低矫顽力的铝镍钴永磁体共同组成一个回路,高矫顽力的铷铁硼永磁体对低矫顽力铝镍钴永磁体的退磁起到阻碍作用,导致退磁电流过高。并且,由于铷铁硼永磁体与铝镍钴永磁体共同构成一个磁回路,使得铝镍钴永磁体磁化状态无法调节至相反方向,调磁性能较低。
技术实现思路
本专利技术是为了解决现有串联磁路混合永磁体记忆电机中,退磁电流过高、且调磁性能较低的问题,现提供一种串联磁路混合永磁体记忆电机。一种串联磁路混合永磁体记忆电机,包括:偶数个永磁体单元、绕组、转轴、转子铁心和定子铁心,每极永磁体单元均包括两个充磁方向相同的永磁体,两个永磁体呈“V”字形设置,转子铁心同轴套接在转轴的外圆周上,定子铁心同轴套接在转子铁心的外圆周上,定子铁心内圆周上设有多个定子齿,绕组嵌固在多个定子齿间,转子铁心沿其轴向 ...
【技术保护点】
1.一种串联磁路混合永磁体记忆电机,包括:偶数个永磁体单元、绕组(3)、转轴(4)、转子铁心(5)和定子铁心(6),/n每极永磁体单元均包括两个充磁方向相同的永磁体,两个永磁体呈“V”字形设置,/n转子铁心(5)同轴套接在转轴(4)的外圆周上,定子铁心(6)同轴套接在转子铁心(5)的外圆周上,定子铁心(6)内圆周上设有多个定子齿,绕组(3)嵌固在多个定子齿间,转子铁心(5)沿其轴向开有多个永磁体孔,多极永磁体单元分别嵌固在多个永磁体孔中,多极永磁体单元沿转子铁心(5)周向均匀排布,相邻两个永磁体单元中的永磁体充磁方向相反,/n其特征在于,/n每极永磁体单元中两个永磁体材料不同,相邻两个永磁体单元中的同一种材料的永磁体相邻设置。/n
【技术特征摘要】
1.一种串联磁路混合永磁体记忆电机,包括:偶数个永磁体单元、绕组(3)、转轴(4)、转子铁心(5)和定子铁心(6),
每极永磁体单元均包括两个充磁方向相同的永磁体,两个永磁体呈“V”字形设置,
转子铁心(5)同轴套接在转轴(4)的外圆周上,定子铁心(6)同轴套接在转子铁心(5)的外圆周上,定子铁心(6)内圆周上设有多个定子齿,绕组(3)嵌固在多个定子齿间,转子铁心(5)沿其轴向开有多个永磁体孔,多极永磁体单元分别嵌固在多个永磁体孔中,多极永磁体单元沿转子铁心(5)周向均匀排布,相邻两个永磁体单元中的永磁体充磁方向相反,
其特征在于,
每极永磁体单元中两个永磁体材料不同,...
【专利技术属性】
技术研发人员:谢颖,宁召阳,魏静微,马泽新,毛攀,胡圣明,
申请(专利权)人:哈尔滨理工大学,
类型:发明
国别省市:黑龙;23
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