【技术实现步骤摘要】
1.5TSONOS闪存的制造方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造方法，尤其涉及一种1.5TSONOS闪存的制造方法。
技术介绍
在半导体集成电路中，快闪存储器(FlashMemory)以其非挥发性(Non-Volatile)的特点在移动电话、数码相机等消费类电子产品和便携式系统中得到广泛应用。非挥发性存储技术主要有浮栅(floatinggate))技术、分压栅(splitgate)技术以及SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon，硅-二氧化硅-氮化硅-二氧化硅-硅)技术，SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon，硅/二氧化硅/氮化硅/二氧化硅/硅)型快闪存储器由于工艺简单、操作电压低、数据可靠性高及易于集成到标准CMOS工艺中等优点而得到广泛应用。其中，常用的1.5TSONOS闪存结构包括两个器件，一个是选择管(SG，selectgate)，另外一个是存储管(MG，memorygate)，存储管(MG，memorygate)以ONO...
【技术保护点】
1.一种1.5T SONOS闪存的制造方法，其特征在于，包括：/nS1：提供一半导体衬底，在半导体衬底上形成场氧化层，由场氧化层隔离出多个有源区，然后对多个有源区进行阱注入工艺，以形成P阱或N阱；/nS2：在半导体衬底上形成栅氧层；/nS3：形成第一层多晶硅栅极层；/nS4：采用光刻刻蚀工艺定义出存储管的位置并刻蚀掉该区域内的第一层多晶硅栅极层，刻蚀停止在栅氧层上，以定义出存储管的形成区域；/nS5：清洗掉半导体衬底上存储管的形成区域内的栅氧层，露出半导体衬底，然后依次沉积ONO层和第二层多晶硅栅极层；/nS6：对第二层多晶硅栅极层进行平坦化工艺，并停止在ONO层；/nS7...
【技术特征摘要】
1.一种1.5TSONOS闪存的制造方法，其特征在于，包括：
S1：提供一半导体衬底，在半导体衬底上形成场氧化层，由场氧化层隔离出多个有源区，然后对多个有源区进行阱注入工艺，以形成P阱或N阱；
S2：在半导体衬底上形成栅氧层；
S3：形成第一层多晶硅栅极层；
S4：采用光刻刻蚀工艺定义出存储管的位置并刻蚀掉该区域内的第一层多晶硅栅极层，刻蚀停止在栅氧层上，以定义出存储管的形成区域；
S5：清洗掉半导体衬底上存储管的形成区域内的栅氧层，露出半导体衬底，然后依次沉积ONO层和第二层多晶硅栅极层；
S6：对第二层多晶硅栅极层进行平坦化工艺，并停止在ONO层；
S7：清洗去除掉第一层多晶硅栅极层上的ONO层，然后光刻刻蚀出逻辑器件的栅极结构和1.5TSONOS器件的栅极结构；以及
S8：完成1.5TSONOS器件及逻辑器件的后续工艺，以完成1.5TSONOS闪存的制造。
2.根据权利要求1所述的1.5TSONOS闪存的制造方法，其特征在于，在步骤S1中所述场氧化层隔离出逻辑器件的有源区以及1.5TSONOS器件的有源区。
3.根据权利要求2所述的1.5TSONOS闪存的制造方法，其特征在于，所述逻辑器件的有源区包括核心器件的有源区和输入输出器件的有源区。
4.根据权利要求3所述的1.5TSONOS闪存的制造方法，其特征在于，在步骤S2中所述栅氧层包括位于所述1.5TSONOS器件的有源区上的第一栅氧层和位于所述核心器件的有源区上的第二栅氧层，其中所述第一栅氧层较所述第二栅氧层厚。
5.根据权利要求4所述的1.5TSONOS闪存的制造方法，其特征在于，所述第一栅氧层的厚度位于至之间。
6.根据权利要求4或5任一项所述的1.5TSONOS闪存的制造方法，其特征在于，所述第二栅氧层的厚度位于至之间。
7.根据权利要求3或4任一项所述的1.5TSONOS闪存的制造方法，其特征在于，在步骤S2中所述栅氧层还包括位于输入输出器件的有源区上的栅氧层，位于所述输入输出器件的有源区上的栅氧层与位于所述1.5TSONOS器件的有源区上的栅氧层厚度一样。
8.根据权利要求1所述的1.5TSONOS闪存的制造方法，其特征在于，在步骤S2中采用氧化工艺形成...
【专利技术属性】
技术研发人员：戴树刚，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。