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本发明涉及1.5T SONOS闪存的制造方法，涉及半导体集成电路制造方法，首先在半导体衬底上沉积形成的第一层多晶硅栅极层，然后在第一层多晶硅栅极层内定义出存储管的形成区域，刻蚀掉存储管的形成区域内的多晶硅，停止在栅氧层上然后依次沉积ONO层...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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