他达拉非Ⅰ型晶体的制备方法技术

技术编号:22941253 阅读:59 留言:0更新日期:2019-12-27 16:06
本发明专利技术属于医药技术领域,具体涉及他达拉非Ⅰ型晶体的制备方法。本发明专利技术所要解决的技术问题在于提供一种溶剂可回收,污染小的他达拉非Ⅰ型晶体的制备方法。该方法为:a、结晶无水他达拉非V型晶体用水或C1‑C4醇中的至少一种为溶剂搅拌;b、加入无机碱搅拌得浆液;c、将浆液过滤后加水打浆,再次过滤,洗涤得他达拉非I型晶体湿品;d、干燥得他达拉非I型晶体。本发明专利技术方法溶剂用量少,易回收,生产成本低,具有良好的应用前景。

Preparation of tadalafil type I crystal

【技术实现步骤摘要】
他达拉非Ⅰ型晶体的制备方法
本专利技术属于医药
,具体涉及他达拉非Ⅰ型晶体的制备方法。
技术介绍
他达拉非(Tadalafil),化学名为(6R-12aR)-6-(1,3-苯并二噁茂-5-基)-2-甲基-2,3,6,7,12,12a-六氢化吡嗪并[1',2':1,6]-吡啶并[3,4-b]吲哚-1,4-二酮。化学结构如下所示:他达拉非于2003年8月在美国批准上市,其适应症主要为勃起功能障碍;2009年5月批准了此药的第二个适应症:肺动脉高压;2011年10月批准该药用于治疗继发性良性前列腺增生。我国于2005年5月批准其在国内上市。他达拉非是环磷酸鸟苷(cGMP)的特异性磷酸二酯酶5(PDE5)的选择性和可逆性抑制剂。通过抑制PDE,他达拉非可促进局部一氧化氮(NO)的释放,从而刺激环磷酸鸟苷(cGMP)的合成而进一步导致平滑肌松弛和增加血液流量,达到治疗男性阳痿的目的。专利文献CN101115484A公开了他达拉非晶形和其制备方法,其中公开了一种制备他达拉非I型晶体的方法,包括如下步骤:a)在溶剂中,在至少约60摄氏度至120摄氏度的温度下溶解他达拉非得到溶液,所述溶剂选自2-甲氧基乙醇、无水乙醇、乙腈、1-丙醇、异丙醇和其混合物;b)冷却步骤a)的他达拉非溶液直接得到沉淀物;c)分离步骤b)的沉淀物。专利文献CN108299434A公开了一种他达拉非晶型I的制备方法,包括如下步骤:(1)将他达拉非粗品、十二烷基硫酸钠加入乙腈水溶液中,加热搅拌使其溶清;(2)蒸除部分溶剂,缓慢降温析晶,过滤,水洗、干燥制得他达拉非晶型I。上述制备他达拉非晶I型晶体的方法采用单一溶剂或混合溶剂,存在溶剂用量大、混合溶剂无法回收,导致对环境造成污染。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种溶剂可回收,污染小的他达拉非Ⅰ型晶体的制备方法。本专利技术解决其技术问题采用的技术方案是提供了他达拉非Ⅰ型晶体的制备方法。该方法包括如下步骤:a、结晶无水他达拉非V型晶体用水或C1-C4醇中的至少一种为溶剂搅拌;b、加入无机碱搅拌得浆液;c、将浆液过滤后加水打浆,再次过滤,洗涤得他达拉非I型晶体湿品;d、干燥得他达拉非I型晶体。其中,上述他达拉非Ⅰ型晶体的制备方法中,步骤a中,所述溶剂的体积与结晶无水他达拉非V型晶体的质量比为5~20mL/g。优选地,所述溶剂的体积与结晶无水他达拉非V型晶体的质量比为8~15mL/g。其中,上述他达拉非Ⅰ型晶体的制备方法中,步骤a中,所述C1-C4醇为甲醇、乙醇、异丙醇或正丁醇中的任意一种。进一步地,步骤a中,当溶剂为水和C1-C4醇的混合溶剂时,所述水的体积百分比为5~50%。其中,上述他达拉非Ⅰ型晶体的制备方法中,步骤a中,所述搅拌的温度为20~30℃。其中,上述他达拉非Ⅰ型晶体的制备方法中,步骤b中,所述搅拌的温度为20~30℃。其中,上述他达拉非Ⅰ型晶体的制备方法中,步骤c中,所述打浆的温度为20~30℃。其中,上述他达拉非Ⅰ型晶体的制备方法中,步骤b中,所述无机碱为碳酸钠、碳酸钾、碳酸氢钠、碳酸氢钾、氨水、氢氧化钠或氢氧化钾中的任意一种。进一步地,步骤b中,所述步骤a中结晶无水他达拉非V型晶体与无机碱的摩尔比为1:1~10。优选地,所述结晶无水他达拉非V型晶体与无机碱的摩尔比为1:1~5。其中,上述他达拉非Ⅰ型晶体的制备方法中,步骤d中,所述干燥采用减压干燥。进一步地,所述减压干燥是在55~65℃下、减压至-0.08Mpa干燥6h。本专利技术的有益效果是:1、本专利技术方法采用的溶剂为水或C1-C4醇或水与C1-C4醇的混合溶剂,低毒,不易产生污染且易回收。2、本专利技术方法采用的溶剂用量少,采用溶剂的体积与结晶无水他达拉非V型晶体的质量比降至为8~15mL/g,采用常用溶剂成本低廉。3、本专利技术方法操作简单,生产成本低,利于商业化生产。4、采用本专利技术方法制备得到的他达拉非I型晶体的粉末X射线衍射图在7.3度,10.6度,12.6度,14.6度,18.5度,21.8度,24.3度,24.8度±0.2度2θ具有特征反射峰,本专利技术产品不产生静电,粉末不团聚,流动性好。附图说明图1是本专利技术实施例1制得他达拉非I型晶体的XRD图。具体实施方式具体的,本专利技术提供了他达拉非I型晶体的制备方法。该方法包括如下步骤:a、结晶无水他达拉非V型晶体用水或C1-C4醇中的至少一种为溶剂搅拌;b、加入无机碱搅拌得浆液;c、将浆液过滤后加水打浆,再次过滤,洗涤得他达拉非I型晶体湿品;d、干燥得他达拉非I型晶体。在本专利技术步骤a中,将结晶无水他达拉非V型晶体用水或C1-C4醇中的至少一种为溶剂在20~30℃搅拌的目的是为了使结晶无水他达拉非V型晶体能够均匀分散。为了避免溶剂的浪费,并控制一定的粘度,使所述溶剂的体积与结晶无水他达拉非V型晶体的质量比为5~20mL/g。优选地,质量比为8~15mL/g。本专利技术所述C1-C4醇为甲醇、乙醇、异丙醇或正丁醇中的任意一种。当溶剂为水和C1-C4醇的混合溶剂时,所述水的体积百分比为5~50%。在本专利技术步骤b中,他达拉非V型晶体为溶剂化物,含有1分子乙酸。专利技术人经过大量研究发现,采用无机碱中和乙酸,游离溶剂化物可直接得到I型晶体,由于他达拉非在有机溶剂中溶解度低,属于难溶性药物,专利技术人不将其溶解,直接进行了晶型转换,简化了步骤,节约了成本。采用的无机碱为碳酸钠、碳酸钾、碳酸氢钠、碳酸氢钾、氨水、氢氧化钠或氢氧化钾中的任意一种。为了使乙酸全部游离,将结晶无水他达拉非V型晶体与无机碱的摩尔比控制为1:1~10。优选地,摩尔比为1:1~5。下面将通过具体的实施例对本专利技术作进一步地详细阐述。本专利技术结晶无水他达拉非V型晶体的制备参照专利文献CN101115484A的方法,采用乙酸为溶剂制备得到。实施例1将结晶无水他达拉非V型晶体50g加入到500mL水中,20~30℃搅拌均匀,加入碳酸钠11.8g,搅拌4h。过滤,再用500mL水打浆1h,过滤并用水淋洗至pH为7~8,得他达拉非I型晶体湿品。在55~65℃下、减压至-0.08Mpa干燥6h得他达拉非I型晶体干品41.2g。实施例2将结晶无水他达拉非V型晶体50g加入到400mL水中,20~30℃搅拌均匀,加入碳酸氢钠18.6g,搅拌4h。过滤,再用500mL水打浆1h,过滤并用水淋洗至pH为7~8,得他达拉非I型晶体湿品。在55~65℃下、减压至-0.08Mpa干燥6h得他达拉非I型晶体干品41.5g。实施例3将结晶无水他达拉非V型晶体50g加入到750mL水中,20~30℃搅拌均匀,加入25%氨水46.6g,搅拌6h。过滤,再用500mL水打浆1h,过滤并用水淋洗至pH为7~8本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.他达拉非I型晶体的制备方法,其特征在于包括如下步骤:/na、结晶无水他达拉非V型晶体用水或C1-C4醇中的至少一种为溶剂搅拌;/nb、加入无机碱搅拌得浆液;/nc、将浆液过滤后加水打浆,再次过滤,洗涤得他达拉非I型晶体湿品;/nd、干燥得他达拉非I型晶体。/n

【技术特征摘要】
1.他达拉非I型晶体的制备方法,其特征在于包括如下步骤:
a、结晶无水他达拉非V型晶体用水或C1-C4醇中的至少一种为溶剂搅拌;
b、加入无机碱搅拌得浆液;
c、将浆液过滤后加水打浆,再次过滤,洗涤得他达拉非I型晶体湿品;
d、干燥得他达拉非I型晶体。


2.根据权利要求1所述的他达拉非I型晶体的制备方法,其特征在于:步骤a中,所述溶剂的体积与结晶无水他达拉非V型晶体的质量比为5~20mL/g。


3.根据权利要求1或2所述的他达拉非I型晶体的制备方法,其特征在于:步骤a中,所述溶剂的体积与结晶无水他达拉非V型晶体的质量比为8~15mL/g。


4.根据权利要求1所述的他达拉非I型晶体的制备方法,其特征在于:步骤a中,所述C1-C4醇为甲醇、乙醇、异丙醇或正丁醇中的任意一种。


5.根据权利要求1所述的他达拉非I型晶体的制备方法,其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员:安好义安志远郑敏李坤尹长刚
申请(专利权)人:四川依科制药有限公司
类型:发明
国别省市:四川;51

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