存储装置、凹陷沟道阵列晶体管制造方法及图纸

本公开提供了一种存储装置和凹陷沟道阵列晶体管，属于存储技术领域。该凹陷沟道阵列晶体管包括有源区和栅极结构。其中，有源区设置有凹槽通道，所述有源区包括阱区和源漏区；栅极结构包括栅极和栅极绝缘层，所述栅极和所述栅极绝缘层填充于所述凹槽通道中，且所述栅极绝缘层隔离所述有源区和所述栅极；其中，所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层设于所述第二栅极绝缘层靠近所述凹槽通道的槽口的一侧，所述第二栅极绝缘层设于所述第一栅极绝缘层远离所述凹槽通道的槽口的一侧；所述第一栅极绝缘层的介电常数小于所述第二栅极绝缘层的介电常数。该凹陷沟道阵列晶体管能够提高阈值电压的均一性。

Memory device, recessed channel array transistor

【技术实现步骤摘要】
存储装置、凹陷沟道阵列晶体管
本公开涉及存储
，尤其涉及一种存储装置、凹陷沟道阵列晶体管。
技术介绍
随着器件尺寸的不断减小，凹陷沟道阵列晶体管(recesschannelaccesstransistor，RCAT)可以应用于DRAM(动态随机存取存储器)中。但是，随着凹陷沟道阵列晶体管尺寸的减小，沟槽通道的曲率效应越明显，导致晶体管在沟槽通道不同位置的阈值电压的差异也越大，这降低了凹陷沟道阵列晶体管的性能。所述
技术介绍
部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种存储装置、凹陷沟道阵列晶体管，提高凹陷沟道阵列晶体管的阈值电压的均一性。为实现上述技术目的，本公开采用如下技术方案：根据本公开的第一个方面，提供一种凹陷沟道阵列晶体管，包括：有源区，设置有凹槽通道，所述有源区包括阱区和源漏区；栅极结构，包括栅极和栅极绝缘层，所述栅极和所述栅极绝缘层填充于所述凹槽通道中，且所述栅极绝缘层隔离所述有源区和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种凹陷沟道阵列晶体管，其特征在于，包括：/n有源区，设置有凹槽通道，所述有源区包括阱区和源漏区；/n栅极结构，包括栅极和栅极绝缘层，所述栅极和所述栅极绝缘层填充于所述凹槽通道中，且所述栅极绝缘层隔离所述有源区和所述栅极；/n其中，所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层设于所述第二栅极绝缘层靠近所述凹槽通道的槽口的一侧，所述第二栅极绝缘层设于所述第一栅极绝缘层远离所述凹槽通道的槽口的一侧；所述第一栅极绝缘层的介电常数小于所述第二栅极绝缘层的介电常数。/n

【技术特征摘要】
1.一种凹陷沟道阵列晶体管，其特征在于，包括：
有源区，设置有凹槽通道，所述有源区包括阱区和源漏区；
栅极结构，包括栅极和栅极绝缘层，所述栅极和所述栅极绝缘层填充于所述凹槽通道中，且所述栅极绝缘层隔离所述有源区和所述栅极；
其中，所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层设于所述第二栅极绝缘层靠近所述凹槽通道的槽口的一侧，所述第二栅极绝缘层设于所述第一栅极绝缘层远离所述凹槽通道的槽口的一侧；所述第一栅极绝缘层的介电常数小于所述第二栅极绝缘层的介电常数。


2.根据权利要求1所述的凹陷沟道阵列晶体管，其特征在于，所述第二栅极绝缘层的材料为高介电常数材料。


3.根据权利要求1所述的凹陷沟道阵列晶体管，其特征在于，所述第一栅极绝缘层靠近所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志拯，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34