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本公开提供了一种存储装置和凹陷沟道阵列晶体管，属于存储技术领域。该凹陷沟道阵列晶体管包括有源区和栅极结构。其中，有源区设置有凹槽通道，所述有源区包括阱区和源漏区；栅极结构包括栅极和栅极绝缘层，所述栅极和所述栅极绝缘层填充于所述凹槽通道中，且...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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