用于改善IGBT模块子单元焊接破损的结构制造技术

技术编号:22906266 阅读:19 留言:0更新日期:2019-12-21 14:21
本实用新型专利技术属于IGBT模块封装制造技术领域,涉及用于改善IGBT模块子单元焊接破损的结构,包括:结构本体、设置于所述结构本体上的子单元放置区,所述结构本体的侧边设置有可移动的定位装置;通过增加可移动的定位装置的设计,在子单元焊接完成后,当拿取子单元时若出现子单元与结构本体卡紧现象,可以将定位装置外移,从而增大子单元与结构本体的间隙,进而有效地避免子单元出现破损的现象,大大提高IGBT模块的封装合格率,降低IGBT模块的封装成本。

Structure for improving the welding damage of IGBT module sub unit

【技术实现步骤摘要】
用于改善IGBT模块子单元焊接破损的结构
本技术属于IGBT模块封装制造
,涉及子单元焊接用结构,尤其涉及用于改善IGBT模块子单元焊接破损的结构。
技术介绍
IGBT模块是国际上公认的电力电子技术第三次革命的最具代表性的产品,目前广泛应用于国民经济的各领域内。子单元焊接作为IGBT模块封装制造过程中的关键工艺,其主要实现IGBT模块的电气连接及散热连接。目前,IGBT模块使用的焊接结构如图1所示,这种结构尺寸是固定不变的。子单元放置位置参见图1,在子单元焊接完成后,由于子单元漂移导致边缘出现卡紧现象,在拿取子单元时必然导致子单元破损,进而造成半成品模块报废,损失严重,直接影响了模块封装的合格率,间接增加了IGBT模块的成本。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述现有技术的缺点,提供一种用于改善IGBT模块子单元焊接破损的结构,克服焊接过程中子单元边缘出现卡紧的问题,避免拿取时造成子单元破损,可提高IGBT模块封装的合格率,降低IGBT模块的成本。本技术的目的是通过以下技术方案来解决的:这种用于改本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于改善IGBT模块子单元焊接破损的结构,其特征在于,包括:结构本体(1)、设置于所述结构本体(1)上的子单元放置区(2),所述结构本体(1)的侧边(5)设置有可移动的定位装置。/n

【技术特征摘要】
1.用于改善IGBT模块子单元焊接破损的结构,其特征在于,包括:结构本体(1)、设置于所述结构本体(1)上的子单元放置区(2),所述结构本体(1)的侧边(5)设置有可移动的定位装置。


2.根据权利要求1所述的用于改善IGBT模块子单元焊接破损的结构,其特征在于,所述结构本体(1)放置于散热底板(3)上。


3.根据权利要求1所述的用于改善IGBT模块子单元焊接破损的结构,其特征在于,所述可移动的定位装置为移动定位螺栓(4)。


4.根据权利要求3所述的用于改善IGBT模块子单元焊接破损的结构,其特征在于,所述移动定位螺栓(4)包括固定安装于结构本体(1)的侧边(5)的定位槽(6),所述定位槽(6)的一侧设有开口;所述定位槽(6)的内部设置有L型定位栓(7),所述L型定位栓(7)与定位槽(6)通过开口锁紧固定。

【专利技术属性】
技术研发人员:王晓丽于凯
申请(专利权)人:西安中车永电电气有限公司
类型:新型
国别省市:陕西;61

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