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一种用于基板后清洗的流体控制装置和流体供应设备制造方法及图纸

技术编号:22906231 阅读:49 留言:0更新日期:2019-12-21 14:21
本实用新型专利技术公开了一种用于基板后清洗的流体控制装置和流体供应设备,该设备包括流体存储容器和用于控制流体存储容器的管路通断的执行部件,以及与执行部件连接的流体控制装置。该装置包括受控于主控模块的第一控制部件和受控于安全控制模块的第二控制部件;第一控制部件与第二控制部件串联至用于控制流体存储容器的管路通断的执行部件;在主控模块工作异常时,安全控制模块控制第二控制部件动作以使执行部件断开流体存储容器的管路。

A fluid control device and a fluid supply device for the post cleaning of a substrate

【技术实现步骤摘要】
一种用于基板后清洗的流体控制装置和流体供应设备
本技术涉及化学机械抛光领域,尤其涉及一种用于基板后清洗的流体控制装置和流体供应设备。
技术介绍
化学机械抛光(ChemicalMechanicalPlanarization,CMP)是集成电路制造中获得全局平坦化的一种超精密表面加工工艺。由于化学机械抛光中大量使用的化学试剂和研磨剂会造成基板表面的污染,所以在抛光之后需要引入后处理工艺以去除基板表面的污染物,后处理工艺一般由清洗和干燥组成,以提供光滑洁净的基板表面。抛光后清洗的目的是去除基板表面颗粒和各种化学物质,并在清洗过程中避免对表面和内部结构的腐蚀和破坏,抛光后清洗有湿法和干法之分,湿法清洗就是在溶液环境下清洗,比如清洗剂浸泡、机械擦洗、湿法化学清洗等。基板经过清洗后,基板表面会留存很多水或清洗液的残留物。由于这些水或清洗液的残留物中溶有杂质,如果让这些残留液体自行蒸发干燥,这些杂质就会重新粘结到基板的表面上,造成污染,甚至破坏晶片的结构。为此,需要对基板表面进行干燥处理,以除去这些残留液体。例如专利CN1049564本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于基板后清洗的流体控制装置,其特征在于,包括受控于主控模块的第一控制部件和受控于安全控制模块的第二控制部件;所述第一控制部件与所述第二控制部件串联至用于控制流体存储容器的管路通断的执行部件;在所述主控模块工作异常时,所述安全控制模块控制所述第二控制部件动作以使所述执行部件断开所述流体存储容器的管路。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于基板后清洗的流体控制装置,其特征在于,包括受控于主控模块的第一控制部件和受控于安全控制模块的第二控制部件;所述第一控制部件与所述第二控制部件串联至用于控制流体存储容器的管路通断的执行部件;在所述主控模块工作异常时,所述安全控制模块控制所述第二控制部件动作以使所述执行部件断开所述流体存储容器的管路。


2.如权利要求1所述的流体控制装置,其特征在于,所述第一控制部件的通断状态受控于所述主控模块,所述第二控制部件的通断状态受控于所述安全控制模块。


3.如权利要求1所述的流体控制装置,其特征在于,所述第一控制部件包括第一电磁阀,所述第二控制部件包括第二电磁阀,所述执行部件包括第一气动阀;
所述第二电磁阀与所述第一电磁阀和所述第一气动阀之间通过连通管路连接。


4.如权利要求3所述的流体控制装置,其特征在于,所述第一电磁阀为常断的电磁阀,所述第二电磁阀为常通的电磁阀;
在所述主控模块工作正常时,所述第二电磁阀保持常通状态以使所述主控模块通过所述第一电磁阀控制所述第一气动阀导通或断开所述流体存储容器的管路。


5.如权利要求1所述的流体控制装置,其特征在于,所述安全控制模块包括安全控制单元和传感器单元;
所述安全控制单元分别与所述传感器单元和所述第二控制部件连接;
所述安全控制单元通过所述传感器单元检测到所述流体存储容器的状态异常时,控制所述第二控制部件动作以使所述执行部件断开所述流体存储容器的管路。


6.如权利要求5所述的流体控制装置,其特征在于,所述传感器单元包括用于检测所述流体存储容器的管路压力的压力传感器、用于检测装有所述流体存储容器的流体柜内气体浓度的气体传感器和/或用于检测所述流体柜的柜门开关状态的门锁检测器。

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【专利技术属性】
技术研发人员:郭振宇赵德文李长坤
申请(专利权)人:清华大学天津华海清科机电科技有限公司
类型:新型
国别省市:北京;11

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