一种液体分布装置与金属离子过滤器制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种金属离子过滤器，包括：过滤器本体；所述过滤器本体的上部设置有液相进口；所述过滤器本体的下部设置有液相出口；所述过滤器本体内设置有液体分布装置；所述液体分布装置位于液相进口的下方；所述液体分布装置包括液体收集板；所述液体收集板上分布有开孔；所述开孔上连接有进液管；所述进液管位于液体分布装置与液相进口之间；所述过滤器本体内设置有金属离子吸附材料；所述金属离子吸附材料位于液相分布装置与液相出口之间。与现有技术相比，本发明专利技术在金属离子吸附材料与液相进口之间设置有液体分布装置，液体进入后在液体分布装置的液体收集板上不断累积，再进液管中流出，从而可使液体均匀地通过金属离子吸附材料。

A liquid distribution device and metal ion filter

【技术实现步骤摘要】
一种液体分布装置与金属离子过滤器
本专利技术涉及超高纯正硅酸乙酯
，特别涉及一种液体分布装置与金属离子过滤器。
技术介绍
半导体集成电路产业是目前发展最为迅速的高新技术产业，越来越受到各国的重视，发展速度之快超出了人们的预料，与之相配套的超高纯电子化学品的世界年均增长率保持在8％以上，是化工行业中发展最快的领域。近年来，我国超高纯电子化学品工业发展与世界同步，发展迅猛，近几年超高纯电子化学品制造业的年均增长率超过了20％，必将成为化工行业中发展速度最快、最具活力的行业之一，也是当今兴起的高技术含量、高投入、高附加值的高新技术产业。并且，超高纯电子化学品是半导体集成电路产业重要的支撑材料之一，其质量的好坏，将直接影响半导体集成电芯片的质量。正硅酸乙酯(TEOS)作为超高纯电子化学品中重要的一种，主要用于半导体集成电路芯片制造过程中的LPCVD工艺，首先把TEOS从液态蒸发成气态，然后在700℃～750℃，50Pa压力下分解在硅片表面淀积生成二氧化硅薄膜。二氧化硅薄膜中微量金属掺杂就会改变其半导体性能，进而影响最终芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属离子过滤器，其特征在于，包括：/n过滤器本体；/n所述过滤器本体的上部设置有液相进口；/n所述过滤器本体的下部设置有液相出口；/n所述过滤器本体内设置有液体分布装置；所述液体分布装置位于液相进口的下方；所述液体分布装置包括液体收集板；所述液体收集板上分布有开孔；所述开孔上连接有进液管；所述进液管位于液体分布装置与液相进口之间；/n所述过滤器本体内设置有金属离子吸附材料；所述金属离子吸附材料位于液体分布装置与液相出口之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种金属离子过滤器，其特征在于，包括：
过滤器本体；
所述过滤器本体的上部设置有液相进口；
所述过滤器本体的下部设置有液相出口；
所述过滤器本体内设置有液体分布装置；所述液体分布装置位于液相进口的下方；所述液体分布装置包括液体收集板；所述液体收集板上分布有开孔；所述开孔上连接有进液管；所述进液管位于液体分布装置与液相进口之间；
所述过滤器本体内设置有金属离子吸附材料；所述金属离子吸附材料位于液体分布装置与液相出口之间。


2.根据权利要求1所述的金属离子过滤器，其特征在于，还包括液相接收装置；所述液相接收装置的边沿设置有小孔；所述液相接收装置位于液相进口与液体分布装置之间，且液体分布装置相对于液相接收装置设置于小孔的位置没有开孔。


3.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：金向华，孙猛，王新喜，李莉，
申请(专利权)人：苏州金宏气体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32