一种硅太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术提供一种硅太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域。该太阳能电池自下而上依次包括：背面电极、第一氮化硅层、氧化铝层、第一氧化硅层、硅基体、发射极层、第二氧化硅层、第二氮化硅层、第三氧化硅层以及正面电极。通过在电池正面氮化硅层上进一步增加氧化硅层，可以降低正面膜层的反射率，提升光的利用率，通过在背面氧化铝层与硅基体之间增加氧化硅层，有利于增强氧化铝固定负电荷的作用，增强了氧化铝的场钝化和化学钝化效果，从而提高了电池效率。

A silicon solar cell

【技术实现步骤摘要】
一种硅太阳能电池
本技术涉及太阳能电池
，具体涉及一种硅太阳能电池。
技术介绍
近年来，随着太阳能电池技术的进步以及发展的高要求，低成本、高转化效率已成为太阳能电池的必然趋势。钝化发射极背面接触(PERC)电池在常规单晶电池制备流程中增加背面钝化氧化铝和氮化硅以及激光开孔工艺，从而实现电池效率的提升。由于高的转换效率，PERC电池被广泛推广。目前常规PERC背面钝化膜层结构为3～20nm的氧化铝和100～130nm的氮化硅结构，正面采用多层氮化硅进行钝化减反膜设计，正表面反射率一般在3～5％。然而，硅片背表面与氧化铝之间存在较高的界面态密度，在一定程度上会削弱钝化膜层的钝化效果，另外，正面的多层氮化硅减反膜设计难以进一步降低反射率，从而导致难以进一步提升电池效率。
技术实现思路
本技术的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种硅太阳能电池，以解决难以进一步提升电池效率的问题。为实现上述目的，本技术采用的技术方案如下：第一方面，本技术提供了一种硅太阳能电池，该电池自下而上依次包括：背面电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅太阳能电池，其特征在于，自下而上依次包括：背面电极、第一氮化硅层、氧化铝层、第一氧化硅层、硅基体、发射极层、第二氧化硅层、第二氮化硅层、第三氧化硅层以及正面电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅太阳能电池，其特征在于，自下而上依次包括：背面电极、第一氮化硅层、氧化铝层、第一氧化硅层、硅基体、发射极层、第二氧化硅层、第二氮化硅层、第三氧化硅层以及正面电极。


2.根据权利要求1所述的硅太阳能电池，其特征在于，在所述背面电极与所述第一氮化硅层之间还设置有第四氧化硅层。


3.根据权利要求1或2所述的硅太阳能电池，其特征在于，所述第二氧化硅层的厚度在1nm至5nm的范围内，所述第二氮化硅层的厚度在40nm至70nm的范围内，并且所述第二氮化硅层的折射率在2.08至2.15的范围内。


4.根据权利要求3所...

【专利技术属性】
技术研发人员：连维飞，倪志春，魏青竹，胡党平，苗凤秀，霍亭亭，
申请(专利权)人：苏州腾晖光伏技术有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32