一种SOD-323型二极管结构制造技术

技术编号:22867458 阅读:36 留言:0更新日期:2019-12-18 05:25
本实用新型专利技术提供了一种SOD‑323型二极管结构,包括绝缘基座和绝缘封装体,所述绝缘基座和绝缘封装体之间设有阳极导电板、阴极导电板,所述阳极导电板、阴极导电板上分别焊接有第一晶片、第二晶片,所述第一晶片、第二晶片上端共同连接有键合引线,所述阳极导电板、阴极导电板下侧均设有n根导热棒,n为大于等于2的整数,n根所述导热棒下端共同连接有第一导热板,所述第一导热板位于所述绝缘基座内,所述阳极导电板两侧、以及所述阴极导电板两侧均设有第二导热板。本实用新型专利技术的一种SOD‑323型二极管结构,散热性能优异。

A diode structure of SOD-323

【技术实现步骤摘要】
一种SOD-323型二极管结构
本技术涉及二极管
,具体涉及一种SOD-323型二极管结构。
技术介绍
二极管又称晶体二极管,简称二极管。电子元件当中,一种具有两个电极的装置,只允许电流由单一方向流过,许多的使用是应用其整流的功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过称为顺向偏压,反向时阻断称为逆向偏压。因此,二极管可以想成电子版的逆止阀。在半导体硅或锗中一部分区域掺入微量的三价元素硼使之成为P型,另一部分区域掺入微量的五价元素磷使之成为N型半导体。在P型和N型半导体的交界处就形成一个PN结。一个PN结就是一个二极管,P区的引线称为阳极,N区的引线称为阴极。现有技术的SOD-323型二极管,一般使用较厚的环氧树脂包裹着芯片,全密封式的结构使得二极管的导热性能较差。
技术实现思路
针对以上问题,本技术提供一种SOD-323型二极管结构,散热性能优异。为实现上述目的,本技术通过以下技术方案来解决:一种SOD-323型二极管结构,包括绝缘基座和绝缘封装体,所述绝缘基座和绝缘封装体之间设有阳极导电板、阴极导电板,所述阳极导电板、阴极导电板上分别焊接有第一晶片、第二晶片,所述第一晶片、第二晶片上端共同连接有键合引线,所述阳极导电板、阴极导电板下侧均设有n根导热棒,n为大于等于2的整数,n根所述导热棒下端共同连接有第一导热板,所述第一导热板位于所述绝缘基座内,所述阳极导电板两侧、以及所述阴极导电板两侧均设有第二导热板。具体的,所述第二导热板上设有若干散热孔。具体的,所述阳极导电板包括与所述第一晶片焊接的第一导电部、连接在所述第一导电部一端的第一弯曲部、以及连接在所述第一弯曲部一端的第一焊接部,所述第一焊接部靠向所述第一弯曲部一端两侧还设有第一凹槽。具体的,所述第一导电部下端还连接有第三导热板,所述绝缘基座上端设有供所述第三导热板嵌入的第一让位槽。具体的,所述阴极导电板包括与所述第二晶片焊接的第二导电部、连接在所述第二导电部一端的第二弯曲部、以及连接在所述第二弯曲部一端的第二焊接部,所述第二焊接部靠向所述第二弯曲部一端两侧还设有第二凹槽。具体的,所述第二导电部下端还连接有第四导热板,所述绝缘基座上端设有供所述第四导热板嵌入的第二让位槽。具体的,所述第一晶片、第二晶片外侧均套设有绝缘固定框。具体的,所述绝缘封装体靠向所述第二导热板一侧的两端面均设有若干条形散热槽。具体的,所述第一晶片、第二晶片均为正方体结构,所述第一晶片的其中一角与所述第二晶片的其中一角相对设置。本技术的有益效果是:第一、本技术的二极管,将二极管芯片设计成两个晶片组成的结构,增大二极管芯片的散热面积,且在阳极导电板、阴极导电板的下侧、两侧都增加了散热板,使得二极管整体具有优异的散热性能;第二、在阳极导电板、阴极导电板两侧增加一个凹槽,且在阳极导电板、阴极导电板下端增加了一个散热板,使得绝缘封装体注塑成型后阳极导电板、阴极导电板能够稳定地固定在绝缘基座与绝缘封装体之间,避免两者脱落,提高稳定性。附图说明图1为本技术的一种SOD-323型二极管结构的立体结构示意图。图2为图1中A-A面的剖视图。图3为本技术的一种SOD-323型二极管结构的内部结构示意图。附图标记为:绝缘基座1、绝缘封装体2、条形散热槽21、阳极导电板3、第一导电部31、第一弯曲部32、第一焊接部33、第一凹槽301、第三导热板302、阴极导电板4、第二导电部41、第二弯曲部42、第二焊接部43、第二凹槽401、第四导热板402、第一晶片5、绝缘固定框51、第二晶片6、键合引线7、导热棒8、第一导热板9、第二导热板10、散热孔101。具体实施方式下面结合实施例和附图对本技术作进一步详细的描述,但本技术的实施方式不限于此。如图1-3所示:一种SOD-323型二极管结构,包括绝缘基座1和绝缘封装体2,绝缘基座1和绝缘封装体2之间设有阳极导电板3、阴极导电板4,阳极导电板、阴极导电板4上分别焊接有第一晶片5、第二晶片6,第一晶片5由掺入微量的三价元素硼的半导体硅构成,即P型半导体,第二晶片6由掺入微量的五价元素磷的半导体硅构成,即N型半导体,第一晶片5、第二晶片6上端共同连接有键合引线7,键合引线7为铜线,阳极导电板3、阴极导电板4下侧均设有n根导热棒8,n为大于等于2的整数,导热棒8与阳极导电板3、阴极导电板4均不接触,n根导热棒8下端共同连接有第一导热板9,第一导热板9位于绝缘基座1内,阳极导电板3两侧、以及阴极导电板4两侧均设有第二导热板10。优选地,为了进一步提高第二导热板10的散热效果,第二导热板10上设有若干散热孔101。优选地,阳极导电板3包括与第一晶片5焊接的第一导电部31、连接在第一导电部31一端的第一弯曲部32、以及连接在第一弯曲部32一端的第一焊接部33,第一焊接部33靠向第一弯曲部32一端两侧还设有第一凹槽301,第一凹槽301的存在,使得绝缘封装体2成型固化后阳极导电板3不易脱落,提高稳定性。优选地,第一导电部31下端还连接有第三导热板302,绝缘基座1上端设有供第三导热板302嵌入的第一让位槽1。优选地,阴极导电板4包括与第二晶片6焊接的第二导电部41、连接在第二导电部41一端的第二弯曲部42、以及连接在第二弯曲部42一端的第二焊接部43,第二焊接部43靠向第二弯曲部42一端两侧还设有第二凹槽401,第二凹槽401的存在,使得绝缘封装体2成型固化后阴极导电板4不易脱落,提高稳定性。优选地,第二导电部41下端还连接有第四导热板402,绝缘基座1上端设有供第四导热板402嵌入的第二让位槽。优选地,第一晶片5、第二晶片6外侧均套设有绝缘固定框51。优选地,为了进一步提高二极管的散热性能,绝缘封装体2靠向第二导热板10一侧的两端面均设有若干条形散热槽21。优选地,第一晶片5、第二晶片6均为正方体结构,第一晶片5的其中一角与第二晶片6的其中一角相对设置,该设计使得第一晶片5、第二晶片6散热效果更佳。以上实施例仅表达了本技术的1种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本技术构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本技术的保护范围。因此,本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SOD-323型二极管结构,包括绝缘基座(1)和绝缘封装体(2),其特征在于,所述绝缘基座(1)和绝缘封装体(2)之间设有阳极导电板(3)、阴极导电板(4),所述阳极导电板、阴极导电板(4)上分别焊接有第一晶片(5)、第二晶片(6),所述第一晶片(5)、第二晶片(6)上端共同连接有键合引线(7),所述阳极导电板(3)、阴极导电板(4)下侧均设有n根导热棒(8),n为大于等于2的整数,n根所述导热棒(8)下端共同连接有第一导热板(9),所述第一导热板(9)位于所述绝缘基座(1)内,所述阳极导电板(3)两侧、以及所述阴极导电板(4)两侧均设有第二导热板(10)。/n

【技术特征摘要】
1.一种SOD-323型二极管结构,包括绝缘基座(1)和绝缘封装体(2),其特征在于,所述绝缘基座(1)和绝缘封装体(2)之间设有阳极导电板(3)、阴极导电板(4),所述阳极导电板、阴极导电板(4)上分别焊接有第一晶片(5)、第二晶片(6),所述第一晶片(5)、第二晶片(6)上端共同连接有键合引线(7),所述阳极导电板(3)、阴极导电板(4)下侧均设有n根导热棒(8),n为大于等于2的整数,n根所述导热棒(8)下端共同连接有第一导热板(9),所述第一导热板(9)位于所述绝缘基座(1)内,所述阳极导电板(3)两侧、以及所述阴极导电板(4)两侧均设有第二导热板(10)。


2.根据权利要求1所述的一种SOD-323型二极管结构,其特征在于,所述第二导热板(10)上设有若干散热孔(101)。


3.根据权利要求1所述的一种SOD-323型二极管结构,其特征在于,所述阳极导电板(3)包括与所述第一晶片(5)焊接的第一导电部(31)、连接在所述第一导电部(31)一端的第一弯曲部(32)、以及连接在所述第一弯曲部(32)一端的第一焊接部(33),所述第一焊接部(33)靠向所述第一弯曲部(32)一端两侧还设有第一凹槽(301)。


4.根据权利要求3所述的一种SOD-323型二极管结构,其特征在于,所述第一导电部(31)下端还连接有第三导热...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡永红
申请(专利权)人:科广电子东莞有限公司
类型:新型
国别省市:广东;44

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