一种基于IGZO纳米颗粒的ppb级别硫化氢气体传感器及其制备方法技术

技术编号:22846942 阅读:28 留言:0更新日期:2019-12-17 22:52
本发明专利技术公开了一种基于IGZO纳米颗粒的ppb级别硫化氢气体传感器及其制备方法,传感器包括气敏涂层、陶瓷管、金属电极Ⅰ、金属电极Ⅱ、电阻丝,所述金属电极Ⅰ和金属电极Ⅱ平行环绕在所述陶瓷管两端,所述金属电极Ⅰ伸出引脚Ⅰ和引脚Ⅴ,所述金属电极Ⅱ伸出引脚Ⅱ和引脚Ⅵ,所述气敏涂层均匀涂覆在陶瓷管外表面,所述电阻丝螺旋穿过所述陶瓷管,形成引脚Ⅲ和引脚Ⅳ,所述气敏涂层由IGZO纳米颗粒制成,能够探测的硫化氢气体最低浓度较低,且响应和恢复时间较短。

Ppb level hydrogen sulfide gas sensor based on igzo nanoparticles and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种基于IGZO纳米颗粒的ppb级别硫化氢气体传感器及其制备方法
本专利技术涉及气体传感器领域,具体涉及一种基于IGZO(铟镓锌氧化物)纳米颗粒的ppb级别硫化氢气体传感器及其制备方法。
技术介绍
随着现代社会的发展,人们越来越注重健康和安全问题。硫化氢是一种有毒,易燃,无色和恶臭的气体,通常出现在煤矿、石油、天然气工厂和污水处理厂。硫化氢一旦暴露,会被肺快速吸入人体中。高浓度硫化氢的暴露对人体呼吸系统具有严重影响,并且可能会导致意识不清,伴随着神经系统后遗症甚至死亡。即使在相对较低的浓度下,如果没有及时发现也会比较危险。因此,探测硫化氢最低浓度极限和快速的响应恢复时间对于保护环境安全和人类健康非常必要。基于科研工作者先前的研究发现:铟、镓、锌氧化物分别都是对硫化氢气体传感器响应比较好的材料,但是,到目前为止,应用铟、镓、锌氧化物分别探测硫化氢最低浓度较低时,响应和恢复时间较长,相反,响应和恢复时间比较短时,探测硫化氢最低浓度较高。因此,探索研制一种探测硫化氢最低浓度极限较低,响应恢复时间较快的器件很有必要。IGZO即InGaO3(ZnO)n是含有周期性多层晶体结构的铟镓锌氧化物,被认为是“天然超晶格”;它的晶体结构是由In-O层和Ga-O/Zn-O层沿C轴方向交替排列而成,目前还没有一种以铟镓锌氧化物为工作物质的气体传感器元件,既能做到探测硫化氢最低浓度较低,且响应和恢复时间较短。
技术实现思路
为解决上述现有技术存在的问题,本专利技术的目的在于提供一种以IGZO纳米颗粒为工作物质的气体传感器元件及其制备方法,能够实现对硫化氢气体的探测浓度极限较低,而且响应时间和恢复时间较短。为达到上述目的,本专利技术的技术方案为:一种基于IGZO纳米颗粒的ppb级别硫化氢气体传感器,包括,气敏涂层(5)、陶瓷管(4)、金属电极Ⅰ(8)、金属电极Ⅱ(9)、电阻丝(6),所述金属电极Ⅰ(8)和金属电极Ⅱ(9)平行环绕在所述陶瓷管(4)两端,所述金属电极Ⅰ(8)伸出引脚Ⅰ(1)和引脚Ⅴ(10),所述金属电极Ⅱ(9)伸出引脚Ⅱ(2)和引脚Ⅵ(11),所述气敏涂层(5)均匀涂覆在陶瓷管(4)外表面,所述电阻丝(6)螺旋穿过所述陶瓷管(4),形成引脚Ⅲ(3)和引脚Ⅳ(7),所述气敏涂层(5)由IGZO纳米颗粒制成。优选的,所述电阻丝(6)由Ni-Cr材料制成,电阻值为33~37欧姆。优选的,所述IGZO纳米颗粒由如下步骤制备得到,步骤1:将硝酸铟、硝酸镓、乙酸锌按照原子比为In:Ga:Zn=1:1:1的比例溶于溶剂中;步骤2:在步骤1制备得到的溶液中加入稳定剂,进而在水浴加热磁力搅拌器中搅拌形成透明均匀的凝胶,在室温下静置陈化24h得到In-Ga-Zn-O前驱体;步骤3:制备适量浓度的ZnO纳米颗粒溶液,依次经过超声震荡、粉碎得到均匀分散的ZnO纳米颗粒溶液;步骤4:在所述步骤3得到的所述ZnO纳米颗粒溶液中加入一定量的所述步骤2制备的In-Ga-Zn-O前驱体溶液,依次再经超声震荡、粉碎得到混合溶液;步骤5:将所述步骤4得到的混合溶液烘干后退火得到所需IGZO超晶格纳米颗粒。优选的,所述步骤1的所述溶剂为乙二醇甲醚。优选的,所述步骤2的所述稳定剂为0.5mol/L的乙醇胺,所述水浴加热温度为60-70℃,搅拌时间为60-70min,转速为400-600rpm。优选的,所述步骤3的所述适量ZnO纳米颗粒溶液的制备是通过将0.1g尺寸30nm~50nm的ZnO纳米颗粒溶于5ml~7ml乙二醇甲醚中得到。优选的,所述步骤3和所述步骤4中所述的超声时间为10~15min,所述粉碎采用超声细胞粉碎机,在功率为50%~65%条件下粉碎10~15min。优选的,所述步骤5的烘干温度为100~150℃,烘干时间为30~45min,退火温度为700~900℃,退火时间为30~40min。一种基于IGZO纳米颗粒的ppb级别硫化氢气体传感器的制备方法包括以下步骤:步骤1:取0.01~0.03g所述IGZO纳米颗粒倒入研钵中轻轻研磨,研磨完毕后将粉末倒入样品瓶中;步骤2:将1~3ml无水乙醇加入到步骤1所述的样品瓶中,进行超声波震荡,使步骤1所述粉末均匀分散在所述无水乙醇中形成混合浆料;步骤3:用毛细吸管将步骤2得到的混合浆料均匀滴在所述陶瓷管(4)、金属电极Ⅰ(8)和金属电极Ⅱ(9)的外表面,形成一定厚度的气敏涂层(5);步骤4:将所述电阻丝(6)螺旋穿过烧结的所述陶瓷管(4),然后将上述器件按照通用气敏元件的要求对引脚和电极进行焊接和封装,从而得到基于IGZO纳米颗粒的ppb级别硫化氢气体传感器。优选的,上述步骤3的所述气敏涂层(5)的厚度为50微米。相对于现有技术,本专利技术的有益效果为:1、本专利技术首次提出IGZO超晶格纳米颗粒为气敏传感器的工作物质。2、本专利技术制备的IGZO气体传感器元件具有很好的选择性,对硫化氢的探测浓度极限较低为1ppb。3、本专利技术制备的IGZO气体传感器元件具有对硫化氢气体较短的响应时间和恢复时间,器件稳定性较好。附图说明图1为一种基于IGZO(铟镓锌氧化物)纳米颗粒的ppb级别硫化氢气体传感器结构示意图;图2是实施例一所制备的IGZO超晶格纳米颗粒的透射电镜图;图3是实施例二所制备的IGZO超晶格纳米颗粒的透射电镜图;图4是本专利技术中所制备的IGZO超晶格纳米颗粒为工作物质气体传感器元件在不同环境温度中对100ppm硫化氢气体的响应;图5是本专利技术中所制备的IGZO超晶格纳米颗粒为工作物质气体传感器元件在400℃下对100ppm不同气体的响应;图6是本专利技术中所制备的IGZO超晶格纳米颗粒为工作物质气体传感器元件在400℃下对不同浓度(即100ppm~1ppb)硫化氢气体的气体响应;图7是本专利技术中所制备的IGZO超晶格纳米颗粒为工作物质气体传感器元件在400℃下对100ppm硫化氢气体的响应时间和恢复时间;图8是本专利技术中所制备的IGZO超晶格纳米颗粒为工作物质气体传感器元件在400℃下对100ppm硫化氢气体的稳定性;图中各标记为:1引脚Ⅰ、2引脚Ⅱ、3引脚Ⅲ、4陶瓷管、5气敏涂层、6电阻丝、7引脚Ⅳ、8金属电极Ⅰ、9金属电极Ⅱ、10引脚Ⅴ、11引脚Ⅵ。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式对本专利技术技术方案做进一步详细描述:实施例一:如图1所示,一种基于IGZO纳米颗粒的ppb级别硫化氢气体传感器,包括,气敏涂层(5)、陶瓷管(4)、金属电极Ⅰ(8)、金属电极Ⅱ(9)、电阻丝(6),所述金属电极Ⅰ(8)和金属电极Ⅱ(9)平行环绕在所述陶瓷管(4)两端,所述金属电极Ⅰ(8)伸出引脚Ⅰ(1)和引脚Ⅴ(10),所述金属电极Ⅱ(9)伸出引脚Ⅱ(2)和引脚Ⅵ(11),所述气敏涂层(5)均匀涂覆在陶瓷管(4)外表面,所述电阻丝(6)螺旋本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于IGZO纳米颗粒的ppb级别硫化氢气体传感器,包括,气敏涂层(5)、陶瓷管(4)、金属电极Ⅰ(8)、金属电极Ⅱ(9)、电阻丝(6),其特征在于:所述金属电极Ⅰ(8)和金属电极Ⅱ(9)平行环绕在所述陶瓷管(4)两端,所述金属电极Ⅰ(8)伸出引脚Ⅰ(1)和引脚Ⅴ(10),所述金属电极Ⅱ(9)伸出引脚Ⅱ(2)和引脚Ⅵ(11),所述气敏涂层(5)均匀涂覆在陶瓷管(4)外表面,所述电阻丝(6)螺旋穿过所述陶瓷管(4),形成引脚Ⅲ(3)和引脚Ⅳ(7),所述气敏涂层(5)由IGZO纳米颗粒制成。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于IGZO纳米颗粒的ppb级别硫化氢气体传感器,包括,气敏涂层(5)、陶瓷管(4)、金属电极Ⅰ(8)、金属电极Ⅱ(9)、电阻丝(6),其特征在于:所述金属电极Ⅰ(8)和金属电极Ⅱ(9)平行环绕在所述陶瓷管(4)两端,所述金属电极Ⅰ(8)伸出引脚Ⅰ(1)和引脚Ⅴ(10),所述金属电极Ⅱ(9)伸出引脚Ⅱ(2)和引脚Ⅵ(11),所述气敏涂层(5)均匀涂覆在陶瓷管(4)外表面,所述电阻丝(6)螺旋穿过所述陶瓷管(4),形成引脚Ⅲ(3)和引脚Ⅳ(7),所述气敏涂层(5)由IGZO纳米颗粒制成。


2.根据权利要求1所述的一种基于IGZO纳米颗粒的ppb级别硫化氢气体传感器,其特征在于:所述电阻丝(6)由Ni-Cr材料制成,电阻值为33~37欧姆。


3.根据权利要求1所述的一种基于IGZO纳米颗粒的ppb级别硫化氢气体传感器,其特征在于:所述IGZO纳米颗粒由如下步骤制备得到,
步骤1:将硝酸铟、硝酸镓、乙酸锌按照原子比为In:Ga:Zn=1:1:1的比例溶于溶剂中;
步骤2:在步骤1制备得到的溶液中加入稳定剂,进而在水浴加热磁力搅拌器中搅拌形成透明均匀的凝胶,在室温下静置陈化24h~36h得到In-Ga-Zn-O前驱体;
步骤3:制备适量浓度的ZnO纳米颗粒溶液,依次经过超声震荡、粉碎得到均匀分散的ZnO纳米颗粒溶液;
步骤4:在所述步骤3得到的所述ZnO纳米颗粒溶液中加入一定量的所述步骤2制备的In-Ga-Zn-O前驱体溶液,依次再经超声震荡、粉碎得到混合溶液;
步骤5:将所述步骤4得到的混合溶液烘干后退火得到所需IGZO超晶格纳米颗粒。


4.根据权利要求3所述的一种基于IGZO纳米颗粒的ppb级别硫化氢气体传感器,其特征在于:所述步骤1的所述溶剂为乙二醇甲醚。


5.根据权利要求3所述的一种基于IGZO纳米颗粒的ppb级别硫化氢气体传感器,其特征在于:所述步骤2的所述稳定剂为0.5m...

【专利技术属性】
技术研发人员:曹宝宝张凡谭家宁李硕
申请(专利权)人:西南交通大学
类型:发明
国别省市:四川;51

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