双面电极及其图案化方法技术

一种双面电极的图案化方法，包括：提供基板，基板具有相对两表面，该两表面上分别设有第一感光层与第二感光层；设置由金属纳米线所组成的第一金属纳米线层于第一感光层上，设置由金属纳米线所组成的第二金属纳米线层于第二感光层上；以及进行双面黄光微影步骤，包括：将第一感光层及第二感光层进行曝光以定义出去除区与保留区；以及使用显影液将位于去除区的第一感光层与金属纳米线以及位于去除区的第二感光层与金属纳米线去除，以将第一金属纳米线层与第二金属纳米线层图案化而分别形成设置于该两表面上的第一电极及第二电极。更提出一种双面电极。

Double sided electrode and its patterning method

A patterning method for a double-sided electrode includes: providing a substrate, wherein the substrate has two opposite surfaces, on which a first sensitive layer and a second sensitive layer are respectively arranged; a first metal nanowire layer composed of a metal nanowire is arranged on the first sensitive layer, a second metal nanowire layer composed of a metal nanowire is arranged on the second sensitive layer; and carrying out double-sided yellow light The micrographic step includes: exposing the first and second sensitive layers to define the removal area and the reserved area; and using the developer to remove the first sensitive layer and the metal nanowire located in the removal area and the second sensitive layer and the metal nanowire located in the removal area, so as to patternize the first metal nanowire layer and the second metal nanowire layer to form the two tables respectively The first electrode and the second electrode on the surface. A double-sided electrode is proposed.

【技术实现步骤摘要】
双面电极及其图案化方法
本专利技术是关于一种双面电极及其图案化方法。
技术介绍
由于透明导体可同时具有光穿透性与适当的导电性，因而常应用于许多显示或触控相关的装置中。一般而言，透明导体可以是各种金属氧化物，例如氧化铟锡(IndiumTinOxide，ITO)、氧化铟锌(IndiumZincOxide，IZO)、氧化镉锡(CadmiumTinOxide，CTO)或掺铝氧化锌(Aluminum-dopedZincOxide，AZO)。金属氧化物薄膜可通过物理气象沉积法或化学气象沉积法而形成，并通过激光工艺而形成适当图案。然而，这些金属氧化物薄膜的制作方法可能面临高昂的成本、复杂的工艺以及低良率的问题。在部份情况下，经图案化的金属氧化物薄膜也可能有容易被观察到的问题。因此，现今发展出了多种透明导体，例如利用纳米线等材料所制作的透明导体。然而利用纳米线制作触控电极，纳米线与周边区的金属引线在工艺上及结构上都有许多待解决的问题，例如在进行双面结构图案化的工艺中，先对基板上层的纳米银表面上进行光阻涂布，再进行曝光、显影、蚀刻等步骤，完成上层电极结构的制作之后，会先将上层完成的电极结构进行保护，再依序对下层的纳米银进行光阻涂布、曝光、显影、蚀刻等步骤。而除了一般黄光微影的图案化工艺之外，也有通过激光剥离的技术来进行图案化。上述工艺在技术上都需分别对上下两层进行制作，故工艺步骤上较为繁琐，也相对费时。若以激光进行纳米线的图案化蚀刻时，如参数调控不当，激光多余的能量所形成的热效应，反而会破坏导线的边缘精度，甚至伤害到底下基板造成部分缺陷；另外，现有技术提及在纳米银层与基板之间加入阻挡层，但当工艺完成之后，阻挡层仍会残留在基板上，对于光学特性上(例如可见光穿透率或雾度等)造成影响，劣化了影像显示质量。又例如传统工艺采用的蚀刻液大多为强酸性，故会导致金属引线受到蚀刻液的作用，使产品可靠度下降；另外，蚀刻液的残留问题也需要额外的清洁过程方能克服。再一方面，利用纳米线制作触控感应电极的工艺中，通常会需要在纳米在线成形外涂层(overcoat)，以保护纳米线，但残留的外涂层夹设在焊接垫与外部电路板之间，会造成接触阻抗过高的问题。因此在利用纳米线制作触控感应电极的工艺上、电极结构上必须依照材料特性重新设计，使产品达到较佳的表现。
技术实现思路
本专利技术的部分实施方式，提出了双面电极的图案化方法，其具有高制作效率的优势。本专利技术的部分实施方式提出一种双面电极的图案化方法，包括：提供一基板，基板具有相对两表面，该两表面上分别设有第一感光层与第二感光层；设置由金属纳米线所组成的第一金属纳米线层于第一感光层上，设置由金属纳米线所组成的第二金属纳米线层于第二感光层上；以及进行双面黄光微影步骤，包括：将第一感光层及第二感光层进行曝光以定义出去除区与保留区；以及使用显影液将位于去除区的第一感光层与金属纳米线以及位于去除区的第二感光层与金属纳米线去除，以将第一金属纳米线层与第二金属纳米线层图案化而分别形成设置于该两表面上的第一电极及第二电极。于本专利技术的部分实施方式中，将该第一感光层及该第二感光层进行曝光包括：设置一第一曝光源对应该第一感光层，设置一第二曝光源对应该第二感光层，其中该第一曝光源与该第二曝光源为相同波段的曝光源；其中该第一感光层吸收大于该第一曝光源的光线总能量的约80％，该第二感光层吸收大于该第二曝光源的光线总能量的约80％。于本专利技术的部分实施方式中，将该第一感光层及该第二感光层进行曝光包括：设置一第一曝光源对应该第一感光层，设置一第二曝光源对应该第二感光层，其中该第一曝光源与该第二曝光源为相同波段的曝光源；其中该第一感光层及该第二感光层添加有0.1％～10％的光吸收添加物。于本专利技术的部分实施方式中，其中该光吸收添加物的浓度为约1％～3％，该第一曝光源的光线对该第一感光层的穿透率(lighttransmission)在30％以下，该第二曝光源的光线对该第二感光层的穿透率(lighttransmission)在30％以下。于本专利技术的部分实施方式中，其中将该第一感光层及该第二感光层进行曝光包括：设置一第一曝光源对应该第一感光层，设置一第二曝光源对应该第二感光层，其中该第一曝光源与该第二曝光源为不同波段的曝光源。于本专利技术的部分实施方式中，该第一感光层及该第二感光层为相同感光性的光阻。于本专利技术的部分实施方式中，更包括：成形一保护层；以及成形一周边线路，其中该周边线路电性连接该第一电极及该第二电极。本专利技术的部分实施方式提出一种双面电极，包含：一基板，其中该基板具有相对的一第一表面及一第二表面；及层叠设置于该第一表面上的一第一感光层及一第一金属纳米线层与层叠设置于该第二表面上的一第二感光层及一第二金属纳米线层；其中该第一感光层与该第二感光层经曝光后定义出一去除区与一保留区，位于该去除区的该第一感光层与该第一金属纳米线层被移除而定义出位于该第一表面的一第一电极，位于该去除区的该第二感光层与该第二金属纳米线层被移除而定义出位于该第二表面的一第二电极。于本专利技术的部分实施方式中，该第一感光层及该第二感光层为具有相同光波段吸收特性的光阻，该第一感光层吸收大于一第一曝光源的光线总能量的80％，该第二感光层吸收大于一第二曝光源的光线总能量的80％。于本专利技术的部分实施方式中，该光吸收添加物的浓度为约1％～3％，一第一曝光源的光线对该第一感光层的穿透率(lighttransmission)在30％以下，一第二曝光源的光线对该第二感光层的穿透率(lighttransmission)在30％以下。于本专利技术的部分实施方式中，该第一感光层及该第二感光层为具有不同光波段吸收特性的光阻。根据本专利技术的部分实施方式，位于该保留区的该第一感光层与该第一金属纳米线层具有相同的图样，位于该保留区的该第二感光层与该第二金属纳米线层具有相同的图样。根据本专利技术的部分实施方式，该第一电极包括多个沿一第一方向延伸的感应电极，该第二电极包括多个沿一第二方向延伸的感应电极，该些感应电极位于该基板的一显示区。根据本专利技术的部分实施方式，更包括设于该基板的一周边区的一周边线路，其中该周边线路电性连接该些感应电极。于本专利技术的部分实施方式中，更包括覆盖于该第一电极与该第二电极的保护层。附图说明图1为根据本专利技术的部分实施方式的双面电极的制作方法的第一步骤示意图。图2为根据本专利技术的部分实施方式的双面电极的制作方法的第二步骤示意图。图3为根据本专利技术的部分实施方式的双面电极的制作方法的第三步骤示意图。图4为根据本专利技术的部分实施方式中UV光吸收添加物的浓度对UV光(I-line)的穿透率变化曲线图。图5为根据本专利技术的部分实施方式的双面触控感应电极的制作方法的第一步骤示意图。图6为根据本专利技术的部分实施方式的双面触控感应电极的制作方法的第二步骤示意图。图6A为沿图6的线A-A的剖面示意图。图7为根据本专利技术的部分实施方式的双本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双面电极的图案化方法，其特征在于，包括：/n提供一基板，该基板具有相对两表面，该两表面上分别设有一第一感光层与一第二感光层；/n设置由金属纳米线所组成的一第一金属纳米线层于该第一感光层上，设置由金属纳米线所组成的一第二金属纳米线层于该第二感光层上；以及/n进行一双面黄光微影步骤，包括：/n将该第一感光层及该第二感光层进行曝光以定义出一去除区与一保留区；以及/n使用显影液将位于该去除区的该第一感光层与该金属纳米线以及位于该去除区的该第二感光层与该金属纳米线去除，以将该第一金属纳米线层与该第二金属纳米线层图案化而分别形成设置于该两表面上的一第一电极及一第二电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种双面电极的图案化方法，其特征在于，包括：
提供一基板，该基板具有相对两表面，该两表面上分别设有一第一感光层与一第二感光层；
设置由金属纳米线所组成的一第一金属纳米线层于该第一感光层上，设置由金属纳米线所组成的一第二金属纳米线层于该第二感光层上；以及
进行一双面黄光微影步骤，包括：
将该第一感光层及该第二感光层进行曝光以定义出一去除区与一保留区；以及
使用显影液将位于该去除区的该第一感光层与该金属纳米线以及位于该去除区的该第二感光层与该金属纳米线去除，以将该第一金属纳米线层与该第二金属纳米线层图案化而分别形成设置于该两表面上的一第一电极及一第二电极。


2.如权利要求1所述的双面电极的图案化方法，其特征在于，将该第一感光层及该第二感光层进行曝光包括：
设置一第一曝光源对应该第一感光层，设置一第二曝光源对应该第二感光层，其中该第一曝光源与该第二曝光源为相同波段的曝光源；
其中该第一感光层吸收大于该第一曝光源的光线总能量的80％，该第二感光层吸收大于该第二曝光源的光线总能量的80％。


3.如权利要求1所述的双面电极的图案化方法，其特征在于，将该第一感光层及该第二感光层进行曝光包括：
设置一第一曝光源对应该第一感光层，设置一第二曝光源对应该第二感光层，其中该第一曝光源与该第二曝光源为相同波段的曝光源；
其中该第一感光层及该第二感光层添加有0.1％～10％的光吸收添加物。


4.如权利要求3所述的双面电极的图案化方法，其特征在于，该光吸收添加物的浓度为1％～3％，该第一曝光源的光线对该第一感光层的穿透率(lighttransmission)在30％以下，该第二曝光源的光线对该第二感光层的穿透率(lighttransmission)在30％以下。


5.如权利要求1所述的双面电极的图案化方法，其特征在于，将该第一感光层及该第二感光层进行曝光包括：
设置一第一曝光源对应该第一感光层，设置一第二曝光源对应该第二感光层，其中该第一曝光源与该第二曝光源为不同波段的曝光源。


6.如权利要求1所述的双面电极的图案化方法，其特征在于，该第一感光层及该第二感光层为相同感光性的光阻。


7.如权利要求1所述的双面电极的图案化方法，其特征在于，更包括：
成形一保护层...

【专利技术属性】
技术研发人员：萧仲钦，练修成，蔡家扬，
申请(专利权)人：凯姆控股有限公司，
类型：发明
国别省市：英属维尔京群岛;VG