一种防护电路和电子设备制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种防护电路和电子设备。该防护电路包括：第一电源端和第二电源端；第一保护单元和第二保护单元，所述第一保护单元的第一端与所述第一电源端电连接，所述第一保护单元的第二端与所述第二保护单元的第一端电连接，所述第二保护单元的第二端与所述第二电源端电连接；第一容性单元，所述第一容性单元并联于所述第一保护单元的两端；第二容性单元，所述第二容性单元并联于所述第二保护单元的两端。与现有技术相比，本实用新型专利技术实施例可以同时满足宽电压范围和低残压的要求，有利于提升对后级电路的防护性能。

A protective circuit and electronic equipment

The embodiment of the utility model discloses a protective circuit and an electronic device. The protection circuit includes: a first power supply end and a second power supply end; a first protection unit and a second protection unit, wherein the first end of the first protection unit is electrically connected with the first power supply end, the second end of the first protection unit is electrically connected with the second end of the second protection unit, and the second end of the second protection unit is electrically connected with the second power supply end; the first capacitance is single Element, the first capacitive unit is parallel to both ends of the first protection unit; the second capacitive unit, the second capacitive unit is parallel to both ends of the second protection unit. Compared with the prior art, the embodiment of the utility model can meet the requirements of wide voltage range and low residual voltage at the same time, which is conducive to improving the protection performance of the subsequent circuit.

【技术实现步骤摘要】
一种防护电路和电子设备
本技术实施例涉及电子电路
，尤其涉及一种防护电路和电子设备。
技术介绍
电子设备在轨道交通、汽车电子、通讯、新能源、安防、消费电子、工业电子、医疗电子等行业得到了广泛的应用，其性能的优劣直接关系到相关设备能否安全可靠地工作。为了保证电子设备能够安全可靠地工作，多在电子设备电源端口设计防护电路，以防止雷击、浪涌过流产生的暂态过流流入后级电路，避免后级电路受到过压冲击。在现有技术中，防护电路多采用金属氧化物压敏电阻(MetalOxideVaristor，MOV)。在对MOV进行器件选型时，若后级电路的电压范围较大，需要选择耐压能力较高的MOV，以确保在正常工作电压下，MOV不误运作。然而，随着MOV耐压能力的上升，其动作时的残压也随之上升，对后级电路的保护能力下降。因此，现有的防护电路在适应宽电压范围和低残压两个性能方面存在冲突，使得现有的防护电路不能同时满足宽电压范围和低残压的要求，对后级电路的防护性能较差。
技术实现思路
本技术实施例提供一种防护电路和电子设备，以同时满足宽电压范围和低残压的要求，提升对后级电路的防护性能。第一方面，本技术实施例提供了一种防护电路，该防护电路包括：第一电源端和第二电源端；第一保护单元和第二保护单元，所述第一保护单元的第一端与所述第一电源端电连接，所述第一保护单元的第二端与所述第二保护单元的第一端电连接，所述第二保护单元的第二端与所述第二电源端电连接；第一容性单元，所述第一容性单元并联于所述第一保护单元的两端；第二容性单元，所述第二容性单元并联于所述第二保护单元的两端。可选地，所述第一容性单元包括第一电容，所述第一电容的第一端作为所述第一容性单元的第一端，所述第一电容的第二端作为所述第一容性单元的第二端；所述第二容性单元包括第二电容，所述第二电容的第一端作为所述第二容性单元的第一端，所述第二电容的第二端作为所述第二容性单元的第二端。可选地，所述第一容性单元的电容值匹配所述第一保护单元的结电容；所述第二容性单元的电容值匹配所述第二保护单元的结电容。可选地，所述第一保护单元的电容值为C11，所述第一容性单元的电容值为C12，所述第二保护单元的电容值为C21，所述第二容性单元的电容值为C22；且，C12≥5·C11，C12≥5·C21，C22≥5·C11，C22≥5·C21。可选地，所述第一保护单元包括第一限压型保护器件，所述第一限压型保护器件的第一端作为所述第一保护单元的第一端，所述第一限压型保护器件的第二端作为所述第一保护单元的第二端。可选地，所述第一限压型保护器件至少包括金属氧化物压敏电阻或瞬态抑制二极管中的一种。可选地，所述第二保护单元包括开关型保护器件，所述开关型保护器件的第一端作为所述第二保护单元的第一端，所述开关型保护器件的第二端作为所述第二保护单元的第二端。可选地，所述开关型保护器件至少包括半导体放电管或气体放电管中的一种。可选地，所述第二容性单元包括第二限压型保护器件，所述第二限压型保护器件的第一端作为所述第二容性单元的第一端，所述第二限压型保护器件的第二端作为所述第二容性单元的第二端。第二方面，本技术实施例还提供了一种电子设备，所述电子设备包括如本技术任意实施例所提供的防护电路和后级电路，所述后级电路的第一电源输入端与所述防护电路的第一电源端电连接，所述后级电路的第二电源输入端与所述防护电路的第二电源端电连接。本技术实施例设置第一保护单元的第一端与第一电源端电连接，第一保护单元的第二端与第二保护单元的第一端电连接，第二保护单元的第二端与第二电源端电连接，即第一保护单元和第二保护单元串联连接，可以使得第一保护单元和第二保护单元均作为电源电压的承压器件，电源电压在第一保护单元和第二保护单元上分压，因此，第一保护单元和第二保护单元两端的电压均低于电源电压。与现有技术相比，本技术实施例避免了保护器件单独承受电源电压，对于相同的电压等级，在器件自身不过压损坏的前提下，本技术实施例可以采用耐压等级较低的保护器件，因此保护器件在导通状态的残压较低，从而使得防护电路可以同时满足宽电压范围和低残压的要求，有利于提升防护电路对后级电路的防护性能。以及，本技术实施例设置第一容性单元与第一保护单元并联连接，第二容性单元与第二保护单元并联连接，通过调整第一容性单元和第二容性单元电容值，可以对第一保护单元和第二保护单元两端的电压进行重新分配，使得第一保护单元和第二保护单元两端的电压分配更加合理，防护电路能够承担更高的工作电压。并且，本技术实施例提供的第一容性单元和第二容性单元均为储能单元，在使用过程中发热较少，耗电量低，因此，第一容性单元和第二容性单元作为分压单元，可以使得防护电路的功耗较低。附图说明图1为本技术实施例提供的一种防护电路的结构示意图；图2为本技术实施例提供的另一种防护电路的结构示意图；图3为本技术实施例提供的又一种防护电路的结构示意图；图4为本技术实施例提供的又一种防护电路的结构示意图；图5为本技术实施例提供的又一种防护电路的结构示意图；图6为本技术实施例提供的一种电子设备的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本技术，而非对本技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本技术相关的部分而非全部结构。本技术实施例提供了一种防护电路。该防护电路可以应用于交流电源端口或直流电源端口。图1为本技术实施例提供的一种防护电路的结构示意图。参见图1，该防护电路100包括：第一电源端110、第二电源端120、第一保护单元131、第二保护单元132、第一容性单元141和第二容性单元142。第一保护单元131的第一端与第一电源端110电连接，第一保护单元131的第二端与第二保护单元132的第一端电连接，第二保护单元132的第二端与第二电源端120电连接。第一容性单元141并联于第一保护单元131的两端，第二容性单元142并联于第二保护单元132的两端。其中，第一电源端110可以与后级电路200的第一电源输入端201电连接，后级电路200的第一电源输入端201接入第一电源线(例如，交流电源的火线L，或者直流电源的正极)；第二电源端120可以与后级电路200的第二电源输入端202电连接，后级电路200的第二电源输入端202接入第二电源线(例如，交流电源的零线N，或者直流电源的负极)；即防护电路100可以与后级电路200并联连接，实现对后级电路200的雷击、浪涌过流防护。第一保护单元131和第二保护单元132是指具有雷击、浪涌防护性能的电路或者器件。具有雷击、浪涌防护性能的器件例如可以是半导体放电管(ThyristorSurgeSuppresser，TSS)、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防护电路，其特征在于，包括：第一电源端和第二电源端；/n第一保护单元和第二保护单元，所述第一保护单元的第一端与所述第一电源端电连接，所述第一保护单元的第二端与所述第二保护单元的第一端电连接，所述第二保护单元的第二端与所述第二电源端电连接；/n第一容性单元，所述第一容性单元并联于所述第一保护单元的两端；/n第二容性单元，所述第二容性单元并联于所述第二保护单元的两端。/n

【技术特征摘要】
1.一种防护电路，其特征在于，包括：第一电源端和第二电源端；
第一保护单元和第二保护单元，所述第一保护单元的第一端与所述第一电源端电连接，所述第一保护单元的第二端与所述第二保护单元的第一端电连接，所述第二保护单元的第二端与所述第二电源端电连接；
第一容性单元，所述第一容性单元并联于所述第一保护单元的两端；
第二容性单元，所述第二容性单元并联于所述第二保护单元的两端。


2.根据权利要求1所述的防护电路，其特征在于，所述第一容性单元包括第一电容，所述第一电容的第一端作为所述第一容性单元的第一端，所述第一电容的第二端作为所述第一容性单元的第二端；
所述第二容性单元包括第二电容，所述第二电容的第一端作为所述第二容性单元的第一端，所述第二电容的第二端作为所述第二容性单元的第二端。


3.根据权利要求1所述的防护电路，其特征在于，所述第一容性单元的电容值匹配所述第一保护单元的结电容；所述第二容性单元的电容值匹配所述第二保护单元的结电容。


4.根据权利要求3所述的防护电路，其特征在于，所述第一保护单元的电容值为C11，所述第一容性单元的电容值为C12，所述第二保护单元的电容值为C21，所述第二容性单元的电容值为C22；且，C12≥5·C11，C12≥5·C21，C22≥5·C11，C22≥5·C21。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜明旺，
申请(专利权)人：深圳市槟城电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44