The present application relates to an image sensor pixel. The image sensor pixel is configured to generate an image signal in response to the light, the image sensor pixel includes: a first photosensitive region, the first photosensitive region is configured to generate a charge in response to the light; a second photosensitive region, the second photosensitive region is configured to generate a charge in response to the light; and a floating diffusion region, the floating diffusion region is configured to generate a charge in response to the light The light generates a charge, wherein the floating diffusion region is coupled to the first photosensitive region and the second photosensitive region, and wherein the first photosensitive region and the second photosensitive region are symmetrical with respect to the floating diffusion region.
【技术实现步骤摘要】
图像传感器像素
本技术整体涉及图像传感器像素,并且更具体地讲,涉及包括多于一个光敏区并且能够具有高动态范围功能的成像传感器像素。
技术介绍
图像传感器常在电子设备,诸如移动电话、相机和计算机中用来捕获图像。在典型布置方式中,图像传感器包括被布置成像素行和像素列的图像像素阵列。可将电路耦接到每个像素列以从图像像素读出图像信号。典型的图像像素包含光电二极管,用于响应于入射光而生成电荷。常规成像系统可能具有带有与低动态范围相关的伪影的图像。具有较亮部分和较暗部分的场景可在常规图像传感器中产生伪影,因为低动态范围图像的各部分可能曝光过度或曝光不足。图像传感器可因此配备有高动态范围(HDR)功能,其中用图像传感器在不同曝光时间捕获多个图像。随后将这些图像组合成高动态范围图像,但这样可引入运动伪影,尤其是在具有非静态对象的动态场景中。因此,可能有利的是能够提供具有改进的图像传感器像素的成像设备。
技术实现思路
本申请提供多种图像传感器像素,具有改进的成像性能。根据第一方面,提供一种图像传感器像素,被配置成响应于光而生成图像信号,所述图像传感器像素包括:第一光敏区,所述第一光敏区被配置成响应于所述光而生成电荷;第二光敏区,所述第二光敏区被配置成响应于所述光而生成电荷;和浮动扩散区,所述浮动扩散区被配置成响应于所述光而生成电荷,其中所述浮动扩散区耦接到所述第一光敏区和所述第二光敏区,并且其中所述第一光敏区和所述第二光敏区关于所述浮动扩散区对称。根据第二方面,提供一种图像传感器像素,所述 ...
【技术保护点】
1.一种图像传感器像素,其特征在于,所述图像传感器像素被配置成响应于光而生成图像信号,所述图像传感器像素包括:/n第一光敏区,所述第一光敏区被配置成响应于所述光而生成电荷;/n第二光敏区,所述第二光敏区被配置成响应于所述光而生成电荷;和/n浮动扩散区,所述浮动扩散区被配置成响应于所述光而生成电荷,其中所述浮动扩散区耦接到所述第一光敏区和所述第二光敏区,并且其中所述第一光敏区和所述第二光敏区关于所述浮动扩散区对称。/n
【技术特征摘要】
20180108 US 15/864,1641.一种图像传感器像素,其特征在于,所述图像传感器像素被配置成响应于光而生成图像信号,所述图像传感器像素包括:
第一光敏区,所述第一光敏区被配置成响应于所述光而生成电荷;
第二光敏区,所述第二光敏区被配置成响应于所述光而生成电荷;和
浮动扩散区,所述浮动扩散区被配置成响应于所述光而生成电荷,其中所述浮动扩散区耦接到所述第一光敏区和所述第二光敏区,并且其中所述第一光敏区和所述第二光敏区关于所述浮动扩散区对称。
2.根据权利要求1所述的图像传感器像素,其中,所述图像传感器像素还包括:
具有相对的第一表面和第二表面的半导体衬底,其中所述第一光敏区和所述第二光敏区以及所述浮动扩散区从所述第一表面延伸到所述第二表面。
3.根据权利要求2所述的图像传感器像素,其中,所述图像传感器像素还包括:
覆盖所述第一光敏区、所述第二光敏区和所述浮动扩散区的微透镜。
4.根据权利要求3所述的图像传感器像素,其中,所述图像传感器像素还包括:
所述半导体衬底中的隔离结构,其中所述隔离结构插置在所述第一光敏区、所述第二光敏区和所述浮动扩散区之间,并且其中所述第一光敏区、所述第二光敏区和所述浮动扩散区未被所述隔离结构覆盖。
5.根据权利要求1所述的图像传感器像素,其中,所述图像传感器像素还包括:
耦接到所述浮动扩散区的双转换增益电容器,其中所述双转换增益电容器被配置成存储由所述浮动扩散区生成的溢出电荷。
6.根据权利要求5所述的图像传感器像素,其中,所述图像传感器像素还包括:
耦接在所...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴敏硕,
申请(专利权)人:半导体元件工业有限责任公司,
类型:新型
国别省市:美国;US
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