触控微发光二极管显示装置、操作触控微发光二极管显示装置的方法，以及制造触控微发光二极管显示装置的方法制造方法及图纸

提供了一种触控微发光二极管(微LED)显示装置。触控微LED显示装置包括：衬底基板；第一电极层，位于衬底基板上；第二电极层，以及位于第一电极层远离衬底基板的一侧上，其中，第二电极层包括多个彼此间隔开的第二电极；绝缘层，位于第二电极层的远离衬底基板的一侧上；第三电极层，以及位于绝缘层的远离衬底基板的一侧上，其中，第三电极层包括彼此间隔开的多个第三电极。触控微LED显示装置在包括图像显示模式和触控模式的时分驱动模式下操作。

Touch microled display device, method for operating touch microled display device, and method for manufacturing touch microled display device

A touch micro LED display device is provided. Touch controlled micro LED display device includes: substrate substrate; first electrode layer on substrate; second electrode layer on one side of the first electrode layer away from substrate, wherein the second electrode layer includes a plurality of second electrodes spaced apart from each other; insulating layer on the side of the second electrode layer away from substrate; third electrode layer on the other side of the insulating layer The third electrode layer comprises a plurality of third electrodes spaced apart from each other. The touch micro LED display device operates in the time division driving mode including the image display mode and the touch mode.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】触控微发光二极管显示装置、操作触控微发光二极管显示装置的方法，以及制造触控微发光二极管显示装置的方法
本专利技术涉及显示技术，更具体地说，涉及触控微发光二极管显示装置、操作触控微发光二极管显示装置的方法，以及制造触控微发光二极管显示装置的方法。
技术介绍
近年来，小型化的电光器件(包括微发光二极管(微LED))被提出和发展。基于微LED的显示面板具有高亮度、高对比度、快速响应和低功耗的优点。基于微LED的显示技术在显示领域(包括智能手机和智能手表)有着广泛的应用。
技术实现思路
一方面，本专利技术提供了一种触控微发光二极管(微LED)显示装置，包括：衬底基板；第一电极层，位于衬底基板上；第二电极层，位于第一电极层的远离衬底基板的一侧，其中，第二电极层包括彼此间隔开的多个第二电极；绝缘层，位于第二电极层的远离衬底基板的一侧上；以及第三电极层，位于绝缘层的远离衬底基板的一侧上，其中，第三电极层包括彼此间隔开的多个第三电极，其中，触控微LED显示装置在包括图像显示模式和触控模式的时分驱动模式下操作，其中，在触控模式下，多个第二电极和多个第三电极是互电容型的触摸电极，并且其中，在图像显示模式下，多个第二电极是多个微LED的阴极。可选地，触控微LED显示装置还包括：第一类型掺杂半导体层，位于第一电极层的远离衬底基板的一侧上，并且电连接到第一电极层；量子阱层，位于第一类型掺杂半导体层的远离衬底基板的一侧上；第二类型掺杂半导体层，位于量子阱层的远离衬底基板的一侧上；以及间隔部层，位于第二类型掺杂半导体层的远离衬底基板的一侧上，其中，间隔部层包括多个间隔部，其中，多个间隔部和多个第二电极交替布置，并且其中，多个第二电极中的两个相邻的第二电极被多个间隔部中的一个间隔部间隔开。可选地，多个第三电极沿第一方向布置，多个第二电极沿第二方向布置，多个间隔部沿第二方向布置，并且第二方向不同于第一方向。可选地，多个第二电极中的相应一个第二电极在衬底基板上的正投影与多个微LED中的沿第一方向的一行微LED在衬底基板上的正投影至少部分地重叠，并且多个第三电极中的相应一个第三电极在衬底基板上的正投影与多个微LED中的沿第二方向的一列微LED在衬底基板上的正投影至少部分地重叠。可选地，触控微LED显示装置还包括触摸驱动电路，其中，多个第二电极和多个第三电极电连接到触摸驱动电路，其中，在图像显示模式下，触摸驱动电路被配置为向多个第二电极提供公共电压，其中，在触控模式下，触摸驱动电路被配置为分别向多个第二电极提供触摸扫描信号，并且其中，在触控模式下，多个第三电极被配置为分别向触摸驱动电路发送触摸感测信号。可选地，触控微LED显示装置还包括像素驱动电路，用于在图像显示模式下对多个微LED中的相应一个微LED的发光进行驱动，其中，在触控模式下，像素驱动电路的信号线中的至少一条信号线被配置为发送具有与触摸扫描信号的波形对应的波形的信号。可选地，连接到像素驱动电路的复位信号线、发光控制信号线和一条或多条栅极扫描线被配置为发送具有与触摸扫描信号的波形对应的波形的信号。可选地，具有与触摸扫描信号的波形对应的波形的信号与触摸扫描信号相同。可选地，像素驱动电路包括电流调制子电路和持续时间调制子电路，其中，在图像显示模式下，电流调制子电路被配置为基于数据信号生成经过补偿的电流信号，并将经过补偿的电流信号发送到持续时间调制子电路，并且其中，持续时间调制子电路被配置为从电流调制子电路接收经过补偿的电流信号，并且基于经过补偿的电流信号的时间积分来控制从多个微LED中的相应一个微LED发射的光的灰度值。可选地，持续时间调制子电路包括：第一晶体管，具有连接到电流调制子电路的源电极、连接到多个微LED中的相应一个微LED的漏电极；第二晶体管，具有连接到数据线的源电极、连接到第一晶体管的栅电极的漏极和连接到栅线的栅电极；以及电容器，具有连接到第二晶体管的漏电极和第一晶体管的栅电极的第一电极以及被配置为被提供有公共电压的第二电极。可选地，第一电极层包括多个第一电极块，其中，第一类型掺杂半导体层包括多个第一类型掺杂半导体块，其中，量子阱层包括多个量子阱块，其中，第二类型掺杂半导体层包括多个第二类型掺杂半导体块，其中，多个微LED中的相应一个微LED包括多个第一电极块中的相应一个一电极块、多个第一类型掺杂半导体块中的相应一个第一类型掺杂半导体块、多个量子阱块中的相应一个量子阱块以及多个第二类型掺杂半导体块中的相应一个第二类型掺杂半导体块，其中，多个微LED中相应一个微LED的多个第二类型掺杂半导体块中的相应一个第二类型掺杂半导体块电连接到多个第二电极中的一个第二电极，并且其中，多个第一电极块中的相应一个第一电极块在衬底基板上的正投影与多个第二电极中的一个第二电极在衬底基板上的正投影至少部分地重叠。可选地，触控微LED显示装置还包括限定多个子像素开口的像素限定层，其中，所述多个微LED中的相应一个微LED的以下项位于所述多个子像素开口中的相应一个子像素开口中：所述多个第一电极块中的相应一个第一电极块、所述多个第一类型掺杂半导体块中的相应一个第一类型掺杂半导体块、所述多个量子阱块中的相应一个量子阱块以及所述多个第二类型掺杂半导体块中的相应一个第二类型掺杂半导体块，并且其中，所述第二电极层和所述间隔部层位于所述像素限定层的远离衬底基板的一侧上。另一方面，本专利技术提供了一种操作触控微发光二极管(微LED)显示装置的方法，其中，触控微LED显示装置包括：衬底基板；第一电极层，位于衬底基板上；以及第二电极层，位于第一电极层的远离衬底基板的一侧上，其中，第二电极层包括多个第二电极；绝缘层，位于第二电极层的远离衬底基板的一侧上；以及第三电极层，位于绝缘层的远离衬底基板的一侧上，其中，第三电极层包括多个彼此间隔开的第三电极；其中，所述方法包括：在包括图像显示模式和触控模式的时分驱动模式下操作触控微LED显示装置；使用多个第二电极和多个第三电极作为互电容型触摸电极来检测在触控模式中的触摸；在图像显示模式下，向多个第二电极提供公共电压；以及使用多个微LED显示图像，其中，多个第二电极作为多个微LED的阴极。可选地，所述方法还包括，在触控模式下，分别向多个第二电极发送触摸扫描信号；以及在触控模式下，检测从多个第三电极传输的触摸感测信号。可选地，所述方法还包括，在触控模式下，将具有与触摸扫描信号的波形对应的波形的信号发送到像素驱动电路的至少一条信号线，其中，所述像素驱动电路用于对多个微LED中的相应一个微LED的发光进行驱动。可选地，所述方法包括：在触控模式下，将具有与所述触摸扫描信号的波形对应的波形的信号发送到连接到像素驱动电路的复位信号线、发光控制信号线和一条或多条栅极扫描线。可选地，具有与触摸扫描信号的波形对应的波形的信号与触摸扫描信号相同。可选地，在图像显示模式中，所述方法包括：基于数据信号产生经过补偿的电流信号；以及基于经过补偿的电流信号的时间积分，控制从多个微LED中的相应一个微LED发射本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种触控微发光二极管(微LED)显示装置，包括：/n衬底基板；/n第一电极层，位于所述衬底基板上；/n第二电极层，位于所述第一电极层的远离所述衬底基板的一侧上，其中，所述第二电极层包括彼此间隔开的多个第二电极；/n绝缘层，位于所述第二电极层的远离所述衬底基板的一侧上；以及/n第三电极层，位于绝缘层的远离所述衬底基板的一侧上，其中，所述第三电极层包括彼此间隔开的多个第三电极，/n其中，所述触控微LED显示装置在包括图像显示模式和触控模式的时分驱动模式下操作，/n其中，在触控模式下，所述多个第二电极和所述多个第三电极是互电容型的触摸电极，并且/n其中，在图像显示模式下，所述多个第二电极是多个微LED的阴极。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种触控微发光二极管(微LED)显示装置，包括：
衬底基板；
第一电极层，位于所述衬底基板上；
第二电极层，位于所述第一电极层的远离所述衬底基板的一侧上，其中，所述第二电极层包括彼此间隔开的多个第二电极；
绝缘层，位于所述第二电极层的远离所述衬底基板的一侧上；以及
第三电极层，位于绝缘层的远离所述衬底基板的一侧上，其中，所述第三电极层包括彼此间隔开的多个第三电极，
其中，所述触控微LED显示装置在包括图像显示模式和触控模式的时分驱动模式下操作，
其中，在触控模式下，所述多个第二电极和所述多个第三电极是互电容型的触摸电极，并且
其中，在图像显示模式下，所述多个第二电极是多个微LED的阴极。


2.根据权利要求1所述的触控微LED显示装置，还包括：
第一类型掺杂半导体层，位于所述第一电极层的远离所述衬底基板的一侧上，并且电连接到所述第一电极层；
量子阱层，位于所述第一类型掺杂半导体层的远离所述衬底基板的一侧上；
第二类型掺杂半导体层，位于所述量子阱层的远离所述衬底基板的一侧上；以及
间隔部层，位于所述第二类型掺杂半导体层的远离所述衬底基板的一侧上，
其中，所述间隔部层包括多个间隔部，其中，所述多个间隔部和所述多个第二电极交替布置，并且
其中，所述多个第二电极中的两个相邻的第二电极被所述多个间隔部中的一个间隔部间隔开。


3.根据权利要求2所述的触控微LED显示装置，其中，所述多个第三电极沿第一方向布置，
其中，所述多个第二电极沿第二方向布置，
其中，所述多个间隔部沿第二方向布置，并且
其中，所述第二方向不同于所述第一方向。


4.根据权利要求3所述的触控微LED显示装置，其中，所述多个第二电极中的相应一个第二电极在所述衬底基板上的正投影与所述多个微LED中的沿所述第一方向的一行微LED在所述衬底基板上的正投影至少部分地重叠，并且
其中，所述多个第三电极中的相应一个第三电极在所述衬底基板上的正投影与所述多个微LED中的沿所述第二方向的一列微LED在所述衬底基板上的正投影至少部分地重叠。


5.根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的触控微LED显示装置，还包括触摸驱动电路，
其中，所述多个第二电极和所述多个第三电极电连接到所述触摸驱动电路，
其中，在图像显示模式下，所述触摸驱动电路被配置为向所述多个第二电极提供公共电压；
其中，在触控模式下，所述触摸驱动电路被配置为分别向所述多个第二电极提供触摸扫描信号，并且
其中，在触控模式下，所述多个第三电极被配置为分别向所述触摸驱动电路发送触摸感测信号。


6.根据权利要求5所述的触控微LED显示装置，还包括像素驱动电路，用于在图像显示模式下对多个微LED中的相应一个微LED的发光进行驱动，
其中，在触控模式下，所述像素驱动电路的信号线中的至少一条信号线被配置为发送具有与所述触摸扫描信号的波形对应的波形的信号。


7.根据权利要求6所述的触控微LED显示装置，其中，连接到所述像素驱动电路的复位信号线、发光控制信号线和一条或多条栅极扫描线被配置为发送具有与所述触摸扫描信号的波形对应的波形的信号。


8.根据权利要求6所述的触控微LED显示装置，其中，具有与所述触摸扫描信号的波形对应的波形的信号与所述触摸扫描信号相同。


9.根据权利要求6至权利要求8中任一项所述的触控微LED显示装置，其中，所述像素驱动电路包括电流调制子电路和持续时间调制子电路，
其中，在图像显示模式下，所述电流调制子电路被配置为基于数据信号生成经过补偿的电流信号，并将所述经过补偿的电流信号发送到所述持续时间调制子电路，并且
其中，所述持续时间调制子电路被配置为从所述电流调制子电路接收所述经过补偿的电流信号，并且基于所述经过补偿的电流信号的时间积分来控制从所述多个微LED中的相应一个微LED发射的光的灰度值。


10.根据权利要求9所述的触控微LED显示装置，其中，所述持续时间调制子电路包括：
第一晶体管，具有连接到所述电流调制子电路的源电极、连接到所述多个微LED中的相应一个微LED的漏电极；
第二晶体管，具有连接到数据线的源电极、连接到所述第一晶体管的栅电极的漏电极和连接到栅线的栅电极；以及
电容器，具有连接到所述第二晶体管的漏电极和所述第一晶体管的栅电极的第一电极以及被配置为被提供有公共电压的第二电极。


11.根据权利要求2至权利要求10中任一项所述的触控微LED显示装置，其中，所述第一电极层包括多个第一电极块，
其中，所述第一类型掺杂半导体层包括多个第一类型掺杂半导体块，
其中，所述量子阱层包括多个量子阱块，
其中，所述第二类型掺杂半导体层包括多个第二类型掺杂半导体块，
其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨盛际，陈小川，王辉，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11