一种高密度封装集成电路键合丝触碰风险评估方法技术

本发明专利技术公开了一种高密度封装集成电路键合丝触碰风险评估方法，包括以下步骤：S1、参数获取：采取高密度封装集成电路键合丝参数；S2、确定参数：确定需要建模的参数，保证评估的准确度；S3、键合丝仿真建模：建立触碰模拟的CAD模型和FEA模型；S4、触碰风险分析：根据建模数据变化，得到系统数据，进而进行风险分析，对S1中的键合丝进行尺寸和密度等外部参数进行测量，然后根据当前环境信息，对比资料库中的以往数据进行参数，进行比较和分析，得到该键合丝的准确和充分的数据。该高密度封装集成电路键合丝触碰风险评估方法，能够进行粗略的建模评估，减少真实实验中不必要的操作和不必要的资源的浪费，省时省力。

A touch risk assessment method for bonding wire of high density package IC

The invention discloses a touch risk assessment method of high-density package integrated circuit bonding wire, which comprises the following steps: S1. Parameter acquisition: Taking high-density package integrated circuit bonding wire parameters; S2. Determining parameters: determining the parameters to be modeled to ensure the accuracy of the assessment; S3. Simulation modeling of bonding wire: establishing CAD model and FEA model of touch simulation; S4. Touch risk Analysis: according to the change of modeling data, get the system data, then carry out risk analysis, measure the external parameters such as size and density of the bonding wire in S1, and then compare and analyze the parameters with the previous data in the database according to the current environmental information to get the accurate and sufficient data of the bonding wire. This high density packaging integrated circuit bonding wire touch risk assessment method can carry out rough modeling assessment, reduce unnecessary operation and unnecessary resource waste in real experiment, save time and effort.

【技术实现步骤摘要】
一种高密度封装集成电路键合丝触碰风险评估方法
本专利技术属于风险评估方法
，具体涉及一种高密度封装集成电路键合丝触碰风险评估方法。
技术介绍
高密度封装主要源于对设备小型化、高性能和低成本的需求，对于高密度封装集成电路，引线键合仍然是其电气互连的主要方式。高密度封装常采用的超细间距引线键合工艺，相邻键合丝的间距不断减小。同时，为了提高封装密度，器件内部常存在一些长跨距、细直径的键合丝，其稳定性相对较差。相对于常规集成电路，高密度封装集成电路在机械冲击环境条件下会产生相邻键合丝瞬时触碰的失效模式，导致器件逻辑混乱甚至短路烧毁。目前，国内针对高密度封装集成电路相邻键合丝瞬时触碰的研究较少，传统的筛选试验也无法实现相邻键合丝瞬时触碰的检测。因此针对这一现状，迫切需要设计和生产一种高密度封装集成电路键合丝触碰风险评估方法，以满足实际使用的需要。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种高密度封装集成电路键合丝触碰风险评估方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种高密度封装集成电路键合丝触碰风险评估方法，包括以下步骤：S1、参数获取：采取高密度封装集成电路键合丝参数；S2、确定参数：确定需要建模的参数，保证评估的准确度；S3、键合丝仿真建模：建立触碰模拟的CAD模型和FEA模型；S4、触碰风险分析：根据建模数据变化，得到系统数据，进而进行风险分析。优选的，对S1中的键合丝进行尺寸和密度等外部参数进行测量，然后根据当前环境信息，对比资料库中的以往数据进行参数，进行比较和分析，得到该键合丝的准确和充分的数据，得到后续使用的几何信息和材料信息。优选的，根据建模当前环境的数据，调整建模的S2中的参数，选择触碰间距的参数范围，以及模型的杂项具体数据，进而确定建模需要的各种参数。优选的，S3中的CAD模型，是利用设备内的CAD软件进行模拟触碰，CAD模型需要使用的是键合丝的几何信息和材料信息，CAD模型的准确性建立在键合丝的几何信息和材料信息准确获取的基础之上。优选的，S3中的FEA模型是结合键合丝结构、材料力学特性等信息建立的有限元模型，对分析键合丝的几何结构和力学传递特性进行描述分析。优选的，S4中的风险分析是根据触碰间距的数值的依次增加，得到CAD模型和FEA模型数据的变化，根据数据数值变化，做成X-Y轴曲线，对数据进行系统分析，得到评估分析结果。优选的，根据S4得到的数据以及X-Y轴曲线，得到评估分析结果之后，利用评估分析结果，判断键合丝触碰间距的合理范围，并且后续更换不同几何信息和材料信息数据的键合丝进行同样评估，系统分析之后，得到评估最佳范围。本专利技术的技术效果和优点：该高密度封装集成电路键合丝触碰风险评估方法，进行建模、评估，得到评估分析结果之后，利用评估分析结果，判断键合丝触碰间距的合理范围，并且后续更换不同几何信息和材料信息数据的键合丝进行同样评估，系统分析之后，得到评估最佳范围，从而减少真实实验中不必要的操作，减少不必要的资源的浪费，该高密度封装集成电路键合丝触碰风险评估方法，能够进行粗略的建模评估，减少真实实验中不必要的操作和不必要的资源的浪费，省时省力。具体实施方式下面将结合本专利技术的内容，对本
技术实现思路
中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的内容仅仅是本专利技术一部分内容，而不是全部的内容。基于本专利技术中的内容，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他内容，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术提供了一种高密度封装集成电路键合丝触碰风险评估方法，包括以下步骤：S1、参数获取：采取高密度封装集成电路键合丝参数；S2、确定参数：确定需要建模的参数，保证评估的准确度；S3、键合丝仿真建模：建立触碰模拟的CAD模型和FEA模型；S4、触碰风险分析：根据建模数据变化，得到系统数据，进而进行风险分析。具体的，对S1中的键合丝进行尺寸和密度等外部参数进行测量，然后根据当前环境信息，对比资料库中的以往数据进行参数，进行比较和分析，得到该键合丝的准确和充分的数据，得到后续使用的几何信息和材料信息。具体的，根据建模当前环境的数据，调整建模的S2中的参数，选择触碰间距的参数范围，以及模型的杂项具体数据，进而确定建模需要的各种参数。具体的，S3中的CAD模型，是利用设备内的CAD软件进行模拟触碰，CAD模型需要使用的是键合丝的几何信息和材料信息，CAD模型的准确性建立在键合丝的几何信息和材料信息准确获取的基础之上。具体的，S3中的FEA模型是结合键合丝结构、材料力学特性等信息建立的有限元模型，对分析键合丝的几何结构和力学传递特性进行描述分析。具体的，S4中的风险分析是根据触碰间距的数值的依次增加，得到CAD模型和FEA模型数据的变化，根据数据数值变化，做成X-Y轴曲线，对数据进行系统分析，得到评估分析结果。具体的，根据S4得到的数据以及X-Y轴曲线，得到评估分析结果之后，利用评估分析结果，判断键合丝触碰间距的合理范围，并且后续更换不同几何信息和材料信息数据的键合丝进行同样评估，系统分析之后，得到评估最佳范围。最后应说明的是：以上所述仅为本专利技术的优选内容而已，并不用于限制本专利技术，尽管参照前述内容对本专利技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各内容所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高密度封装集成电路键合丝触碰风险评估方法，其特征在于：包括以下步骤：/nS1、参数获取：采取高密度封装集成电路键合丝参数；/nS2、确定参数：确定需要建模的参数，保证评估的准确度；/nS3、键合丝仿真建模：建立触碰模拟的CAD模型和FEA模型；/nS4、触碰风险分析：根据建模数据变化，得到系统数据，进而进行风险分析。/n

【技术特征摘要】
1.一种高密度封装集成电路键合丝触碰风险评估方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、参数获取：采取高密度封装集成电路键合丝参数；
S2、确定参数：确定需要建模的参数，保证评估的准确度；
S3、键合丝仿真建模：建立触碰模拟的CAD模型和FEA模型；
S4、触碰风险分析：根据建模数据变化，得到系统数据，进而进行风险分析。


2.根据权利要求1所述的一种高密度封装集成电路键合丝触碰风险评估方法，其特征在于：对S1中的键合丝进行尺寸和密度等外部参数进行测量，然后根据当前环境信息，对比资料库中的以往数据进行参数，进行比较和分析，得到该键合丝的准确和充分的数据，得到后续使用的几何信息和材料信息。


3.根据权利要求1所述的一种高密度封装集成电路键合丝触碰风险评估方法，其特征在于：根据建模当前环境的数据，调整建模的S2中的参数，选择触碰间距的参数范围，以及模型的杂项具体数据，进而确定建模需要的各种参数。


4.根据权利要求1所述的一种高密度封装集成电路键合丝触碰风险评估方法，其特征在于：S...

【专利技术属性】
技术研发人员：李喜尼，
申请(专利权)人：江西众晶源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36