The invention discloses a process method for solving the problem of deformation of silicon carbide large plate sintered under normal pressure, including the steps of blank making, rubber discharging, temperature control, etc.; the advantages of the invention are: the problem of difficult forming of large plate is solved, a large number of colloids in the body of embryo are eliminated through rubber discharging treatment, the stress in the body of billet is removed, the problem of deformation crack in the body of billet during high temperature sintering is solved, and the problem is improved Product quality.
【技术实现步骤摘要】
一种解决常压烧结碳化硅大板变形问题的工艺方法
本专利技术涉及一种常压烧结碳化硅大板工艺，具体地说是一种解决常压烧结碳化硅大板变形问题的工艺方法，属于碳化硅大板常压烧结工艺领域。
技术介绍
目前市场上销售的碳化硅平板规格一般在（400x400x6）以下，当需要更大尺寸（600x600x6）的板时就需要采取“2拼1”的方式解决，影响了产品质量和生产效率。随着客户产品要求的提升，开发一种更大尺寸规格，平面度满足要求的碳化硅平板就显得十分必要。但规格尺寸过大的板在烧结中易变形，且烧结过程不易控制，长期以来没有得到好的解决。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，设计了一种解决常压烧结碳化硅大板变形问题的工艺方法，解决了大板成型难的问题，通过排胶处理排除了胚体内的大量胶质，清除了坯体内的应力，解决了坯体在高温烧结时变形裂纹等难题，提高了产品质量。本专利技术的技术方案为：一种解决常压烧结碳化硅大板变形问题的工艺方法，包括以下步骤：（1）制坯：采用干压成型的方式，将制备好的造粒料放到压力机的布料装置内送到制坯的模具内进行压制，压坯采取二次排气的压制方式，即每压制一次后排一次气；（2）排胶：将制备好的坯体装到预烧炉内升温至900℃，在升温过程中，通过引风排胶使坯体内的胶质排出，并清除了坯体在干压过程中的应力；（3）温度控制：为了解决大尺寸板在烧结过程中因反应造成的收缩裂纹变形，除坯体通过预烧排胶及清除应力外，在高温烧结过程中从升温曲线上进行调节1400℃-1750℃减慢了升温...
【技术保护点】
1.一种解决常压烧结碳化硅大板变形问题的工艺方法，其特征在于：包括以下步骤：/n（1）制坯：采用干压成型的方式，将制备好的造粒料放到压力机的布料装置内送到制坯的模具内进行压制，压坯采取二次排气的压制方式，即每压制一次后排一次气；/n（2）排胶：将制备好的坯体装到预烧炉内升温至900℃，在升温过程中，通过引风排胶使坯体内的胶质排出，并清除坯体在干压过程中的应力；/n（3）温度控制：在高温烧结过程中从升温曲线上进行调节1400℃-1750℃减慢升温速度，具体升温曲线为在正常产品的升温时间的基础上延长30％。/n
【技术特征摘要】
1.一种解决常压烧结碳化硅大板变形问题的工艺方法，其特征在于：包括以下步骤：
（1）制坯：采用干压成型的方式，将制备好的造粒料放到压力机的布料装置内送到制坯的模具内进行压制，压坯采取二次排气的压制方式，即每压制一次后排一次气；
（2）排胶：将制备好的坯体装到预烧炉内升温至900℃，在升温过程中，通过引风排胶使坯体内的胶质排出，并清除坯体在干压过程中的应力；
（3）温度控制：在高温烧...
【专利技术属性】
技术研发人员：王汝江，于海培，张怀顺，刘同文，
申请(专利权)人：山东金鸿新材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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