The utility model provides a GaN based semiconductor device structure. The GaN based semiconductor device structure includes: a GaN layer, a GaN layer including a plurality of Gan bulges arranged at intervals, and a groove between adjacent Gan bulges; an insulating layer covering the surface of the groove, and exposing the top part of the Gan bulge. The utility model covers the surface of the groove through the insulating layer, reduces the influence of the carrier on the device, realizes the electric insulation of the chip, reduces the electric shock through or the chip leakage caused by the bad insulation; through the exposed top of the Gan bulge, the electrical connection between the GaN based semiconductor device structure and the subsequent electrode layer can be realized, thus avoiding the flattening treatment of the Gan bulge, so as to further improve the GaN Reliability of basic semiconductor device structure.
【技术实现步骤摘要】
GaN基半导体器件结构
本技术属于半导体
，涉及一种GaN基半导体器件结构。
技术介绍
随着半导体行业的快速发展，第三代半导体材料主要以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料，由于具有高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及高的抗辐射能力，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，因此备受关注。作为第三代半导体材料的代表，以氮化镓(GaN)为代表的Ⅲ族氮化物，由于具有禁带宽度大，耐高温等诸多优异性能，因此具有独特的光电属性。GaN半导体器件在光显示、光存储、激光打印，白光照明以及医疗和军事等领域都具有广阔应用，其中，最引人注目的是利用GaN基发光二极管(LED)加上荧光粉合成白光，以实现白光照明的应用。然而，蓝宝石衬底和GaN材料的晶格常数存在较大的失配(16％)，导致在蓝宝石衬底上生长GaN晶体时，形成较高的位错密度(109～1012cm-2)，以至于造成载流子的泄漏和非辐射复合中心增多等不良影响，使得器件内量子效率下降，同时，也会影响
【技术保护点】
1.一种GaN基半导体器件结构，其特征在于，所述GaN基半导体器件结构包括：/nGaN层，所述GaN层包括多个间隔排布的GaN凸起，相邻的所述GaN凸起之间包括凹槽；/n绝缘层，所述绝缘层覆盖所述凹槽的表面，且显露所述GaN凸起的顶部。/n
【技术特征摘要】
1.一种GaN基半导体器件结构，其特征在于，所述GaN基半导体器件结构包括：
GaN层，所述GaN层包括多个间隔排布的GaN凸起，相邻的所述GaN凸起之间包括凹槽；
绝缘层，所述绝缘层覆盖所述凹槽的表面，且显露所述GaN凸起的顶部。
2.根据权利要求1所述的GaN基半导体器件结构，其特征在于：所述绝缘层包括氧化硅层、氮化硅层、氧化钛层、氧化铝层及绝缘胶水层中的一种或组合。
3.根据权利要求1所述的GaN基半导体器件结构，其特征在于：所述绝缘层填满所述凹槽，且所述绝缘层的上表面与所述GaN凸起的顶部齐平。
4.根据权利要求1所述的GaN基半导体器件结构，其特征在于：所述GaN凸起的横截面形貌包括矩形、正方形、三角形及梯形中的一种或组...
【专利技术属性】
技术研发人员：郝茂盛，张楠，陈朋，袁根如，
申请(专利权)人：上海芯元基半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31
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