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本实用新型提供一种GaN基半导体器件结构，GaN基半导体器件结构包括：GaN层，GaN层包括多个间隔排布的GaN凸起，相邻的GaN凸起之间包括凹槽；绝缘层，绝缘层覆盖凹槽的表面，且显露GaN凸起的顶部。本实用新型通过绝缘层覆盖凹槽的表面，减...
该专利属于上海芯元基半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海芯元基半导体科技有限公司授权不得商用。

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