The invention provides a gallium oxide semiconductor and a preparation method thereof, wherein the semiconductor comprises: a first doping layer; a second doping layer, arranged on the first doping layer, wherein the second doping layer has a lower doping concentration than the first doping layer; a current barrier layer, arranged in a part of the first depth of the second doping layer, wherein the current barrier layer comprises nitrogen ions.
【技术实现步骤摘要】
含电流阻挡层的氧化镓半导体制备方法和氧化镓半导体
本专利技术涉及半导体
,进一步涉及一种制备氧化镓电流阻挡层的方法,以及包含该电流阻挡层的氧化镓半导体。
技术介绍
现有的半导体材料主要是硅和碳化硅,但是由于材料自身特性的限制,人们已经渐渐的无法满足于现有的材料器件,亟待一种更高功率器件的出现。氧化镓是目前世界上非常火热的一种新型半导体,拥有超宽禁带(4.8eV)、大的击穿场强(8MV/cm),热稳定性和化学稳定型非常好,其禁带宽度及击穿场强仅次于金刚石,并且价格低于金刚石,在大功率和光学器件中是金刚石的优良替代材料。β-Ga2O3功率器件在与GaN和SiC相同耐压情况下,导通电阻更低、功耗更小、更耐高温、能够极大地节约上述高压器件工作时的电能损失。现有的技术问题:①氧化镓材料的P型掺杂难以实现,无法得到经典PN结结构,极大地限制了氧化镓材料器件的多样性。②复杂的Si基高压场效应晶体管结构(如Super-Junction、ReduceSurfaceField等)增加了器件的生产成本和降低了器件稳定 ...
【技术保护点】
1.一种氧化镓半导体,其中包括:/n第一掺杂层;/n第二掺杂层,设置于第一掺杂层之上,所述第二掺杂层比第一掺杂层的掺杂浓度低;/n电流阻挡层,设置于第二掺杂层的第一深度的部分区域,所述电流阻挡层包含氮离子。/n
【技术特征摘要】
1.一种氧化镓半导体,其中包括:
第一掺杂层;
第二掺杂层,设置于第一掺杂层之上,所述第二掺杂层比第一掺杂层的掺杂浓度低;
电流阻挡层,设置于第二掺杂层的第一深度的部分区域,所述电流阻挡层包含氮离子。
2.根据权利要求1所述的氧化镓半导体,其特征在于,所述电流阻挡层的厚度为0.5um-0.6um。
3.根据权利要求1所述的氧化镓半导体,其特征在于,所述第一深度位于第二掺杂层上表面以下0.15um。
4.根据权利要求1所述的氧化镓半导体,其特征在于,所述第一掺杂层的掺杂杂质为Si或Sn,掺杂浓度为1×1015cm-3-5×1016cm-3。
5.根据权利要求1所述的氧化镓半导体,其特征在于,所述第二掺杂层的掺杂杂质为Si或者Sn,掺杂浓度为1×1018cm-3及以上。
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【专利技术属性】
技术研发人员:龙世兵,熊文豪,吴枫,
申请(专利权)人:中国科学技术大学,
类型:发明
国别省市:安徽;34
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