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本发明提供一种氧化镓半导体及其制备方法，其中半导体包括：第一掺杂层；第二掺杂层，设置于第一掺杂层之上，所述第二掺杂层比第一掺杂层的掺杂浓度低；电流阻挡层，设置于第二掺杂层的第一深度的部分区域，所述电流阻挡层包含氮离子。...
该专利属于中国科学技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学技术大学授权不得商用。

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