包括平面辐射设备的基本天线制造技术

基本天线包括平面辐射设备，该平面辐射设备包括基本上平面的辐射元件和发射和/或接收电路，该发射和/或接收电路包括至少一个第一类型的放大链和至少一个第二类型的放大链，每个第一类型的放大链耦合到辐射元件的至少一个激励点的第一集合的至少一个激励点，并且第二类型的每个放大链耦合到第二集合的点的至少一个点，第一集合和第二集合的激励点是不同的，并且第一类型的放大链与第二类型的放大链不同，因此它们表现出不同的放大特性。

Basic antenna including plane radiation equipment

The basic antenna includes a plane radiation device, which includes a radiation element and a transmitting and / or receiving circuit of a substantially plane. The transmitting and / or receiving circuit includes at least one amplification chain of the first type and at least one amplification chain of the second type. Each amplification chain of the first type is coupled to at least one excitation of the first set of at least one excitation point of the radiation element Excitation point, and each amplification chain of the second type is coupled to at least one point of the point of the second set. The excitation points of the first set and the second set are different, and the amplification chain of the first type is different from the amplification chain of the second type, so they show different amplification characteristics.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括平面辐射设备的基本天线
本专利技术涉及阵列天线，并且特别是有源天线的领域。它尤其适用于雷达、电子战系统(如雷达检测器和雷达干扰器)以及通信系统或其他多功能系统。
技术介绍
所谓的阵列天线包括多个天线，这些天线可以是平面类型，也就是印刷电路类型，并且通常称为贴片天线。平面天线技术使得通过在背面上利用金属接地平面的介电层上蚀刻金属图案来产生辐射元件，来产生细长的定向天线。该技术导致非常紧凑的定向电子扫描天线，其更容易生成，并且因此比Vivaldi型天线便宜。有源天线通常包括一组基本天线，每个基本天线包括耦合到发射/接收模块(或用于“发射/接收电路”的T/R电路)的基本上平面的辐射元件。每个发射/接收电路都链接到激励点。在电子战应用中，每个发射/接收电路包括功率放大链，其放大从集中信号发生电子设备接收的激励信号并激励激励点以及低噪声放大链，其在接收模式中放大由激励点水平的辐射元件接收的低电平的接收信号，并将其发射到集中电路，集中电路将其发射到集中式采集电路。这种阵列天线具有一定的缺点。实际上，低噪声放大链表现出与功率放大链的最佳输出阻抗不同的最佳输入阻抗。通常，激励点的阻抗调整为50欧姆，因为仪器设备是针对此阻抗提供的。但是，这不是针对HPA功率放大器(参考表达“高功率放大器”)或针对LNA低噪声放大器(参考表达“低噪声放大器”)的最佳阻抗。为了减轻这个缺点，通常在功率放大链的输出端和低噪声放大链的输入端处设置阻抗变换器。该变换器导致传输效率较低，导致显著的能量损失，从而导致散热。它还导致接收中的噪声系数NF不太好，接收信号的信噪比降低。可能需要通过同一个阵列天线发射表现出不同功率的信号。例如，可以发射高功率所谓的雷达信号，其表现出窄频带扩展频带(窄带类型，即中心频率的10％至20％)和电信或雷达干扰信号，其表现出宽频率扩展频带(宽带型，其扩频带可达三个八度)和较低的功率。这些信号可以同时或以顺序方式发射。MMIC中的平面辐射设备(用于“单片微波集成电路”)技术是已知的，包括在MMIC中产生的变换器，并且使这两种类型的信号在频率和功率方面根据扩展带宽和所需功率而被放大，并在将它们注入同一激励点的天线之前将它们相加。然而，该解决方案表现出缺点。在MMIC中，具有集成在辐射元件上游的信号加法器的这种类型的变换器体积庞大并且引起显著的能量损失。为了限制集成电路的加热，冷却它是必不可少的，因此需要特定的设备并且涉及显著的能量消耗。
技术实现思路
本专利技术的目的是提出一种平面辐射设备，其能够获得其中至少一个上述缺点减少的天线。为此，本专利技术的主题是一种基本天线，包括平面辐射设备，该平面辐射设备包括基本上平面辐射元件和发射和/或接收电路，该发射和/或接收电路包括至少一个第一类型放大链和至少一个第二类型放大链，第一类型的每个放大链耦合到辐射元件的至少一个激励点的第一集合的至少一个激励点，并且第二类型的每个放大链耦合到辐射元件的激励点的第一集合的至少一个点，第一集合和激励点的第二集合是不同的，并且第一类型的放大链不同于第二类型的放大链，使得它们表现出不同的放大特性。有利地，第一集合和激励点的第二集合表现出不同的阻抗。根据本专利技术的第一实施例，天线包括发射和接收电路，所述发射和接收电路包括：-至少一个发射放大链，其能够传输用于激励辐射元件的信号，每个发射放大链耦合到所述辐射元件的至少一个激励点的第一集合的至少一个点；-至少一个接收放大链，其能够放大从辐射元件产生的信号，每个接收放大链耦合到所述辐射元件的至少一个激励点的第二集合的至少一个点。有利地，激励点以如下方式被定位并耦合到相应的放大链，使得每个放大链基本上通过其最佳阻抗加载，每个放大链上加载的阻抗是由耦合到放大链的辐射设备以及通过将辐射设备连接到放大链的每条馈线形成的链的阻抗。有利地，耦合到第一集合的一个点或两个点的至少一个发射放大链表现出输出阻抗，该输出阻抗基本上是在所述点或在第一耦合集合的两个点之间处呈现给所述发射放大链的辐射设备的阻抗的共轭；和/或耦合到第一集合的一个点或两个点的至少一个接收放大链表现出输出阻抗，该输出阻抗基本上与在所述点或在第二耦合的集合的两个点之间处在接收中呈现给所述放大链的辐射设备的阻抗的共轭。根据本专利技术的第二实施例，基本天线包括发射电路，发射电路包括：-至少一个所谓的高功率发射放大链，其能够传输旨在激励辐射元件的信号，每个高功率发射放大链耦合到辐射元件的至少一个激励点的所述第一集合的至少一个点；-至少一个第二所谓的低功率发射放大链，其功率低于第一功率放大链，其能够传输旨在激励辐射元件的信号，每个低功率发射放大链耦合到辐射元件的至少一个激励点的所述第二集合的至少一个点。有利地，激励点以如下方式被定位并耦合到每个高功率发射放大链，使得每个高功率放大链基本上由其最佳阻抗加载，每个高功率放大链上加载的阻抗是由耦合到放大链的辐射设备以及通过将辐射设备耦合到高功率发射放大链的每条馈线形成的链的阻抗。有利地，耦合到第一集合的一个点或两个点的至少一个高功率发射放大链表现出输出阻抗，该输出阻抗基本上是在所述点或在第一集合的两个点之间处呈现给所述发射放大链的辐射设备的阻抗的共轭。两个实施例可以包括以下特征中的一个或多个，单独地或根据所有技术上可能的组合：-第一集合的每个激励点的阻抗小于第二集合的每个激励点的阻抗，-辐射元件由穿过辐射元件的中心点的第一直线和垂直于第一直线并穿过中心点的第二直线限定，激励点仅分布在第一直线上和/或在第二条直线上，-辐射设备包括根据第一直线和第二直线纵向延伸的两个槽，这两个槽确保所有激励点的耦合，-从第一集合和第二集合中取出的至少一个集合包括至少一对激励点，该对激励点包括以如下方式耦合到发射和/或接收电路的两个激励点，使得差分信号旨在在辐射设备和发射电路之间流动，-从第一集合和第二集合中取出的至少一个集合包括激励点的第一四联体，辐射元件由穿过辐射元件的中心的第一直线和垂直于第一直线并且通过直线并穿过中心的第二直线限定，每个激励点的第一四联体的激励点包括由相对于所述第一直线以基本对称的方式设置的激励点组成的第一对激励点和由相对于所述第二直线以基本对称的方式设置的激励点组成的第二对激励点，-第一四联体的点的激励点位于距第一直线和距第二直线一定距离处，-每个集合包括位于第一直线和第二直线上的第一四联体的激励点，-每个集合包括第一四联体的点，每个第一四联体的点的激励点位于第三直线的一侧，该第三直线位于由辐射元件限定的平面中，穿过中心点并且是由第一和第二直线形成的角度的平分线，-该集合包括位于距第一直线和距第二直线一定距离的第二四联体的激励点，包括：-由相对于所述第一直线以基本对称的方式设置的激励点组成的第三对，所述第三对点的点相对于所述集合的第一对激励点设置在所述第二直线的另一侧上，-由相对于所述第二直线以基本对称的方式设置的激励点组成的第四对，所述第四本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基本天线，其包括平面辐射设备，所述平面辐射设备包括基本上平面的辐射元件和发射和/或接收电路，所述发射和/或接收电路包括至少一个第一类型的放大链和至少一个第二类型的放大链，每个所述第一类型的放大链耦合到所述辐射元件的至少一个激励点的第一集合的至少一个激励点，并且每个所述第二类型的放大链耦合到所述辐射元件的激励点的第二集合的至少一个点，所述第一集合的激励点和所述第二集合的激励点是不同的，并且所述第一类型的放大链与所述第二类型的放大链不同，使得它们表现出不同的放大特性。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170201 FR 17001031.一种基本天线，其包括平面辐射设备，所述平面辐射设备包括基本上平面的辐射元件和发射和/或接收电路，所述发射和/或接收电路包括至少一个第一类型的放大链和至少一个第二类型的放大链，每个所述第一类型的放大链耦合到所述辐射元件的至少一个激励点的第一集合的至少一个激励点，并且每个所述第二类型的放大链耦合到所述辐射元件的激励点的第二集合的至少一个点，所述第一集合的激励点和所述第二集合的激励点是不同的，并且所述第一类型的放大链与所述第二类型的放大链不同，使得它们表现出不同的放大特性。


2.如前述权利要求所述的基本天线，其中，所述第一集合的激励点和所述第二集合的激励点表现出不同的阻抗。


3.如前述权利要求中任一项所述的基本天线，包括发射和接收电路，所述电路包括：
-至少一个发射放大链，其能够传递旨在激励所述辐射元件的信号，每个发射放大链耦合到所述辐射元件的至少一个激励点的第一集合的至少一个点；
-至少一个接收放大链，其能够放大从所述辐射元件产生的信号，每个接收放大链耦合到所述辐射元件的至少一个激励点的第二集合的至少一个点。


4.如前述权利要求所述的基本天线，其中，所述激励点以如下的方式被定位并且耦合到相应的放大链，使得每个放大链基本上由其最佳阻抗加载，加载到每个放大链上的阻抗为由耦合到所述放大链的辐射设备和由将所述辐射设备耦合到所述放大链的每条馈线形成的链的阻抗。


5.如前述权利要求所述的基本天线，其中：
-耦合到所述第一集合的一个点或两个点的至少一个发射放大链表现出输出阻抗，所述输出阻抗基本上是在所述点处或在所述第一集合的两个点之间呈现给所述发射放大链的所述辐射设备的阻抗的共轭，
和/或
-耦合到所述第一集合的一个点或两个点的至少一个接收放大链表现出输出阻抗，所述输出阻抗基本上是在所述点处或在所述第二集合的两个点之间的接收中呈现给所述放大链的所述辐射设备的阻抗的共轭。


6.如权利要求1至2中任一项所述的基本天线，包括发射电路，所述发射电路包括：
-至少一个所谓的高功率发射放大链，其能够传递旨在激励所述辐射元件的信号，每个高功率发射放大链耦合到所述辐射元件的至少一个激励点的第一集合的至少一个点；
-至少一个第二所谓的低功率发射放大链，其功率低于所述第一功率放大链的功率，能够传递旨在激励所述辐射元件的信号，每个低功率发射放大链耦合到所述辐射元件的至少一个激励点的第二集合的至少一个点。


7.如前述权利要求所述的基本天线，其中，所述激励点以如下方式被定位并且耦合到每个高功率发射放大链，使得每个高功率放大链基本上由其最佳阻抗加载，加载在每个高功率放大链上的阻抗是由耦合到所述放大链的辐射设备，以及由将所述辐射设备耦合到所述高功率发射放大链的每个馈线形成的链的阻抗。


8.如前述权利要求所述的基本天线，其中，耦合到所述第一集合的一个点或两个点的至少一个高功率发射放大链表现出输出阻抗，所述输出阻抗基本上是在所述点处或在所述第一集合的两个点之间呈现给所述发射放大链的所述辐射设备的阻抗的共轭。


9.如前述权利要求中任一项所述的基本天线，其中，所述第一集合的每个激励点的阻抗小于所述第二集合的每个激励点的阻抗。


10.如前述权利要求中任一项所述的基本天线，其中，每个所述第一类型的放大链与所述第二类型的放大链相关联，这些放大链耦合到被设置为发射或接收在同一个方向上线性极化的相应的基本波。


11.如前述权利要求中任一项所述的基本天线，其中，所述辐射元件由穿过所述辐射元件的中心点(C)的第一直线(D1)和垂直于所述第一直线(D1)并且穿过所述中心点(C)的第二直线(D2)限定，所述激励点仅分布在所述第一直线之上和/或在所述第二直线上。


12.如前述权利要求所述的基本天线，其中，所述激励点仅分布在所述第一直...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·加雷克，A·吉奥托，G·莫尔万，
申请(专利权)人：塔莱斯公司，波尔多大学，波尔多综合理工学院，国立科学研究中心，
类型：发明
国别省市：法国;FR