半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置。霍尔元件具备：磁感受部（20），由在第一导电型的半导体基板（10）设置的第二导电型的杂质扩散层构成，在俯视下具有四个端部；以及四个电极（31）~（34），在磁感受部的表面由在四个端部的各个设置的比磁感受部高浓度的第二导电型的杂质扩散层构成，作为磁感受部的杂质扩散层离半导体基板的表面具有第一深度（D1），具有第二导电型的杂质浓度从半导体基板的表面起到比第一深度浅的第二深度（D2）为止朝向深度方向变高的第一浓度梯度（S1），具有第二导电型的杂质浓度从第二深度起到第一深度为止朝向深度方向变低的第二杂质梯度（S2），第二深度为第一深度的一半以下，第一浓度梯度比第二浓度梯度陡峭。

Semiconductor device

The invention relates to a semiconductor device. The hall element comprises: a magnetic sensing part (20), which is composed of a second conductive impurity diffusion layer arranged on the first conductive semiconductor substrate (10), which has four ends in the top view; and four electrodes (31) ~ (34), on the surface of the magnetic sensing part is composed of a second conductive impurity diffusion layer arranged on each of the four ends with a higher concentration than the magnetic sensing part The impurity diffusion layer of the magnetic sensing part has a first depth (D1) from the surface of the semiconductor substrate, the impurity concentration with the second conductive type changes from the surface of the semiconductor substrate to the first concentration gradient (S1) which is higher towards the depth direction from the second depth (D2) which is shallower than the first depth, and the impurity concentration with the second conductive type changes from the second depth to the first depth towards the depth direction The second depth is less than half of the first depth, and the first concentration gradient is steeper than the second.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及半导体装置，特别是涉及具有霍尔元件的半导体装置。
技术介绍
霍尔元件由于能够作为磁传感器进行非接触下的位置感测或角度感测，所以被用于各种用途。对于实际的霍尔元件，即使在未被施加磁场时，也产生输出电压。将在该磁场0时输出的电压称为偏移电压。偏移电压产生的原因被认为是由于由从外部向元件施加的机械的应力或在制造过程中的对准（alignment）偏差等造成的元件内部的电位分布的不均衡。在将霍尔元件用作磁传感器的情况下，需要除去这样的偏移电压。为了除去（消除）偏移电压，通常使用旋转电流法。霍尔元件能够由图3所示的等效电路表示。即，霍尔元件被表示为通过4个电阻R1、R2、R3、R4将4个端子T1、T2、T3、T4连接后的桥式电路。在这样的电路中，为了进行旋转电流法，首先，将端子T1、T2作为驱动电流供给电极，将端子T3、T4作为霍尔电压输出电极，向端子T1-T2间施加电压Vin。由此，在端子T3-T4间产生输出电压Vh+Vos。接着，将端子T3、T4作为驱动电流供给电极，将端子T1、T2作为霍尔电压本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，具有：/n第一导电型的半导体基板；以及/n霍尔元件，被设置于所述半导体基板，/n所述半导体装置的特征在于，/n所述霍尔元件具备：/n磁感受部，由在所述半导体基板设置的第二导电型的杂质扩散层构成，在俯视下具有四个端部；以及/n四个电极，在所述磁感受部的表面由在所述四个端部的各个设置的比所述磁感受部高浓度的第二导电型的杂质扩散层构成，/n作为所述磁感受部的杂质扩散层离所述半导体基板的表面具有第一深度，具有第二导电型的杂质浓度从所述半导体基板的表面起到比所述第一深度浅的第二深度为止朝向深度方向变高的第一浓度梯度，具有第二导电型的杂质浓度从所述第二深度起到所述第一深度为止朝向深度方...

【技术特征摘要】
20180516 JP 2018-0945261.一种半导体装置，具有：
第一导电型的半导体基板；以及
霍尔元件，被设置于所述半导体基板，
所述半导体装置的特征在于，
所述霍尔元件具备：
磁感受部，由在所述半导体基板设置的第二导电型的杂质扩散层构成，在俯视下具有四个端部；以及
四个电极，在所述磁感受部的表面由在所述四个端部的各个设置的比所述磁感受部高浓度的第二导电型的杂质扩散层构成，
作为所述磁感受部的杂质扩散层离所述半导体基板的表面具有第一深度，具有第二导电型的杂质浓度从所述半导体基板的表面起到比所述第一深度浅的第二深度为止朝向深度方向变高的第一浓度梯度，具有第二导电型的杂质浓度从所述第二深度起到所述第一深度为止朝向深度方向变低的第二杂质梯度，所述第二深度为所述第一深度的一半以下，所述第一浓度梯度比所述第二浓度梯度陡峭。


2.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：飞冈孝明，
申请(专利权)人：艾普凌科有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP