一种富硒哈密瓜种植方法技术

本发明专利技术公开一种富硒哈密瓜种植方法，包括以下步骤：步骤一、育种：选取籽粒饱满的哈密瓜种子，放置于培养箱中，进行育种；步骤二、育苗期：育苗期温度控制为白天28～35℃，夜间为8～10℃；步骤三、移栽：幼苗长度长至8～10cm后，取出幼苗，浸泡二级硒源溶液中30～60分钟；移栽后的幼苗间距为50～80cm；步骤四、栽种期：将二级硒源添加到肥料中；幼苗长度超过120cm后，保留幼苗末端的三个分叉，其他分叉继续剪断；步骤五、开花期：每个分支保留4～6个花蕾；步骤六、结果期：每个分支上摘除2～3个哈密瓜，其他继续保留生长。本发明专利技术具有多次提供硒源供种子、幼苗吸收，施加利于吸收的发酵有机肥料，提升哈密瓜产量，方便查看哈密瓜病虫害和收获采摘能力强的特点。

A planting method of selenium rich Hami melon

The invention discloses a planting method of selenium rich Hami melon, which comprises the following steps: Step 1, breeding: selecting Hami melon seeds with full seeds, placing them in a incubator for breeding; step 2, seedling stage: controlling the temperature of seedling stage to 28-35 \u2103 in the daytime and 8-10 \u2103 in the nighttime; step 3, transplanting: taking out the seedlings after the seedling length reaches 8-10cm, soaking the secondary selenium source for dissolving 30-60 minutes in liquid; the distance between seedlings after transplanting is 50-80cm; step 4: Planting Period: add secondary selenium source to fertilizer; keep three branches at the end of seedlings after the seedling length exceeds 120cm, and continue to cut other branches; step 5: flowering period: keep 4-6 flower buds in each branch; step 6: remove 2-3 Hami melons in each branch, and continue to cut other branches Keep growing. The invention has the advantages of repeatedly providing selenium source for seeds and seedlings to be absorbed, applying fermentative organic fertilizer favorable for absorption, improving yield of Hami melon, convenient inspection of diseases and insect pests of Hami melon and strong harvesting and picking ability.

【技术实现步骤摘要】
一种富硒哈密瓜种植方法
本专利技术涉及一种富硒哈密瓜种植方法，尤其是一种具有多次提供硒源供种子、幼苗吸收，施加利于吸收的发酵有机肥料，提升哈密瓜产量，方便查看哈密瓜病虫害和收获采摘能力强的富硒哈密瓜种植方法。
技术介绍
硒是人体必不可少的微量元素，是中国营养学会每日膳食营养平衡标准中必备的营养素，是人体内的抗氧化剂，能提高人体免疫力，具有抗癌、抗衰老、改善亚健康状态、提升男性生育能力等多种生物功能，对于人体的健康至关重要。哈密瓜味道甜美，风味独特，奇香袭人，深受大众喜爱，是大家经常食用的水果之一。在解决微量元素需求的途径中，哈密瓜微量元素的生物强化措施是最重要的途径之一。现阶段富硒哈密瓜种植中，富硒哈密瓜的种植技术相对较少，已有的富硒哈密瓜种植方法不能让肥料更好的被植物吸收，种植出的哈密瓜硒元素含量低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种具有多次提供硒源供种子、幼苗吸收，施加利于吸收的发酵有机肥料，提升哈密瓜产量，方便查看哈密瓜病虫害和收获采摘能力强的富硒哈密瓜种植方法。本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：一种富硒哈密瓜种植方法，包括以下步骤：步骤一、育种：选取籽粒饱满的哈密瓜种子，放置于培养箱中，保持温度18～25℃，湿度30～45％RH，光照50000～60000lux；每天光照10～12小时，随后遮光12～14小时；随后将哈密瓜种子，并放入培养基中浸泡7～8小时；取出哈密瓜种子，放入清水漂洗干净，得到预处理种子；所述培养基由三唑磷、乙醇、初级硒源构成，培养基的质量配比为0.5～0.8:80～100:5～10；所述初级硒源为硒蛋氨酸、亚硒酸钠、麦芽硒、蘑菇硒、酵母硒中的一种；步骤二、育苗期：向每亩土壤内添加400～600kg育苗基质，随后翻耕整地，使土壤和育苗基质混合均匀，得到种植育苗基；再将预处理种子种植在种子育苗基内，预处理种子间距为5～10cm；育苗期温度控制为白天28～35℃，夜间为8～10℃；所述育苗基质由稻草、大豆、玉米、玉米秸秆、小麦秸秆组成，稻草、大豆、玉米、玉米秸秆、小麦秸秆脱水研磨成分后，按50～80:20～30:20～30:10～15称取混合；再添加质量分数为8～10％wt的枯草胞杆菌菌剂、添加50～55％wt的清水，放置于30～33℃下发酵8～10天，得到育苗基质；步骤三、移栽：幼苗长度长至8～10cm后，取出幼苗，浸泡二级硒源溶液中30～60分钟；随后移栽至大棚内的种植基内，移栽后的幼苗间距为50～80cm；所述二级硒源溶液为亚硒酸钠水溶液，亚硒酸钠的浓度为5～10％wt；所述种植基由土壤、草木灰、秸秆、麦芽硒、蘑菇硒制成，种植基的各组分质量配比为1000:20～50:10～15:5～10:3～8；步骤四、栽种期：将二级硒源添加到肥料中，每2～3天施肥一次；肥料中的二级硒源质量比为10～15％wt；在幼苗5～10cm范围支起枝干，枝干高度130～160cm；将幼苗盘结在枝干上，幼苗高度长至60～80cm时，剪断幼苗分支；幼苗长度超过120cm后，保留幼苗末端的三个分叉，其他分叉继续剪断；步骤五、开花期：幼苗长出花蕾后，每个分支保留4～6个花蕾，其他花蕾去除；步骤六、结果期：当哈密瓜直径长度长至12～15cm时，每个分支上摘除2～3个哈密瓜，其他继续保留生长；待留在分支上的哈密瓜成熟时，再摘取。本专利技术提供了一种富硒哈密瓜种植方法，具有多次提供硒源供种子、幼苗吸收，施加利于吸收的发酵有机肥料，提升哈密瓜产量，方便查看哈密瓜病虫害和收获采摘的特点。本专利技术的有益效果：本专利技术在育种时，采用人工保温光照，避免自然天气中连续阴雨、突发性恶劣天气等造成育种过程中的损失，无法成功育种，造成无种或病种种植；在育种中，将哈密瓜种子放置于由初级硒源组成的培养基内浸泡，初级硒源为硒蛋氨酸、亚硒酸钠、麦芽硒、蘑菇硒、酵母硒中的一种，初级硒源使哈密瓜种子吸收附着足够的富硒营养液，便于成功育苗和提升幼苗内的硒含量；育苗期内，将育苗基质添加到土壤内，育苗基质由由稻草、大豆、玉米、玉米秸秆、小麦秸秆组成，稻草、大豆、玉米、玉米秸秆、小麦秸秆脱水、研磨、配比，再添加枯草胞杆菌菌剂、清水发酵，提升幼苗对有机肥料的吸收能力；移栽过程中，幼苗浸泡一次亚硒酸钠水溶液，进一步提升幼苗吸收和幼苗内存储的硒含量；栽种期、开花期、结果期中，将哈密瓜幼苗盘附在枝干上，哈密瓜秧苗上的三个分支枝丫同时长出哈密瓜，提升哈密瓜的产量，并且由于哈密瓜是架长的，哈密瓜不会受到地面上杂草、雨水等的影响，工作人员便捷查看枝干上的哈密瓜病虫害情况，并及时采取对应措施；枝干上的哈密瓜也方便工作人员采摘。具体实施方式本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：一种富硒哈密瓜种植方法，包括以下步骤：步骤一、育种：选取籽粒饱满的哈密瓜种子，放置于培养箱中，保持温度18～25℃，湿度30～45％RH，光照50000～60000lux；每天光照10～12小时，随后遮光12～14小时；随后将哈密瓜种子，并放入培养基中浸泡7～8小时；取出哈密瓜种子，放入清水漂洗干净，得到预处理种子；所述培养基由三唑磷、乙醇、初级硒源构成，培养基的质量配比为0.5～0.8:80～100:5～10；所述初级硒源为硒蛋氨酸、亚硒酸钠、麦芽硒、蘑菇硒、酵母硒中的一种；步骤二、育苗期：向每亩土壤内添加400～600kg育苗基质，随后翻耕整地，使土壤和育苗基质混合均匀，得到种植育苗基；再将预处理种子种植在种子育苗基内，预处理种子间距为5～10cm；育苗期温度控制为白天28～35℃，夜间为8～10℃；所述育苗基质由稻草、大豆、玉米、玉米秸秆、小麦秸秆组成，稻草、大豆、玉米、玉米秸秆、小麦秸秆脱水研磨成分后，按50～80:20～30:20～30:10～15称取混合；再添加质量分数为8～10％wt的枯草胞杆菌菌剂、添加50～55％wt的清水，放置于30～33℃下发酵8～10天，得到育苗基质；步骤三、移栽：幼苗长度长至8～10cm后，取出幼苗，浸泡二级硒源溶液中30～60分钟；随后移栽至大棚内的种植基内，移栽后的幼苗间距为50～80cm；所述二级硒源溶液为亚硒酸钠水溶液，亚硒酸钠的浓度为5～10％wt；所述种植基由土壤、草木灰、秸秆、麦芽硒、蘑菇硒制成，种植基的各组分质量配比为1000:20～50:10～15:5～10:3～8；步骤四、栽种期：将二级硒源添加到肥料中，每2～3天施肥一次；肥料中的二级硒源质量比为10～15％wt；在幼苗5～10cm范围支起枝干，枝干高度130～160cm；将幼苗盘结在枝干上，幼苗高度长至60～80cm时，剪断幼苗分支；幼苗长度超过120cm后，保留幼苗末端的三个分叉，其他分叉继续剪断；步骤五、开花期：幼苗长出花蕾后，每个分支保留4～6个花蕾，其他花蕾去除；步骤六、结果期：当哈密瓜直径长度长至12～15cm时，每个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种富硒哈密瓜种植方法，其特征在于，包括以下步骤；/n步骤一、育种：选取籽粒饱满的哈密瓜种子，放置于培养箱中，保持温度18～25℃，湿度30～45％RH，光照50000～60000lux；每天光照10～12小时，随后遮光12～14小时；/n随后将哈密瓜种子，并放入培养基中浸泡7～8小时；取出哈密瓜种子，放入清水漂洗干净，得到预处理种子；/n所述培养基由三唑磷、乙醇、初级硒源构成，培养基的质量配比为0.5～0.8:80～100:5～10；/n所述初级硒源为硒蛋氨酸、亚硒酸钠、麦芽硒、蘑菇硒、酵母硒中的一种；/n步骤二、育苗期：向每亩土壤内添加400～600kg育苗基质，随后翻耕整地，使土壤和育苗基质混合均匀，得到种植育苗基；再将预处理种子种植在种子育苗基内，预处理种子间距为5～10cm；育苗期温度控制为白天28～35℃，夜间为8～10℃；/n所述育苗基质由稻草、大豆、玉米、玉米秸秆、小麦秸秆组成，稻草、大豆、玉米、玉米秸秆、小麦秸秆脱水研磨成分后，按50～80:20～30:20～30:10～15称取混合；再添加质量分数为8～10％wt的枯草胞杆菌菌剂、添加50～55％wt的清水，放置于30～33℃下发酵8～10天，得到育苗基质；/n步骤三、移栽：幼苗长度长至8～10cm后，取出幼苗，浸泡二级硒源溶液中30～60分钟；随后移栽至大棚内的种植基内，移栽后的幼苗间距为50～80cm；/n所述二级硒源溶液为亚硒酸钠水溶液，亚硒酸钠的浓度为5～10％wt；/n所述种植基由土壤、草木灰、秸秆、麦芽硒、蘑菇硒制成，种植基的各组分质量配比为1000:20～50:10～15:5～10:3～8；/n步骤四、栽种期：将二级硒源添加到肥料中，每2～3天施肥一次；肥料中的二级硒源质量比为10～15％wt；在幼苗5～10cm范围支起枝干，枝干高度130～160cm；将幼苗盘结在枝干上，幼苗高度长至60～80cm时，剪断幼苗分支；幼苗长度超过120cm后，保留幼苗末端的三个分叉，其他分叉继续剪断；/n步骤五、开花期：幼苗长出花蕾后，每个分支保留4～6个花蕾，其他花蕾去除；/n步骤六、结果期：当哈密瓜直径长度长至12～15cm时，每个分支上摘除2～3个哈密瓜，其他继续保留生长；待留在分支上的哈密瓜成熟时，再摘取。/n...

【技术特征摘要】
1.一种富硒哈密瓜种植方法，其特征在于，包括以下步骤；
步骤一、育种：选取籽粒饱满的哈密瓜种子，放置于培养箱中，保持温度18～25℃，湿度30～45％RH，光照50000～60000lux；每天光照10～12小时，随后遮光12～14小时；
随后将哈密瓜种子，并放入培养基中浸泡7～8小时；取出哈密瓜种子，放入清水漂洗干净，得到预处理种子；
所述培养基由三唑磷、乙醇、初级硒源构成，培养基的质量配比为0.5～0.8:80～100:5～10；
所述初级硒源为硒蛋氨酸、亚硒酸钠、麦芽硒、蘑菇硒、酵母硒中的一种；
步骤二、育苗期：向每亩土壤内添加400～600kg育苗基质，随后翻耕整地，使土壤和育苗基质混合均匀，得到种植育苗基；再将预处理种子种植在种子育苗基内，预处理种子间距为5～10cm；育苗期温度控制为白天28～35℃，夜间为8～10℃；
所述育苗基质由稻草、大豆、玉米、玉米秸秆、小麦秸秆组成，稻草、大豆、玉米、玉米秸秆、小麦秸秆脱水研磨成分后，按50～80:20～30:20～30:10～15称取混合；再添加质量分数为8～10％wt的枯草胞...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭汉涛，
申请(专利权)人：淮南蔬心园商贸有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34