A semiconductor device includes: a substrate having a first area and a second area; a gate electrode, which is stacked in a first direction perpendicular to the substrate in the first area, and extends different lengths in a second direction perpendicular to the first direction in the second area; a first separation area, which passes through the gate electrode in the first area and the second area, extends in a second direction, and is perpendicular to the second area The first direction and the second direction are separated from each other in the third direction; the second separation area, which is located between the first separation area, passes through the gate electrode and extends in the second direction, some parts of the second separation area are separated from each other in the second direction in the second area; and the insulation area, which extends in the third direction to separate at least one of the gate electrodes into neighbors in the second direction The near part.
【技术实现步骤摘要】
半导体装置相关申请的交叉引用于2018年5月9日在韩国知识产权局提交的标题为“半导体装置”的韩国专利申请No.10-2018-0052966全文以引用方式整体并入本文中。
本公开涉及一种半导体装置。
技术介绍
半导体装置需要处理大量数据，而其体积正在逐渐减少。因此，有必要提高构成半导体装置的半导体元件的集成度。因此，作为提高半导体装置集成度的一种方法，提出了一种具有垂直晶体管结构而不是传统的平面晶体管结构的半导体装置。
技术实现思路
根据本公开的一方面，一种半导体装置包括：具有第一区和第二区的衬底；栅电极，其堆叠以在第一区中在垂直于衬底的上表面的第一方向上彼此隔开，栅电极在第二区中在垂直于第一方向的第二方向上延伸不同的长度；第一分离区，其排列在第一区和第二区中，以穿过栅电极，以在第二方向上延伸，并且在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上彼此隔开；第二分离区，其排列在第一分离区之间，以穿过栅电极和在第二方向上延伸，第二分离区的一些部分在第二区中在第二方向上彼此隔开；以及绝缘区，其在第三方向上...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n具有第一区和第二区的衬底；/n栅电极，其堆叠以在所述第一区中在垂直于所述衬底的上表面的第一方向上彼此隔开，所述栅电极在所述第二区中在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸不同的长度；/n第一分离区，其排列在所述第一区和所述第二区中，以穿过所述栅电极，以在所述第二方向上延伸，并且在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上彼此隔开；/n第二分离区，其排列在所述第一分离区之间，以穿过所述栅电极和在所述第二方向上延伸，所述第二分离区的一些部分在所述第二区中在所述第二方向上彼此隔开；以及/n绝缘区，其在所述第三方向上延伸，以将所述栅电极中的至少一个分离为...
【技术特征摘要】
20180509 KR 10-2018-00529661.一种半导体装置，包括：
具有第一区和第二区的衬底；
栅电极，其堆叠以在所述第一区中在垂直于所述衬底的上表面的第一方向上彼此隔开，所述栅电极在所述第二区中在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸不同的长度；
第一分离区，其排列在所述第一区和所述第二区中，以穿过所述栅电极，以在所述第二方向上延伸，并且在垂直于所述第一方向和所述第二方向的第三方向上彼此隔开；
第二分离区，其排列在所述第一分离区之间，以穿过所述栅电极和在所述第二方向上延伸，所述第二分离区的一些部分在所述第二区中在所述第二方向上彼此隔开；以及
绝缘区，其在所述第三方向上延伸，以将所述栅电极中的至少一个分离为在所述第二方向上彼此邻近的两部分。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二分离区排列为在所述第二方向上彼此隔开，同时栅极连接区介于所述第二分离区之间，并且所述绝缘区与所述栅极连接区间隔开。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述绝缘区在所述第二区中，并且在所述第一区与所述栅极连接区中的最靠近所述第一区的栅极连接区之间。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅电极中的最下面的栅电极在所述第二方向上通过所述绝缘区分离，并且在所述第三方向上通过所述第二分离区中的一个第二分离区分离。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘区包括在所述第三方向上按照直线排列的多个绝缘区。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘区包括在所述第三方向上按照z字形图案排列的多个绝缘区。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘区的在所述第三方向上的侧表面与所述第一分离区和所述第二分离区中的至少一个接触。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二分离区在一对所述第一分离区之间在所述第三方向上彼此隔开以排列在多个行中。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二分离区包括：
第二中心分离区，其按照单一形式排列在所述第一区中，并且在所述第二区中排列为在直线上彼此隔开，以及
第二辅助分离区，其仅排列在所述第二区中，所述绝缘区在从所述第一区延伸的所述第一分离区与所述第二中心分离区之间。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅电极的下栅电极在所述第二方向上延伸得比所述栅电极的上栅电极更长，以提供接触区，并且所述半导体装置还包括连接至所述接触区中的所述栅电极的接触插塞。
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。