The invention provides a laser annealing device, a laser annealing method and a mask which can reduce the uneven display on the mask connection boundary. The laser annealing device is provided with a mask, on the mask, a plurality of opening blocks are arranged in the row direction orthogonal to the scanning direction, and the opening blocks contain a plurality of opening parts arranged in the column direction parallel to the scanning direction. Whenever at least one of the mask and the substrate is moved to a specified position orthogonal to the scanning direction, the laser irradiation processing is carried out, that is to say The process of moving at least one of the mask and the substrate in a direction parallel to the scanning direction and laser irradiating a plurality of specified areas of the substrate through a plurality of opening parts. In at least one group consisting of two adjacent opening blocks, the position of the opening part of the first opening block as one opening block and the second opening area as another opening block The position of the opening part of the block is staggered in the direction parallel to the scanning direction.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】激光退火装置、激光退火方法和掩模
本专利技术涉及激光退火装置、激光退火方法和掩模。
技术介绍
TFT(ThinFilmTransistor:薄膜晶体管)方式的液晶显示器中,TFT基板与具有R(红)、G(绿)、B(蓝)颜色的彩色滤光片基板隔着一定间隙粘贴,在TFT基板与彩色滤光片基板之间注入液晶,并在每个像素上控制液晶分子对光的透射率,从而能够显示影像。在TFT基板上,数据线和扫描线配置成横竖方向的格子状,在数据线与扫描线交叉的位置形成像素。像素由TFT、像素电极、对置电极以及在像素电极与对置电极之间的液晶层构成。还有,在由若干个像素构成的显示区域的周围,形成由TFT构成的驱动电路,驱动电路驱动数据线和扫描线。例如,目前在开发的TFT有使用硅半导体的非晶硅(非晶态、a-Si)TFT、以多晶硅(多晶态、p-Si)作为半导体层的低温多晶硅TFT等。a-SiTFT中,电阻高,漏电流(泄漏电流)小。还有,p-SiTFT与a-SiTFT相比,电子迁移率特别大。通过将激光照射到非晶硅层进行退火处理,能够形成多晶硅层。例如,有一种激光退火装置,利用透镜组使激光源射出的激光形成平行光束,再通过形成有开口部的掩模和微透镜阵列将形成的平行光束照射到基板上。这样的激光退火装置中,在掩模上沿着扫描方向以及与扫描方向正交的方向配置了排列成矩阵状的若干个开口部,每次使掩模或者基板在扫描方向上移动像素的间距后进行激光照射,由此能够使1个循环的扫描中对基板的所需位置(照射区域)照射激光的次数等于在扫描方向上排列的开口部的数量。 ...
【技术保护点】
1.一种激光退火装置,具备掩模,在所述掩模上,在正交于扫描方向的行方向上排列了若干个开口区块,所述开口区块含有在平行于所述扫描方向的列方向上排列的若干个开口部,每当使所述掩模和基板中的至少一者移动到正交于所述扫描方向的方向上的规定位置后,进行激光照射处理,所述激光照射处理是指使所述掩模和所述基板中的至少一者沿着平行于所述扫描方向的方向进行移动并通过所述若干个开口部对所述基板的若干个规定区域进行激光照射的处理,所述激光退火装置的特征在于,/n至少一组由相邻的两个开口区块构成的组中,作为其中一个开口区块的第一开口区块的开口部的位置与作为其中另一个开口区块的第二开口区块的开口部的位置在平行于所述扫描方向的方向上是错开的。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种激光退火装置,具备掩模,在所述掩模上,在正交于扫描方向的行方向上排列了若干个开口区块,所述开口区块含有在平行于所述扫描方向的列方向上排列的若干个开口部,每当使所述掩模和基板中的至少一者移动到正交于所述扫描方向的方向上的规定位置后,进行激光照射处理,所述激光照射处理是指使所述掩模和所述基板中的至少一者沿着平行于所述扫描方向的方向进行移动并通过所述若干个开口部对所述基板的若干个规定区域进行激光照射的处理,所述激光退火装置的特征在于,
至少一组由相邻的两个开口区块构成的组中,作为其中一个开口区块的第一开口区块的开口部的位置与作为其中另一个开口区块的第二开口区块的开口部的位置在平行于所述扫描方向的方向上是错开的。
2.根据权利要求1所述的激光退火装置,其特征在于,
相对于所述第一开口区块上沿着所述列方向排列的若干个开口部中从一端侧开始的至少第N个开口部的位置,所述第二开口区块上沿着所述列方向排列的若干个开口部中从所述一端侧开始的第N个开口部的位置在平行于所述扫描方向的方向上错开了规定距离,其中,N是从1到所述开口区块所含开口部的总数的整数。
3.根据权利要求2所述的激光退火装置,其特征在于,
相对于所述第一开口区块的所述第N个开口部的位置,所述第二开口区块的所述第N个开口部的位置在所述扫描方向上是错开的,
相对于所述第二开口区块的所述第N个开口部的位置,与所述第二开口区块相邻但不是所述第一开口部组的第三开口区块上,沿着所述列方向排列的若干个开口部中从所述一端侧开始的第N个开口部的位置在所述扫描方向的反方向上是错开的。
4.根据权利要求2所述的激光退火装置,其特征在于,
所述第一开口区块和所述第二开口区块的组在所述行方向上配置了若干个。
5.根据权利要求4所述的激光退火装置,其特征在于,
所述第一开口区块和所述第二开口区块的相邻两组中,相对于第一组中所述行方向的一侧的所述第一开口区块的所述第N个开口部的位置,所述第一组中所述行方向的另一侧的所述第二开口区块的所述第N个开口部的位置在所述扫描方向上是错开的,
相对于第二组中所述行方向的一侧的所述第一开口区块的所述第N个开口部的位置,...
【专利技术属性】
技术研发人员:中川英俊,
申请(专利权)人:堺显示器制品株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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