与光刻机联动的缺陷检测方法技术

本发明专利技术公开了一种与光刻机联动的缺陷检测方法，晶圆在光刻机涂膜之后的曝光过程中，对硅片的表面高度进行扫描，生成表面高度三维立体图的文件，对实测数据进行大数据分析得到每一片硅片的风险等级，将高风险硅片ID(身份标识号)加入到良率提升部门的抽样中。本发明专利技术能够提前预判硅片的优劣情况，优化良率提升部门的抽样。

Defect detection method linked with photolithography machine

The invention discloses a defect detection method linked with the photolithography machine. In the exposure process after the coating of the photolithography machine, the wafer scans the surface height of the silicon wafer, generates a file of three-dimensional surface height, analyzes the measured data with big data to get the risk level of each silicon wafer, and adds the high-risk silicon wafer ID (identification number) to the sampling of the yield improvement department Medium. The invention can predict the advantages and disadvantages of the silicon chip in advance, and optimize the sampling of the yield promotion department.

【技术实现步骤摘要】
与光刻机联动的缺陷检测方法
本专利技术涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种良率提升部门抽样与光刻机联动的缺陷检测方法。
技术介绍
在芯片制造领域，良率的高低意味着先进制程的成熟度，通过各类工艺的不断改进，使得良率得到控制。通常意义上，良率提升部门需要对硅片进行抽样检测，不能对所有的产品片进行缺陷检测。考虑到工艺查询时间等原因，有些环路不进行开站检测，以至于不能对芯片整体的状况进行统计，只能利用一定的数学关系利用部分硅片情况推导整体状况，这就具有一定的随机性和不确定性。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种与光刻机联动的缺陷检测方法，能够提前预判硅片的优劣情况，优化良率提升部门的抽样。为解决上述技术问题，本专利技术的与光刻机联动的缺陷检测方法是采用如下技术方案实现的：晶圆在光刻机涂膜之后的曝光过程中，对硅片的表面高度进行扫描，生成表面高度三维立体图的文件，对实测数据进行大数据分析得到每一片硅片的风险等级，将高风险硅片ID(身份标识号)加入到良率提升部门的抽样中。良率提升部门需要对硅片进行抽样，不能对所有的产品片进行缺陷检测，只能利用一定的数学关系利用部分硅片情况推导整体状况，这就具有一定的随机性和不确定性。采用本专利技术的方法。利用表面高度三维立体图文件进行大数据分析，判断每一片硅片的风险等级，可以提前预判硅片的的优劣情况，将高风险硅片ID加入到良率提升部门的抽样中，最大限度的提高良率提升部门抽样的收益。附图说明下面结合附图与具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明：图1是硅片表面平整时光线反射图；图2是硅片表面凸起时光线反射图；图3是硅片表面凹陷时光线反射图；图4是所述控制流程图。具体实施方式每一片产品片硅片经过光刻部分都必须经过扫描，硅片表面高度的所有数据都记录在案，不同颜色可以表示硅片局部的高度变化。图1-3分别表示硅片表面平整时光线反射、硅片表面凸起时光线反射、硅片表面凹陷时光线反射，其中，标号1表示传感器、2表示红光、3表示硅片。对于不同凹凸状态的硅片表面，光的反射路径不一样，传感器接收到光的位置就会有偏差，这种偏差用数值的方式变现出来。计算这些数值的样本标准偏差就会得到硅片风险等级的判定。结合图4所示，所述与光刻机联动的缺陷检测方法，在下面的实施例中是采用如下方式实现的：步骤一、文件导出。每一片产品片硅片都会经过光刻的光刻机，晶圆涂膜之后的曝光过程中会对硅片的表面高度有一个扫描过程，生成表面高度三维立体图的文件。在光刻机台端导出曝光过程的扫描数据文件，即FocusLevelingMap(表面高度三维立体图)文件。步骤二、数据分析。对每一片硅片统计表面高度数据。步骤三、结果统计。标记硅片的风险等级。步骤四、数据联动。YE(良率提升部门)将高风险硅片ID加入抽样中。当传感器感知到反射光位置有变化，会以数值的方式表现出来。设StdDev为硅片单元的样本标准偏差。当StdDev＜0.010时，判断为低风险硅片单元。所有硅片单元都为低风险时，硅片判定为低风险硅片。当StdDev≥0.030时,判断为高风险硅片单元。当存在高风险硅片单元时，硅片判定为高风险硅片。当0.030＞StdDev＞0.010时,判断为中风险硅片单元。当所有硅片单元都为中风险和低风险时，硅片判定为中风险硅片。将高风险硅片数据记录到高度变化数据库里，传送给良率提升部门更改相应产品批号的抽样，将高风险硅片ID加入抽样里。如下表标示为X的硅片即为高风险硅片，进良率提升部门站点抽样会增加对应硅片ID。其中layer即产品片所在制程的进度，LotID即产品片编号，M1指后端制程的第一次沉积层，M2指后端制程的第二次沉积层，V1指后端制程的第二层开孔步骤，V表示非高风险标记，1-25表示产品片编号。LotIDLayer01020304050607080910111213141516171819202122232425产品片AM1XXVVVXXVVVVVVVVVVVVVVVVVV产品片BM2XXVVVXXVVVVVVVVVVVVVVVVVV产品片CV1VVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVVV产品片DM2VXVXVVVVVVVVVXXVVVVVVVXVX本专利技术通过建立高度变化数据库，确定硅片风险等级，应用于缺陷检测机台的硅片抽样优化。以上通过具体实施方式对本专利技术进行了详细的说明，但这些并非构成对本专利技术的限制。在不脱离本专利技术原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种与光刻机联动的缺陷检测方法，其特征在于，晶圆在光刻机涂膜之后的曝光过程中，对硅片的表面高度进行扫描，生成表面高度三维立体图的文件，对实测数据进行大数据分析得到每一片硅片的风险等级，将高风险硅片ID加入到良率提升部门的抽样中。/n

【技术特征摘要】
1.一种与光刻机联动的缺陷检测方法，其特征在于，晶圆在光刻机涂膜之后的曝光过程中，对硅片的表面高度进行扫描，生成表面高度三维立体图的文件，对实测数据进行大数据分析得到每一片硅片的风险等级，将高风险硅片ID加入到良率提升部门的抽样中。


2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：
令StdDev为硅片单元的样本标准偏差；
当StdDev＜0.010时，判断为低风险硅片单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘殳平，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31