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本发明公开了一种与光刻机联动的缺陷检测方法，晶圆在光刻机涂膜之后的曝光过程中，对硅片的表面高度进行扫描，生成表面高度三维立体图的文件，对实测数据进行大数据分析得到每一片硅片的风险等级，将高风险硅片ID(身份标识号)加入到良率提升部门的抽样中...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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