一种半导体铝合金零部件超高洁净清洗工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体铝合金零部件超高洁净清洗工艺，属于铝合金零部件清洗技术领域；一种半导体铝合金零部件超高洁净清洗工艺：将半导体铝合金零部件放入装有清洗液的超声波清洗机内清洗；放入清水池进行第一次过滤清洗；将清洗后的零部件进行脱脂清洗；放入清水池进行第二次过滤清洗；将零部件进行酸蚀处理；放入清水池进行第三次过滤清洗；将零部件再次放入容器同时加入硝酸浸泡；放入清水池进行第四次过滤清洗；通过喷水枪对零部件进行冲洗，采用热水清洗；采用氮气枪吹干，本发明专利技术有效去除灰尘粒子、金属离子、油污、脏污，进而满足客户对零件表面有机物、易挥发物、离子污染等的要求，从而提高晶圆良率。

A super clean cleaning process for semiconductor aluminum alloy parts

The invention discloses a super clean cleaning process for semiconductor aluminum alloy parts, belonging to the technical field of aluminum alloy parts cleaning; a super clean cleaning process for semiconductor aluminum alloy parts: putting the semiconductor aluminum alloy parts into the ultrasonic cleaning machine equipped with cleaning solution for cleaning; putting them into the clean water tank for the first filtering cleaning; degreasing the cleaned parts Cleaning; put it into the clean water tank for the second filtering cleaning; carry out the acid etching treatment for the parts; put it into the clean water tank for the third filtering cleaning; put the parts into the container again and add the nitric acid for soaking; put it into the clean water tank for the fourth filtering cleaning; wash the parts with the water spray gun and use the hot water for cleaning; blow dry with the nitrogen gas gun, so as to effectively remove the dust Particles, metal ions, greasy dirt, and dirt can meet the requirements of customers for organic matters, volatile matters and ion pollution on the surface of parts, so as to improve the wafer yield.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体铝合金零部件超高洁净清洗工艺
本专利技术涉及铝合金零部件清洗
，尤其涉及一种半导体铝合金零部件超高洁净清洗工艺。
技术介绍
半导体是一种电导率在绝缘体至导体之间的物质，其电导率容易受控制，可作为信息处理的元件材料；从科技或是经济发展的角度来看，半导体非常重要。铝合金是半导体刻蚀设备使用的重要材料，其反应室的关键零部件多为铝合金制造；根据设计要求，这些零部件表面有的需要经过表面处理，比如硬质阳极氧化、等离子喷涂、导电氧化、刷度镍等，有的则直接采用铝金属表面；在集成电路制造过程中，铝合金零部件需经常周期性地进行清洗，零部件清洗质量的好坏关系到刻蚀工艺是否可以正常进行，目前，在铝合金零件清洗中，水痕(watermark)是经常出现的问题。现有技术一：采用IPA擦拭，再用菜瓜布沾热水擦拭，上述现有技术一至少存在以下缺点：不能根本去除水痕，并且费力费时，清洗效果不明显。现有技术二：采用1％～5％的醋酸铵、1％～10％的醋酸、1％～8％的硫酸铝溶液浸泡，上述现有技术二至少存在以下缺点：化学液配制麻烦，整个过程操作复杂费时，并且整体效果不够明显，为此我们提出一种半导体铝合金零部件超高洁净清洗工艺来提高对半导体零部件的清洗效果。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有技术中的不足，而提出的一种半导体铝合金零部件超高洁净清洗工艺。为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：一种半导体铝合金零部件超高洁净清洗工艺，该清洗工艺依次按照以下步骤进行：步骤一：将半导体铝合金零部件放入装有清洗液的超声波清洗机内清洗，且清洗时间在2-4分钟，清洗温度在60~65℃，清洗液浓度为9%v/v；步骤二：将经过步骤一后的半导体铝合金零部件，放入清水池进行第一次过滤清洗；步骤三：将清洗后的零部件进行脱脂清洗，加入浓度为9%的Oakite61b清洗剂，控制水温在60~65℃，清洗时间为5-10分钟；步骤四：将经过步骤三后的半导体铝合金零部件，放入清水池进行第二次过滤清洗；步骤五：将经过步骤四的零部件放入容器内并加入浓度为3%的氢氟酸和浓度为20%的硝酸进行酸蚀处理，且时长为2-5分钟；步骤六：将经过步骤五后的半导体铝合金零部件，放入清水池进行第三次过滤清洗；步骤七：将经过步骤六清洗后的零部件再次放入容器同时加入浓度为20%的硝酸浸泡2分钟；步骤八：将经过步骤七后的半导体铝合金零部件，放入清水池进行第四次过滤清洗；步骤九：延续步骤八，通过喷水枪对零部件进行冲洗，喷水枪的压力为45~55bar，喷水距离：100~200mm；步骤十：延续步骤九，采用热水清洗，溢流开启1/3，水质≥2MΩ，热水洗时间：2min-5min，温度：38℃-46℃；步骤十一：延续步骤十，采用氮气枪吹干，使用0.1μm过滤器过滤后的氮气进行吹干，对于盲孔、缝隙、螺纹处加大吹气量，若表面有脏污，用无尘布+电子级IPA擦拭去除；步骤十二：延续步骤十一，在不低于Class1000的无尘室内进行，使用包装袋抽真空包装。优选的，所述步骤九中喷洗时，室内温度不得超过30℃。优选的，所述喷水枪在喷洗时先用散状水喷整体，再用水柱喷洗小孔。优选的，所述步骤十二中的包装材料采用无尘布、PE袋。与现有技术相比，本专利技术提供了一种半导体铝合金零部件超高洁净清洗工艺，具备以下有益效果：经过超声波清洗机对零部件进行预清洗，其主要去除孔内油污、脏污，然后经过第一次水洗后，在进行脱脂清洗即采用浓度为9%的Oakite61b清洗剂，从而保证清洗干净无油污，然后通过第二次水洗后在加入氢氟酸和硝酸进行酸蚀处理，在经过第三次水洗后在利用硝酸再次进行浸泡，然后在经过第四次水洗，本方案中的所有化学品后的清洗均为浸泡式清洗，从而能彻底的去除灰尘粒子、金属离子、油污、脏污，在四次清洗完成后在通过对零部件进行喷水冲洗，先用散状水喷整体，再用水柱喷洗小孔，注意喷洗小孔要充分，从而能保证冲洗彻底，应当注意的是本工艺中全程佩戴乳胶手套，禁止赤手触摸零件，严格按照工艺操作，即可满足客户对零件表面有机物、易挥发物、离子污染等的要求，从而提高晶圆良率。具体实施方式实施例：一种半导体铝合金零部件超高洁净清洗工艺，该清洗工艺依次按照以下步骤进行：步骤一：将半导体铝合金零部件放入装有清洗液的超声波清洗机内清洗，且清洗时间在2-4分钟，清洗温度在60~65℃，清洗液浓度为9%v/v；步骤二：将经过步骤一后的半导体铝合金零部件，放入清水池进行第一次过滤清洗；步骤三：将清洗后的零部件进行脱脂清洗，加入浓度为9%的Oakite61b清洗剂，控制水温在60~65℃，清洗时间为5-10分钟；步骤四：将经过步骤三后的半导体铝合金零部件，放入清水池进行第二次过滤清洗；步骤五：将经过步骤四的零部件放入容器内并加入浓度为3%的氢氟酸和浓度为20%的硝酸进行酸蚀处理，且时长为2-5分钟；步骤六：将经过步骤五后的半导体铝合金零部件，放入清水池进行第三次过滤清洗；步骤七：将经过步骤六清洗后的零部件再次放入容器同时加入浓度为20%的硝酸浸泡2分钟；步骤八：将经过步骤七后的半导体铝合金零部件，放入清水池进行第四次过滤清洗；步骤九：延续步骤八，通过喷水枪对零部件进行冲洗，喷水枪的压力为45~55bar，喷水距离：100~200mm；步骤十：延续步骤九，采用热水清洗，溢流开启1/3，水质≥2MΩ，热水洗时间：2min-5min，温度：38℃-46℃；步骤十一：延续步骤十，采用氮气枪吹干，使用0.1μm过滤器过滤后的氮气进行吹干，对于盲孔、缝隙、螺纹处加大吹气量，若表面有脏污，用无尘布+电子级IPA擦拭去除；步骤十二：延续步骤十一，在不低于Class1000的无尘室内进行，使用包装袋抽真空包装。步骤九中喷洗时，室内温度不得超过30℃。喷水枪在喷洗时先用散状水喷整体，再用水柱喷洗小孔。步骤十二中的包装材料采用无尘布、PE袋。本专利技术首先经过超声波清洗机对零部件进行预清洗，其主要去除孔内油污、脏污，然后经过第一次水洗后，在进行脱脂清洗即采用浓度为9%的Oakite61b清洗剂，从而保证清洗干净无油污，然后通过第二次水洗后在加入氢氟酸和硝酸进行酸蚀处理，在经过第三次水洗后在利用硝酸再次进行浸泡，然后在经过第四次水洗，本方案中的所有化学品后的清洗均为浸泡式清洗，从而能彻底的去除灰尘粒子、金属离子、油污、脏污，在四次清洗完成后在通过对零部件进行喷水冲洗，先用散状水喷整体，再用水柱喷洗小孔，注意喷洗小孔要充分，从而能保证冲洗彻底，应当注意的是本工艺中全程佩戴乳胶手套，禁止赤手触摸零件，严格按照工艺操作，即可满足客户对零件表面有机物、易挥发物、离子污染等的要求，从而提高晶圆良率。以上所述，仅为本专利技术较佳的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体铝合金零部件超高洁净清洗工艺，其特征在于，该清洗工艺依次按照以下步骤进行：/n步骤一：将半导体铝合金零部件放入装有清洗液的超声波清洗机内清洗，且清洗时间在2-4分钟，清洗温度在60~65℃，清洗液浓度为9%v/v；/n步骤二：将经过步骤一后的半导体铝合金零部件，放入清水池进行第一次过滤清洗；/n步骤三：将清洗后的零部件进行脱脂清洗，加入浓度为9%的Oakite 61 b清洗剂，控制水温在60~65℃，清洗时间为5-10分钟；/n步骤四：将经过步骤三后的半导体铝合金零部件，放入清水池进行第二次过滤清洗；/n步骤五：将经过步骤四的零部件放入容器内并加入浓度为3%的氢氟酸和浓度为20%的硝酸进行酸蚀处理，且时长为2-5分钟；/n步骤六：将经过步骤五后的半导体铝合金零部件，放入清水池进行第三次过滤清洗；/n步骤七：将经过步骤六清洗后的零部件再次放入容器同时加入浓度为20%的硝酸浸泡2分钟；/n步骤八：将经过步骤七后的半导体铝合金零部件，放入清水池进行第四次过滤清洗；/n步骤九：延续步骤八，通过喷水枪对零部件进行冲洗，喷水枪的压力为45~55 bar，喷水距离：100~200 mm；/n步骤十：延续步骤九，采用热水清洗，溢流开启1/3，水质≥2MΩ，热水洗时间：2min-5min，温度：38℃-46℃；/n步骤十一：延续步骤十，采用氮气枪吹干，使用0.1μm过滤器过滤后的氮气进行吹干，对于盲孔、缝隙、螺纹处加大吹气量，若表面有脏污，用无尘布+电子级IPA擦拭去除；/n步骤十二：延续步骤十一，在不低于Class 1000的无尘室内进行，使用包装袋抽真空包装。/n...

【技术特征摘要】
1.一种半导体铝合金零部件超高洁净清洗工艺，其特征在于，该清洗工艺依次按照以下步骤进行：
步骤一：将半导体铝合金零部件放入装有清洗液的超声波清洗机内清洗，且清洗时间在2-4分钟，清洗温度在60~65℃，清洗液浓度为9%v/v；
步骤二：将经过步骤一后的半导体铝合金零部件，放入清水池进行第一次过滤清洗；
步骤三：将清洗后的零部件进行脱脂清洗，加入浓度为9%的Oakite61b清洗剂，控制水温在60~65℃，清洗时间为5-10分钟；
步骤四：将经过步骤三后的半导体铝合金零部件，放入清水池进行第二次过滤清洗；
步骤五：将经过步骤四的零部件放入容器内并加入浓度为3%的氢氟酸和浓度为20%的硝酸进行酸蚀处理，且时长为2-5分钟；
步骤六：将经过步骤五后的半导体铝合金零部件，放入清水池进行第三次过滤清洗；
步骤七：将经过步骤六清洗后的零部件再次放入容器同时加入浓度为20%的硝酸浸泡2分钟；
步骤八：将经过步骤七后的半导体铝合金零部件，放入清水池进行第四次过滤清洗；
步骤九：延续...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎纠，
申请(专利权)人：帝京半导体科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32