晶锭纵向切割辅助装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种晶锭纵向切割辅助装置，属于单晶硅晶棒加工设备技术领域。包括基座、晶锭支撑平台及进给量调整组件，进给量调整组件包括进给平台及调节丝杠，进给平台滑动连接于基座上，调节丝杠沿水平方向贯穿通过进给平台，且一端转动连接于基座上，晶锭支撑平台固定于进给平台的一端；调节丝杠螺纹连接进给平台，转动调节丝杠，带动进给平台前后移动。进行晶棒纵向切割作业时，将基座固定于晶棒截割机上，将单晶硅晶棒直立固定于晶锭支撑平台上，通过转动调节丝杠，使得进给平台主动进给，完成对单晶硅晶棒的纵向切割，提高纵向切割的成功率。同时解决了机台进给对刀导致的硅料损耗，样片平行度较差，垂直度较差的问题。

Auxiliary device for longitudinal cutting of ingot

The utility model provides a ingot longitudinal cutting auxiliary device, which belongs to the technical field of single crystal silicon rod processing equipment. Including the base, ingot support platform and feed adjustment component, the feed adjustment component includes the feed platform and adjusting lead screw, the feed platform is slidably connected to the base, the adjusting lead screw runs through the feed platform in the horizontal direction, and one end is rotationally connected to the base, and the ingot support platform is fixed to one end of the feed platform; the adjusting lead screw is threaded to connect the feed platform, and the rotation adjustment Lead screw drives the feed platform to move forward and backward. During the longitudinal cutting operation of the crystal bar, the base is fixed on the crystal bar cutting machine, and the single crystal bar is vertically fixed on the ingot support platform. By turning the adjusting lead screw, the feeding platform can feed actively, and the longitudinal cutting of the single crystal bar is completed, so as to improve the success rate of the longitudinal cutting. At the same time, it solves the problems of silicon material loss, poor parallelism and verticality caused by machine tool feed.

【技术实现步骤摘要】
晶锭纵向切割辅助装置
本技术属于单晶硅晶棒加工设备
，具体涉及一种晶锭纵向切割辅助装置。
技术介绍
半导体晶棒在拉制过程中会存在缺陷，缺陷在晶棒上的分布与拉晶的过程的相关性需要研究。为更好的研究缺陷在晶棒上的分布与拉晶的过程的相关性，需要从纵向对半导体晶棒进行切割。然而，利用现有的晶棒截割机对单晶硅晶棒进行纵向截割，往往会因为单晶硅晶棒固定不牢固而导致切割失败，浪费材料。同时，利用晶棒截割机进行纵向截割过程中，机台进给对刀容易导致硅料损耗，样片平行度较差，垂直度较差的问题。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本技术提供一种牢靠固定单晶硅晶棒并且主动进给的锭纵向切割辅助装置。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种晶锭纵向切割辅助装置，包括基座、晶锭支撑平台及进给量调整组件，所述基座连接晶锭截断机，所述进给量调整组件滑动连接于所述基座上，所述晶锭支撑平台固定于所述进给量调整组件的一端；所述进给量调整组件包括进给平台及调节丝杠，所述进给平台滑动连接于所述基座上，所述调节丝杠沿水平方向贯穿通过所述进给平台，且一端转动连接于所述基座上，所述晶锭支撑平台固定于所述进给平台的一端；所述调节丝杠螺纹连接所述进给平台，转动所述调节丝杠，带动所述进给平台前后移动。优选地，所述进给量调整组件还包括晶片靠板，所述晶片靠板可拆卸安装于所述进给平台上，且与所述晶锭支撑平台相切。优选地，所述晶片靠板靠近所述晶锭支撑平台的一侧开设有弧形晶片槽。优选地，所述基座上沿水平方向开设有定向滑槽，所述进给平台的底部设置有条形滑块，所述条形滑块卡合滑动连接于所述定向滑槽中。优选地，所述调节丝杠远离所述晶锭支撑平台的一端设置有把手。优选地，所述基座的两侧开设有螺孔，以通过螺母将所述基座固定于晶锭截断机上。优选地，所述进给平台的侧面设置有标准刻度。优选地，所述晶锭支撑平台采用硬质树脂材料。由上述技术方案可知，本技术提供了一种晶锭纵向切割辅助装置，其有益效果是：进行晶棒纵向切割作业时，将所述基座固定于晶棒截割机上，将单晶硅晶棒直立固定于所述晶锭支撑平台上，通过转动所述调节丝杠，使得所述进给平台主动进给，完成对单晶硅晶棒的纵向切割，提高纵向切割的成功率。同时，由于单晶硅晶棒主动进给，避免机台进给对刀容易导致的硅料损耗，样片平行度较差，垂直度较差的问题，而且能够根据需求，调节单晶硅晶棒的进给量，为研究缺陷在晶棒上的分布与拉晶的过程的相关性提供可靠的实验支撑。附图说明图1是晶锭纵向切割辅助装置结构示意图。图2是图1所示A部局部放大图。图3是一实施例中晶锭纵向切割辅助装置结构左视图。图4是一实施例中晶锭纵向切割辅助装置结构俯视图。图中：晶锭纵向切割辅助装置10、基座100、定向滑槽110、晶锭支撑平台200、进给量调整组件300、进给平台310、调节丝杠320、把手321、晶片靠板330、弧形晶片槽331、晶棒截割机20。具体实施方式以下结合本技术的附图，对本技术实施例的技术方案以及技术效果做进一步的详细阐述。请参看图1与图2，一实施例中，一种晶锭纵向切割辅助装置10，用于在进行纵向切割单晶硅晶棒的作业中，辅助完成对单晶硅晶棒的支撑固定和主动进给，包括基座100、晶锭支撑平台200及进给量调整组件300，所述基座100连接晶锭截断机20，所述进给量调整组件300滑动连接于所述基座100上，所述晶锭支撑平台200固定于所述进给量调整组件300的一端；所述进给量调整组件300包括进给平台310及调节丝杠320，所述进给平台310滑动连接于所述基座100上，所述调节丝杠320沿水平方向贯穿通过所述进给平台310，且一端转动连接于所述基座100上，所述晶锭支撑平台200固定于所述进给平台310的一端；所述调节丝杠320螺纹连接所述进给平台310，转动所述调节丝杠320，带动所述进给平台310前后移动。本实施例中，在进行单晶硅晶棒纵向切割作业时，将所述基座100固定于晶棒截割机20上，将单晶硅晶棒直立固定于所述晶锭支撑平台200上，优选地，采用强力胶将单晶硅晶棒的端面粘接至所述晶锭支撑平台200上，通过转动所述调节丝杠320，带动所述进给平台310主动进给，当单晶硅晶棒的进给量达到检测试验需求时，启动晶棒截割机20，完成对单晶硅晶棒的纵向切割，从而提高了纵向切割的成功率。同时，由于单晶硅晶棒牢靠固定，且主动进给，能够根据实际检测试验需求调节单晶硅晶片厚度，避免传统方法中，截割机机台进给对刀的过程中，容易导致的硅料损耗，样片平行度较差，垂直度较差的问题。一较佳实施例中，所述进给量调整组件300还包括晶片靠板330，所述晶片靠板330可拆卸安装于所述进给平台310上，且与所述晶锭支撑平台200相切。以保持切割完成后的单晶硅晶片处于直立状态，不分散，避免长时间放置使晶片变质，影响检测试验结果。请一并参看图4，进一步地，所述晶片靠板330靠近所述晶锭支撑平台的一侧开设有弧形晶片槽331。所述弧形晶片槽331适配单晶硅晶棒的形状，以起到更好的支撑作用。一具体实施方式中，所述晶片靠板330插接或螺接于所述进给平台310上，以根据不同单晶硅晶棒的直径规格更换所述晶片靠板330，使其能够更好的适配不同直径的单晶硅晶棒。请一并参看图3，又一具体实施方式中，所述基座100上沿水平方向开设有定向滑槽110，所述进给平台310的底部设置有条形滑块，所述条形滑块卡合滑动连接于所述定向滑槽110中。以使得在所述进给平台310进给的过程中，单晶硅晶棒沿唯一半径方向运动，进而提高切割后的单晶硅晶片的平行度以及垂直度。又一具体实施方式中，所述调节丝杠320远离所述晶锭支撑平台200的一端设置有把手321，以便于操作调节所述调节丝杠320。又一具体实施方式中，所述基座100的两侧开设有螺孔，以通过螺母将所述基座固定于晶锭截断机上。又一具体实施方式中，所述进给平台310的侧面设置有标准刻度，以根据实际检测试验需求精确调节单晶硅晶片厚度。根据实际检测试验需求调节单晶硅晶片厚度，所述晶锭支撑平台200采用硬质树脂材料，在对单晶硅晶棒纵向切割的过程中，截割刀具完全切透晶棒，直至切割部分所述晶锭支撑平台200，而不切透所述晶锭支撑平台200，以保持切割完成后的单晶硅晶片的完整性，且不至于损伤截割刀具。以上所揭露的仅为本技术较佳实施例而已，当然不能以此来限定本技术之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本技术权利要求所作的等同变化，仍属于技术所涵盖的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶锭纵向切割辅助装置，其特征在于，包括基座、晶锭支撑平台及进给量调整组件，所述基座连接晶锭截断机，所述进给量调整组件滑动连接于所述基座上，所述晶锭支撑平台固定于所述进给量调整组件的一端；所述进给量调整组件包括进给平台及调节丝杠，所述进给平台滑动连接于所述基座上，所述调节丝杠沿水平方向贯穿通过所述进给平台，且一端转动连接于所述基座上，所述晶锭支撑平台固定于所述进给平台的一端；所述调节丝杠螺纹连接所述进给平台，转动所述调节丝杠，带动所述进给平台前后移动。

【技术特征摘要】
1.一种晶锭纵向切割辅助装置，其特征在于，包括基座、晶锭支撑平台及进给量调整组件，所述基座连接晶锭截断机，所述进给量调整组件滑动连接于所述基座上，所述晶锭支撑平台固定于所述进给量调整组件的一端；所述进给量调整组件包括进给平台及调节丝杠，所述进给平台滑动连接于所述基座上，所述调节丝杠沿水平方向贯穿通过所述进给平台，且一端转动连接于所述基座上，所述晶锭支撑平台固定于所述进给平台的一端；所述调节丝杠螺纹连接所述进给平台，转动所述调节丝杠，带动所述进给平台前后移动。2.如权利要求1所述的晶锭纵向切割辅助装置，其特征在于，所述进给量调整组件还包括晶片靠板，所述晶片靠板可拆卸安装于所述进给平台上，且与所述晶锭支撑平台相切。3.如权利要求2所述的晶锭纵向切割辅助装置，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵延祥，
申请(专利权)人：宁夏银和半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：宁夏,64