一种多晶硅还原炉用高纯氧化铝绝缘环制造技术

技术编号:22526246 阅读:34 留言:0更新日期:2019-11-13 05:05
本发明专利技术提供了一种多晶硅还原炉用高纯氧化铝绝缘环,按照重量比计,包括以下组分:99.0%~99.4%的α‑氧化铝微粉、0.03%~0.05%的羧甲基纤维素钠、0.15%~0.35%的聚乙烯醇、0.35%~0.55%的分散剂以及0.01~0.02%的消泡剂;所述多晶硅还原炉的电极绝缘元件通过研磨、造粒、成型、加工以及烧结的步骤制得;从而提高多晶硅还原炉的电极绝缘环的抗热震性能、使用寿命和机械强度。

A high purity alumina insulating ring for polysilicon reduction furnace

The invention provides a high-purity alumina insulating ring for a polysilicon reduction furnace, which comprises the following components according to the weight ratio: 99.0% - 99.4% \u03b1 - alumina micropowder, 0.03% - 0.05% sodium carboxymethylcellulose, 0.15% - 0.35% polyvinyl alcohol, 0.35% - 0.55% dispersant and 0.01-0.02% defoamer; the electrode insulating element of the polysilicon reduction furnace is connected Through grinding, granulating, forming, processing and sintering, the thermal shock resistance, service life and mechanical strength of the electrode insulation ring of the polysilicon reduction furnace can be improved.

【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅还原炉用高纯氧化铝绝缘环
本专利技术涉及无机非金属
,具体涉及一种多晶硅还原炉用高纯氧化铝绝缘环。
技术介绍
多晶硅是太阳能光伏产业最主要、最基础的功能材料,随着绿色能源战略的实施,我国在光伏研究和产业方面取得了较快的发展,多晶硅的需求高速增长。目前,85%多晶硅的生产采用西门子法,西门子法是通过高温条件下,SiHCl3和H2发生化学气相沉积反应得到高纯多晶硅,同时产生大量的副产物SiCl4循环利用。该法制备多晶硅最重要设备是气相沉积反应器,也就是还原炉。多晶硅还原炉的启动方法都是采用8000~10000伏的高电压将硅芯击穿启动,为保证安全生产,必须对其电极做好相应的绝缘措施。另外多晶硅生产过程是一个高温的气相沉积过程,电极的绝缘元件所处热场温度梯度大,再加上生产和出料过程中倒棒冲击绝缘元件的影响,这都要求绝缘元件要有良好的机械强度,绝缘强度,抗电击穿能力和优良的耐热骤变性及化学稳定性,才能达到绝缘和保护电极的效果。但,相关技术中的绝缘元件抗热震性能、使用寿命等都有待改进。
技术实现思路
本专利技术旨在至少在一定程度上解决上述技术中的技术问题之一,即提高多晶硅还原炉的电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶硅还原炉用高纯氧化铝绝缘环,其特征在于,按照重量比计,包括以下组分:99.0%~99.4%的α‑氧化铝微粉、0.03%~0.05%的羧甲基纤维素钠、0.15%~0.35%的聚乙烯醇、0.35%~0.55%的分散剂以及0.01~0.02%的消泡剂;所述多晶硅还原炉用高纯氧化铝绝缘环通过以下步骤制备:1)研磨:将上述原料按上述重量比加入球磨机中研磨8~12小时,以便获得浆料,其中,在研磨过程中,用去离子水作为分散介质,高纯度氧化铝陶瓷球作为研磨介质;2)造粒:将所述的浆料在进口温度为220~260℃、出口温度为110~130℃下,进行喷雾干燥制成颗粒状的造粒料;3)成型:将所述造粒料干...

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅还原炉用高纯氧化铝绝缘环,其特征在于,按照重量比计,包括以下组分:99.0%~99.4%的α-氧化铝微粉、0.03%~0.05%的羧甲基纤维素钠、0.15%~0.35%的聚乙烯醇、0.35%~0.55%的分散剂以及0.01~0.02%的消泡剂;所述多晶硅还原炉用高纯氧化铝绝缘环通过以下步骤制备:1)研磨:将上述原料按上述重量比加入球磨机中研磨8~12小时,以便获得浆料,其中,在研磨过程中,用去离子水作为分散介质,高纯度氧化铝陶瓷球作为研磨介质;2)造粒:将所述的浆料在进口温度为220~260℃、出口温度为110~130℃下,进行喷雾干燥制成颗粒状的造粒料;3)成型:将所述造粒料干压成型或冷等静压成型,以便获得毛坯;4)加工:将所述毛坯加工...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑炜
申请(专利权)人:厦门胜中流体控制技术有限公司
类型:发明
国别省市:福建,35

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1