一种氧化铝陶瓷烧结体、其制备方法及应用技术

本发明专利技术公开了一种氧化铝陶瓷烧结体，包含氧化铝和M相化合物，所述M相化合物为氧化钪、氧化钛、氧化钇、氧化镧、氧化钕、氧化铈中的至少一种；且在XRD中，所述氧化铝的[006]面XRD峰的强度为[104]面XRD峰的强度的8％‑40％。本发明专利技术通过向Al2O3基体中分散加入M相的方式促使烧结体中Al2O3各晶面均匀生长，从而达到基体热导率及抗热震性能的提升，使氧化铝基板在散热系统领域有更加广阔的应用前景。同时，本发明专利技术还公开一种包含所述烧结体的氧化铝基板及其制备方法。

A kind of alumina ceramic sinter, its preparation method and Application

【技术实现步骤摘要】
一种氧化铝陶瓷烧结体、其制备方法及应用
本专利技术涉及一种氧化铝陶瓷烧结体，尤其是一种高抗热震氧化铝陶瓷烧结体、其制备方法及应用。
技术介绍
高温陶瓷烧结体以及采用该陶瓷烧结体形成的基板，对散热效果或抗热震性能有较高的要求，可应用于功率器件封装、片式电阻，比如LED封装基座、功率模组基板、片式电阻用陶瓷基板、IGBT用陶瓷基板等等。针对上述领域，申请号为CN201080015347.3的专利文献“陶瓷烧结体及其采用其的半导体用装置基板”中，对于适用于功率晶体管模块等的半导体装置用基板相关的专利技术进行公开，公开了烧结体中含有氧化锆粉体重量的上限是30wt％，且四方晶相的氧化锆比例在80％以上，氧化镁含量在0.05-0.5wt％之间，据此与以往单含氧化铝的陶瓷基板相比，能够明显提高基板的机械强度并改善散热效果。上述技术存在以下问题：(1)产品体相内玻璃液相覆盖在晶粒表面既造成晶界间的强度下降，同时由于液态非晶相的存在，导热率较低，不利于热量在体相内氧化铝晶粒间的传递。再者，由于部分液相凝结成非晶相液珠占据体相内气孔的位置，气孔率的下降也造成晶粒受热膨胀不均，产生的应力无法释放，综合造成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氧化铝陶瓷烧结体，其特征在于，包含氧化铝和M相化合物，所述M相化合物为氧化钪、氧化钛、氧化钇、氧化镧、氧化钕、氧化铈中的至少一种；且在XRD中，所述氧化铝的[006]面XRD峰的强度为[104]面XRD峰的强度的8％‑40％。

【技术特征摘要】
1.一种氧化铝陶瓷烧结体，其特征在于，包含氧化铝和M相化合物，所述M相化合物为氧化钪、氧化钛、氧化钇、氧化镧、氧化钕、氧化铈中的至少一种；且在XRD中，所述氧化铝的[006]面XRD峰的强度为[104]面XRD峰的强度的8％-40％。2.如权利要求1所述的氧化铝陶瓷烧结体，其特征在于，在XRD中，氧化铝的[006]面XRD峰的2θ为40°-43°，氧化铝[104]面的XRD为最强峰，其2θ为33°-37°。3.如权利要求1所述的氧化铝陶瓷烧结体，其特征在于，包含以下成分：含铝化合物(以氧化铝形式计算)96-99.6wt％、含硅化合物(以氧化硅形式计算)0.01-3.0wt％、含钙化合物(以氧化钙形式计算)0-1.5wt％、含镁化合物(以氧化镁形式计算)0-1.5wt％、M相化合物(以其氧化物形式计算)0.1-2％wt％。4.如权利要求3所述的氧化铝陶瓷烧结体，其特征在于，所述含镁化合物为镁铝尖晶石。5.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄雪云，江楠，童文欣，
申请(专利权)人：南充三环电子有限公司，潮州三环集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51