一种一氯频哪酮脱熔升温反应釜制造技术

本发明专利技术涉及一种一氯频哪酮脱熔升温反应釜，其特征在于：包括反应釜体、金属保护层和氯气导向管；本发明专利技术中通过筒体外侧与筒体金属保护层之间形成水浴夹层，且水浴夹层中采用的多个容纳热水的凹槽结构保证反应釜中的温度很定，避免蒸汽全接触式的加热方式造成频哪酮碳化的问题，通过在导向管的外轮廓打穿若干个与导向管呈25°夹角，使得反应气体从导向管的外壁经过螺旋孔进入到导向管的内壁，由于螺旋孔的形状和设计使得从导向管外壁进入的气体会进行螺旋上升，脱离导向管后气体呈螺旋路径移动，充分接触有益于气体在反应釜的充分接触反应。

A temperature rising reactor for desolvation of chlorphenazone

The invention relates to a chlorofenacone desolvation and heating reaction kettle, which is characterized in that it includes a reaction kettle body, a metal protective layer and a chlorine guide tube; in the invention, a water bath interlayer is formed between the outer side of the barrel and the metal protective layer of the barrel, and a plurality of groove structures for holding hot water are adopted in the water bath interlayer to ensure that the temperature in the reaction kettle is very constant and avoid the heating method of full contact steam The problem of pinacone carbonization is caused by punching several 25 \u00b0 angles between the outer contour of the guide tube and the guide tube, so that the reaction gas enters the inner wall of the guide tube from the outer wall of the guide tube through the screw hole. Because of the shape and design of the screw hole, the gas entering from the outer wall of the guide tube will spiral up, and the gas will move in a spiral path after it leaves the guide tube, so as to fully contact It is beneficial to the full contact reaction of gas in the reactor.

【技术实现步骤摘要】
一种一氯频哪酮脱熔升温反应釜
本专利技术涉及一氯频哪酮生产领域，尤其涉及一种一氯频哪酮脱熔升温反应釜。
技术介绍
一氯频哪酮的生产中，将定量的频哪酮泵入氯化反应釜，缓慢通入经过气化后的氯气，在常压状态下反应约48h，反应过程产生的尾气经二级吸收后排空。待反应液冷却后加入甲醇进行溶解。后将甲醇溶解液转入蒸馏釜进行蒸馏作业，得成品一氯频哪酮；一氯频哪酮的绿化反应中一般在温度为40-50℃的状态下进行反应；常用的维持温度方式采用蒸汽加热套对反应釜进行加热，而蒸汽加热方式常常由于温度不好控制，容易出现频哪酮的碳化，反应出内碳化严重的问题；此外，通入的氯气与频哪酮接触少，反应速率较慢。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种一氯频哪酮脱熔升温反应釜，能够解决一般的一氯频哪酮中反应釜完全蒸汽加热的方式导致频哪酮容易碳化，以及氯气进入反应釜中与频哪酮接触时间短暂反应不充分的问题。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案为：一种一氯频哪酮脱熔升温反应釜，其创新点在于：包括一反应釜体；所述反应釜体包括上封盖和筒体；所述上封盖置于筒体的上端，所述上封盖上设置有搅拌孔和人孔；所述上封盖呈圆形结构，搅拌孔位于上封盖的中间位置，搅拌孔的四周辐射分布有安全阀口、视镜口、放气口、温度计套管口、压力表口和备用口，所述人孔分布于搅拌孔的一侧；所述筒体呈圆柱筒型结构，筒体的外侧壁自上而下均匀分布有若干环形凹槽，所述筒体的底端设置有进气口；一金属保护层；所述金属保护层设置在反应釜体的外侧，所述金属保护层包括上封盖金属保护层和筒体金属保护层；上封盖金属保护层置于上封盖的外表面，上封盖金属保护层的外侧面底端有一上法兰，筒体金属保护层置于筒体的外表面，该筒体金属保护层的外侧面上端有一下法兰，上法兰与下法兰之间用组合螺栓连接；一氯气导向管；所述氯气导向管由筒体底端进气口向上竖直延伸；所述氯气导向管包括石墨管体和螺旋孔；所述石墨管体呈圆柱状，两端开口，石墨管体的底端外圆周轮廓面设置有连接螺纹；所述螺旋孔位于石墨管体的侧边顶端，螺旋孔具有若干个，螺旋孔在石墨管体的侧边径向方向上等间距依次设置；石墨管体的侧边轴向上相邻两列的螺旋孔呈上下交替错位设置；所述螺旋孔的打孔方向沿着石墨管体圆柱外轮廓指向石墨管体的轴线方向与石墨管体轴线和打孔点形成的平面呈夹角打孔。进一步的，所述筒体的侧边的环形凹槽与金属保护层形成水浴夹套结构，且该水浴夹套内充有温水；所述筒体的底端与筒体金属保护层之间形成水浴容纳腔且该腔内填充有流动的温水。进一步的，所述螺旋孔的打孔方向与石墨管体外轮廓上打孔点的法线方向呈25°夹角；气体螺旋上升导向管的展开螺旋孔呈水平方向等间距，竖直方向交错分布。进一步的，所述氯气导向管具有若干个且互相堆叠设置。本专利技术的优点在于：1）本专利技术中通过筒体外侧与筒体金属保护层之间形成水浴夹层，且水浴夹层中采用的多个容纳热水的凹槽结构保证反应釜中的温度很定，避免蒸汽全接触式的加热方式造成频哪酮碳化的问题，通过在导向管的外轮廓打穿若干个与导向管呈25°夹角，使得反应气体从导向管的外壁经过螺旋孔进入到导向管的内壁，由于螺旋孔的形状和设计使得从导向管外壁进入的气体会进行螺旋上升，脱离导向管后气体呈螺旋路径移动，充分接触有益于气体在反应釜的充分接触反应。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。图1为本专利技术的一种一氯频哪酮脱熔升温反应釜的结构图。图2为本专利技术的一种一氯频哪酮脱熔升温反应釜的氯气导向管主视图。图3为本专利技术的一种一氯频哪酮脱熔升温反应釜的氯气导向管俯剖图。具体实施方式下面的实施例可以使本专业的技术人员更全面地理解本专利技术，但并不因此将本专利技术限制在所述的实施例范围之中。如图1至图3所示的一种一氯频哪酮脱熔升温反应釜，包括一反应釜体1；所述反应釜体1包括上封盖11和筒体12；所述上封盖11置于筒体12的上端，所述上封盖11上设置有搅拌孔13和人孔14；所述上封盖11呈圆形结构，搅拌孔13位于上封盖11的中间位置，搅拌孔13的四周辐射分布有安全阀口、视镜口、放气口、温度计套管口、压力表口和备用口，所述人孔14分布于搅拌孔13的一侧；所述筒体12呈圆柱筒型结构，筒体12的外侧壁自上而下均匀分布有若干环形凹槽，所述筒体12的底端设置有进气口15。一金属保护层2；所述金属保护层2设置在反应釜体1的外侧，所述金属保护层2包括上封盖金属保护层21和筒体金属保护层22；上封盖金属保护层21置于上封盖11的外表面，上封盖金属保护层21的外侧面底端有一上法兰，筒体金属保护层22置于筒体12的外表面，该筒体金属保护层22的外侧面上端有一下法兰，上法兰与下法兰之间用组合螺栓连接。一氯气导向管3；所述氯气导向管3由筒体12底端进气口向上竖直延伸；所述氯气导向3管包括石墨管体31和螺旋孔32；所述石墨管体31呈圆柱状，两端开口，石墨管体31的底端外圆周轮廓面设置有连接螺纹；所述螺旋孔32位于石墨管体31的侧边顶端，螺旋孔32具有若干个，螺旋孔32在石墨管体31的侧边径向方向上等间距依次设置；石墨管体31的侧边轴向上相邻两列的螺旋孔32呈上下交替错位设置；所述螺旋孔32的打孔方向沿着石墨管体31圆柱外轮廓指向石墨管体31的轴线方向与石墨管体31轴线和打孔点形成的平面呈夹角打孔。筒体12的侧边的环形凹槽与金属保护层2形成水浴夹套结构，且该水浴夹套内充有温水；所述筒体12的底端与筒体金属保护层12之间形成水浴容纳腔且该腔内填充有流动的温水。螺旋孔32的打孔方向与石墨管体31外轮廓上打孔点的法线方向呈25°夹角；气体螺旋上升导向管的展开螺旋孔呈水平方向等间距，竖直方向交错分布。氯气导向管3具有若干个且互相堆叠设置。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种一氯频哪酮脱熔升温反应釜，其特征在于：包括一反应釜体；所述反应釜体包括上封盖和筒体；所述上封盖置于筒体的上端，所述上封盖上设置有搅拌孔和人孔；所述上封盖呈圆形结构，搅拌孔位于上封盖的中间位置，搅拌孔的四周辐射分布有安全阀口、视镜口、放气口、温度计套管口、压力表口和备用口，所述人孔分布于搅拌孔的一侧；所述筒体呈圆柱筒型结构，筒体的外侧壁自上而下均匀分布有若干环形凹槽，所述筒体的底端设置有进气口；一金属保护层；所述金属保护层设置在反应釜体的外侧，所述金属保护层包括上封盖金属保护层和筒体金属保护层；上封盖金属保护层置于上封盖的外表面，上封盖金属保护层的外侧面底端有一上法兰，筒体金属保护层置于筒体的外表面，该筒体金属保护层的外侧面上端有一下法兰，上法兰与下法兰之间用组合螺栓连接；一氯气导向管；所述氯气导向管由筒体底端进气口向上竖直延伸；所述氯气导向管包括石墨管体和螺旋孔；所述石墨管体呈圆柱状，两端开口，石墨管体的底端外圆周轮廓面设置有连接螺纹；所述螺旋孔位于石墨管体的侧边顶端，螺旋孔具有若干个，螺旋孔在石墨管体的侧边径向方向上等间距依次设置；石墨管体的侧边轴向上相邻两列的螺旋孔呈上下交替错位设置；所述螺旋孔的打孔方向沿着石墨管体圆柱外轮廓指向石墨管体的轴线方向与石墨管体轴线和打孔点形成的平面呈夹角打孔。...

【技术特征摘要】
1.一种一氯频哪酮脱熔升温反应釜，其特征在于：包括一反应釜体；所述反应釜体包括上封盖和筒体；所述上封盖置于筒体的上端，所述上封盖上设置有搅拌孔和人孔；所述上封盖呈圆形结构，搅拌孔位于上封盖的中间位置，搅拌孔的四周辐射分布有安全阀口、视镜口、放气口、温度计套管口、压力表口和备用口，所述人孔分布于搅拌孔的一侧；所述筒体呈圆柱筒型结构，筒体的外侧壁自上而下均匀分布有若干环形凹槽，所述筒体的底端设置有进气口；一金属保护层；所述金属保护层设置在反应釜体的外侧，所述金属保护层包括上封盖金属保护层和筒体金属保护层；上封盖金属保护层置于上封盖的外表面，上封盖金属保护层的外侧面底端有一上法兰，筒体金属保护层置于筒体的外表面，该筒体金属保护层的外侧面上端有一下法兰，上法兰与下法兰之间用组合螺栓连接；一氯气导向管；所述氯气导向管由筒体底端进气口向上竖直延伸；所述氯气导向管包括石墨管体和螺旋孔；所述石墨管体呈圆柱状，两端开口，石墨管体...

【专利技术属性】
技术研发人员：葛八权，
申请(专利权)人：南通鸿富达利化工有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32