一种微器件巨量转移方法及通光片技术

技术编号:22469692 阅读:13 留言:0更新日期:2019-11-06 12:29
一种微器件巨量转移方法及通光片,包括:提供一衬底,在所述衬底上设置多个微器件;将多个所述微器件通过粘接层粘接在一临时载板上并剥离所述衬底;在所述临时载板的下方平行设置一通光片;使用激光束照射所述通光片,经所述通光片的透光部分穿透所述临时载板并照射与所述透光部分相对应的部分所述粘接层,使其粘度降低;提供一转移设备,将经过所述激光束照射的部分所述粘接层上的多个所述微器件吸附并转移到一永久载板上,完成微器件转移。有益效果:本发明专利技术所提供的微器件巨量转移方法及通光片,在微器件巨量转移过程中,增设了一种能部分透光的通光片,降低了微器件巨量转移过程中对激光束的高要求,进一步提高了选择性转移微器件的精度。

A huge transfer method of micro devices and light pass plate

【技术实现步骤摘要】
一种微器件巨量转移方法及通光片
本专利技术涉及微器件
,尤其涉及一种微器件巨量转移方法及通光片。
技术介绍
现有的微器件通常需要通过巨量转移方式将发射红、绿、蓝光的不同微器件以特定排列方式转移到同一承载基板上,才能制作成显示可用的红绿蓝像素阵列。然而,现有的微器件巨量转移方法,在一临时基板上载满微器件,如需选择性转移某些微器件时,需用激光束照射需转移微器件下方的临时粘接层,使其粘度降低。由于微器件尺寸小,间距窄,为不影响临近部位的微器件,对激光束腰宽度要求很高。综上所述,现有的微器件巨量转移方法,由于在使用激光束选择性转移些微器件时,相邻微器件之间的间距窄,导致对激光束腰宽度要求很高。
技术实现思路
本专利技术提供一种微器件巨量转移方法及通光片,能够降低微器件转移过程中对激光束的要求,以解决现有的微器件巨量转移方法,由于在使用激光束选择性转移些微器件时,相邻微器件之间的间距窄,导致对激光束腰宽度要求很高的技术问题。为解决上述问题,本专利技术提供的技术方案如下:本专利技术提供一种微器件巨量转移方法,所述方法包括:S10,提供一衬底,在所述衬底上设置多个微器件,多个所述微器件以阵列方式排布;S20,将多个所述微器件通过粘接层粘接在一临时载板上,并剥离所述衬底;S30,在所述临时载板的下方平行设置一通光片,所述通光片包括透光部分以及非透光部分,所述透光部分对位于多个待测的所述微器件;S40,使用激光束照射所述通光片,经所述透光部分穿透所述临时载板并照射与所述透光部分位置相对应的部分所述粘接层,使其粘度降低;S50,提供一转移设备,将经过所述激光束照射的部分所述粘接层上的多个所述微器件吸附并转移到一永久载板上,完成所述微器件的转移。根据本专利技术一优选实施例,所述S10中,所述微器件的尺寸范围为1~100微米,相邻两所述微器件边缘之间的间距范围为1~10微米。根据本专利技术一优选实施例,所述S30中,所述通光片经第一透光层内嵌到第一吸光层成膜制成,所述第一透光层为透明聚合物且位于所述透光部分,所述第一吸光层为有机聚合物与黑色颜料的混合物且位于所述非透光部分。根据本专利技术一优选实施例,所述S30中,所述通光片包括第二吸光层,所述第二吸光层为有机聚合物与黑色颜料的混合物或者金属反光材料;在部分所述第二吸光层的表面上直接开孔形成多个第一通光孔。根据本专利技术一优选实施例,所述S30中,所述通光片包括第三吸光层,所述第三吸光层由有机聚合物与黑色颜料的混合物或者金属反光材料在一透明基底表面通过印刷后,经打印或蒸镀方式成膜制成;在部分所述第三吸光层的表面上通过蚀刻形成多个第二通光孔。根据本专利技术一优选实施例,多个所述第一通光孔或多个所述第二通光孔的通光口径为圆形或者矩形,多个所述第一通光孔或多个所述第二通光孔呈周期状阵列排布。根据本专利技术一优选实施例,所述S30中,所述通光片相对于所述临时载板可以上下移动或者左右移动。本专利技术还提供一种用于微器件巨量转移的通光片,所述通光片包括透光部分以及非透光部分,所述透光部分内嵌于所述非透光部分,所述透光部分为透明聚合物,所述非透光部分为有机聚合物与黑色颜料的混合物。本专利技术还提供另一种用于微器件巨量转移的通光片,所述通光片包括非透光部分以及透光部分,所述非透光部分的材料为有机聚合物与黑色颜料的混合物或者金属反光材料,所述透光部分为设置在所述非透光部分上的多个通光孔。根据本专利技术一优选实施例,多个所述通光孔的通光口径为圆形或者矩形,多个所述通光孔呈周期状阵列排布。本专利技术的有益效果为:本专利技术所提供的微器件巨量转移方法及通光片,在微器件巨量转移过程中,增设了一种能部分透光的通光片,降低了微器件巨量转移过程中对激光束的高要求,进一步提高了选择性转移微器件的精度。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术微器件巨量转移方法流程图。图2A-2E为图1所述微器件巨量转移方法示意图。图3为本专利技术用于微器件巨量转移的通光片实施例一示意图。图4为本专利技术用于微器件巨量转移的通光片实施例二示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术,而非用以限制本专利技术。在图中,结构相似的单元是用以相同标号表示。本专利技术针对现有的微器件巨量转移方法,由于在使用激光束选择性转移些微器件时,相邻微器件之间的间距窄,导致对激光束腰宽度要求很高的技术问题,本实施例能够解决该缺陷。如图1所示,本专利技术提供一种微器件巨量转移方法流程,所述方法包括:S10,提供一衬底10,在所述衬底10上设置多个微器件20,多个所述微器件20以阵列方式排布。具体的,所述S10还包括:首先提供一衬底10,在所述衬底10上设置多个微器件20,多个所述微器件20以阵列方式排布。其中,所述微器件20主要用于制作成显示可用的红绿蓝像素阵列,所述微器件20的尺寸范围为1~100微米,相邻两所述微器件20边缘之间的间距范围为1~10微米,如图2A所示。S20,将多个所述微器件20通过粘接层30粘接在一临时载板40上,并剥离所述衬底10。具体的,所述S20还包括:将多个所述微器件20通过粘接层30粘接在一临时载板40上;所述粘接层30为带有一定粘度的感光材料,所述粘接层30经光照后粘度降低;所述临时载板为一透明材料,优选为玻璃或者PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯),如图2B所示。S30,在所述临时载板40的下方平行设置一通光片50,所述通光片50包括透光部分51以及非透光部分52,所述透光部分51于对位多个待测的所述微器件20。具体的,所述S30还包括:在所述临时载板40的下方平行设置一通光片50,所述通光片50包括透光部分51以及非透光部分52,所述通光片50相对于所述临时载板40的竖直距离为D1,所述通光片50的一端相对于所述临时载板40的对应的同一端的水平距离为D2,所述通光片50包括透光部分51以及非透光部分52,所述通光片50相对于所述临时载板40可以上下移动或者左右移动;分别调节所述通光片50相对于所述临时载板40的竖直距离D1与所述通光片50的一端相对于所述临时载板40的对应的同一端的水平距离D2,来改变所述通光片50相对于所述临时载板40的位置,使得所述透光部分51对位于待测的多个所述微器件20,如图2C所示。优选地,所述通光片50经第一透光层内嵌到第一吸光层成膜制成,所述第一透光层为透明聚合物且位于所述透光部分51,所述第一吸光层为有机聚合物与黑色颜料的混合物且位于所述非透光部分52。优选地,所述通光片50包括第二吸光层,所述第二吸光层为有机聚合物与黑色颜料的混合物或者金属反光材料;在部分所述第二吸光层的表面上直接开孔形成多个第一通光孔;所述第二吸光层为所述透光部分51,多个所述第一通光孔构成所述非透光部分52。优选地,所述通光片50包括第三吸光层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微器件巨量转移方法,其特征在于,所述方法包括:S10,提供一衬底,在所述衬底上设置多个微器件,多个所述微器件以阵列方式排布;S20,将多个所述微器件通过粘接层粘接在一临时载板上,并剥离所述衬底;S30,在所述临时载板的下方平行设置一通光片,所述通光片包括透光部分以及非透光部分,所述透光部分对位于多个待测的所述微器件;S40,使用激光束照射所述通光片,经所述透光部分穿透所述临时载板并照射与所述透光部分位置相对应的部分所述粘接层,使其粘度降低;S50,提供一转移设备,将经过所述激光束照射的部分所述粘接层上的多个所述微器件吸附并转移到一永久载板上,完成所述微器件的转移。

【技术特征摘要】
1.一种微器件巨量转移方法,其特征在于,所述方法包括:S10,提供一衬底,在所述衬底上设置多个微器件,多个所述微器件以阵列方式排布;S20,将多个所述微器件通过粘接层粘接在一临时载板上,并剥离所述衬底;S30,在所述临时载板的下方平行设置一通光片,所述通光片包括透光部分以及非透光部分,所述透光部分对位于多个待测的所述微器件;S40,使用激光束照射所述通光片,经所述透光部分穿透所述临时载板并照射与所述透光部分位置相对应的部分所述粘接层,使其粘度降低;S50,提供一转移设备,将经过所述激光束照射的部分所述粘接层上的多个所述微器件吸附并转移到一永久载板上,完成所述微器件的转移。2.根据权利要求1所述的微器件巨量转移方法,其特征在于,所述S10中,所述微器件的尺寸范围为1~100微米,相邻两所述微器件边缘之间的间距范围为1~10微米。3.根据权利要求1所述的微器件巨量转移方法,其特征在于,所述S30中,所述通光片经第一透光层内嵌到第一吸光层成膜制成,所述第一透光层为透明聚合物且位于所述透光部分,所述第一吸光层为有机聚合物与黑色颜料的混合物且位于所述非透光部分。4.根据权利要求1所述的微器件巨量转移方法,其特征在于,所述S30中,所述通光片包括第二吸光层,所述第二吸光层为有机聚合物与黑色颜料的混合物或者金属反光材料;在部分所述第二吸光...

【专利技术属性】
技术研发人员:张丽君
申请(专利权)人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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