线圈及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种线圈以及其制作方法。所述线圈的制作方法包括：在圆片的第一表面沉积金属并图形化得到第一表面图形化金属；在所述圆片的第二表面蚀刻通孔，所述通孔从第二表面延伸至第一表面；在刻蚀有所述通孔的圆片的第二表面沉积金属并图形化得到通孔金属以及第二表面图形化金属；对所述圆片进行划片得到多个相互独立的线圈，其中每个线圈包括第一表面图形化金属、通孔金属以及第二表面图形化金属，其中第一表面图形化金属通过所述通孔金属与第二表面图形化金属互连。本发明专利技术中的制作方法，可以通过圆片工艺,批次性高效,低成本制作高精度的线圈，该线圈可以用于生成或者感应电磁场。

Coil and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
线圈及其制作方法
本专利技术涉及一种微器件领域，尤其涉及一种线圈及其制作方法。
技术介绍
线圈作为电子元件之一被广泛应用于电感器件中。但是，如何高效、低成本的批量制作高精度线圈一直是个难点。因此，有必要提出一种方案来解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种线圈及其的制作方法，其可以通过圆片工艺,批次性、高效、低成本的制作高精度的线圈。为解决上述技术问题，根据本专利技术的一个方面，本专利技术提出了一种线圈的制作方法，其包括：在圆片的第一表面沉积金属并图形化得到第一表面图形化金属；在所述圆片的第二表面蚀刻通孔，所述通孔从第二表面延伸至第一表面；在刻蚀有所述通孔的圆片的第二表面沉积金属并图形化得到通孔金属以及第二表面图形化金属；对所述圆片进行划片得到多个相互独立的线圈，其中每个线圈包括第一表面图形化金属、通孔金属以及第二表面图形化金属，其中第一表面图形化金属通过所述通孔金属与第二表面图形化金属互连。根据本专利技术的另一个方面，本专利技术提供了一种线圈，其包括：基体；位于基体的第一表面上的第一表面图形化金属；位于所述基体的第二表面上的第二表面图形化金属；由所述基体的第一表面延伸至第二表面的两排通孔金属，每排通孔金属包括有一个或多个间隔的通孔金属，其中第一表面图形化金属通过所述通孔金属与第二表面图形化金属互连，其中所述基体是所述圆片划片形成的，第一表面图形化金属是在圆片的第一表面沉积金属并图形化得到的，通孔金属以及第二表面图形化金属是在刻蚀有通孔的圆片的第二表面沉积金属并图形化得到的。与现有技术相比，本专利技术中的线圈的制作方法，可以通过圆片工艺,批次性、高效、低成本的制作高精度的线圈。该线圈可以用于生成或者感应电磁场。附图说明图1为本专利技术涉及的一种线圈的制作方法在第一个实施例中的制作过程示意图。图2为基于图1所示的制作方法制得的线圈的俯视示意图；图3为基于图2所示的线圈的沿A-A剖面线的剖面示意图；图4为本专利技术涉及的线圈的制作方法在第二实施例中的制作过程示意图；图5为基于图4所示的制作方法制得的线圈的俯视示意图；图6为基于图5所示的线圈的沿B-B剖面线的剖面示意图；具体实施方式为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本专利技术的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如下。本专利技术提供一种线圈的制作方法，其可以通过圆片工艺,批次性、高效、低成本的制作高精度的各种线圈，该线圈可以用于生成或者感应电磁场,可以应用于电感器件，磁通门传感器,电磁感应线圈,射频收发和/或集成电路电感。图1为本专利技术涉及的一种线圈的制作方法在第一个实施例中的制作过程示意图。所述线圈为芯片级线圈，其可以被制作的很小，可以集成于芯片内。请参阅图1所示，本专利技术的线圈的制作方法在第一个实施例中包括如下步骤：步骤1，在圆片101的正面沉积金属并且图形化，得到正面上图形化金属102，如图1的100a；步骤2，翻转所述圆片101准备背面刻蚀，并在正面上图形化金属102上贴上粘片膜103(DAF)，如图1的100b；步骤3,采用背部V型槽工艺在所述圆片101的反面蚀刻通孔104，在此实施例中，所述通孔为V型槽，所述通孔104从反面延伸至正面，如图1的100c；步骤4，在刻蚀有所述通孔104的圆片101的反面沉积金属并图形化，得到通孔金属105以及反面上图形化金属106，如图1的100d。步骤5，对所述圆片101进行划片得到多个相互独立的线圈100n，如图2和3所示。图2为基于图1所示的制作方法制得的线圈的俯视示意图；图3为基于图2所示的线圈的沿A-A剖面线的剖面示意图。如图2和3所示的，每个线圈100n包括基体101n、位于基体101n的正面表面上的正面上图形化金属102n、位于基体101n的反面表面上的反面上图形化金属106n，以及自所述基体101n的正面延伸至反面的两排通孔金属105n，其中每排通孔金属105n包括一个或多个间隔的通孔金属105n，其中正面上图形化金属102n通过所述通孔金属105n与反面图形化金属106n互连。正面上图形化金属102n、通孔金属105n以及反面上图形化金属106n互连形成围绕所述基体101n的螺旋线圈，其中所述基体101n是所述圆片101划片形成的。所述螺旋线圈的匝数可以是1圈，也可以是多圈，这样可以根据需要设计。图4为本专利技术涉及的线圈的制作方法在第二个实施例中的制作过程示意图。请参阅图4所示，本专利技术的线圈的制作方法在第二个实施例中包括如下步骤：步骤1，在圆片201的正面沉积金属并且图形化，得到正面上图形化金属202，如图4的200a；步骤2，翻转所述圆片201准备背面刻蚀，并在正面上图形化金属202上贴上粘片膜203(DAF)，如图4的200b；步骤3,采用硅通孔(TSV)工艺在所述圆片201的反面蚀刻通孔204，在此实施例中，所述通孔为深孔，所述通孔204从反面延伸至正面，如图4的200c；步骤4，在刻蚀有所述通孔204的圆片201的反面沉积金属并图形化，得到通孔金属205以及反面上图形化金属206，如图4的200d。步骤5，对所述圆片201进行划片得到多个相互独立的线圈200n，如图5和6所示。图5为基于图4所示的制作方法制得的线圈的俯视示意图；图6为基于图5所示的线圈的沿B-B剖面线的剖面示意图。如图5和6所示的，每个线圈200n包括基体201n、位于基体201n的正面表面上的正面上图形化金属202n、位于基体201n的反面表面上的反面上图形化金属206n以及自所述基体201n的正面延伸至反面的两排通孔金属205n，其中每排通孔金属205n包括一个或多个间隔的通孔金属205n，其中正面上图形化金属202n通过所述通孔金属205n与反面图形化金属206n互连。正面上图形化金属202n、通孔金属205n以及反面上图形化金属206n互连形成围绕所述基体201n的螺旋线圈，其中所述基体201n是所述圆片201划片形成的众多基体中的一个。在一个可替换的实施例中，所述制作方法的步骤2中的翻转所述圆片201可以选择性执行，只要能够保证后续的步骤3和步骤4执行即可。步骤2中的在正面上图形化金属上贴上粘片膜，也可以改为在步骤4后执行，只要在步骤5前贴上所述粘片膜就可以了，此外还可以变成在反面上图形化金属上贴上粘片膜。为了描述方便，上述步骤1、2、3、4被描述的有先后关系，但是各个步骤的顺序都可以根据需要调整。比如，先进行步骤3和4，后执行步骤1。在一个可替换的实施例中，步骤1中的图形化步骤，可以在步骤1中的沉积金属后马上进行，也可以在后续某个工序进行，比如步骤2、3或4后再进行，步骤4中的图形化步骤也可以在沉积金属后马上进行，也可以在后续某个工序进行。在上述描述中，“正面”也可以被替换为“第一表面”，“反面”也可以被替换为“第二表面”，圆片也可以被称为晶圆。本文中的“螺旋”可以是标准的螺旋形状，但更多的是指非标准的螺旋形状，比如图2和图5所示的这种不规则的螺旋式上升的形状。在上述描述中，通孔可以表示如图4的200c中所示的孔，也可以表示如图1的100c中所示的V型槽，还可以其他形状能够贯穿所述圆片的孔。本专利技术中的线圈的制作方法，可以通过圆片级工艺,批次性、高效、低成本的制作高精本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种线圈的制作方法，其特征在于，其包括：在圆片的第一表面沉积金属并图形化得到第一表面图形化金属；在所述圆片的第二表面蚀刻通孔，所述通孔从第二表面延伸至第一表面，在刻蚀有所述通孔的圆片的第二表面沉积金属并图形化得到通孔金属以及第二表面图形化金属；对所述圆片进行划片得到多个相互独立的线圈，其中每个线圈包括第一表面图形化金属、通孔金属以及第二表面图形化金属，其中第一表面图形化金属通过所述通孔金属与第二表面图形化金属互连。

【技术特征摘要】
1.一种线圈的制作方法，其特征在于，其包括：在圆片的第一表面沉积金属并图形化得到第一表面图形化金属；在所述圆片的第二表面蚀刻通孔，所述通孔从第二表面延伸至第一表面，在刻蚀有所述通孔的圆片的第二表面沉积金属并图形化得到通孔金属以及第二表面图形化金属；对所述圆片进行划片得到多个相互独立的线圈，其中每个线圈包括第一表面图形化金属、通孔金属以及第二表面图形化金属，其中第一表面图形化金属通过所述通孔金属与第二表面图形化金属互连。2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用V型槽工艺在所述圆片的第二表面蚀刻通孔；或者采用硅通孔工艺在所述圆片的第二表面蚀刻通孔。3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在对所述圆片进行划片前，所述制作方法还包括：在第一表面图形化金属或第二表面图形化金属上贴上粘片膜。4.如权利要求1所述的制作方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋乐跃，李大来，亚历克斯·瑞宾斯基，
申请(专利权)人：新纳传感系统有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32