磁电阻传感器制造技术

本实用新型专利技术提供一种磁电阻传感器，其包括：第一永磁偏置薄膜；第二永磁偏置薄膜，其与所述第一永磁偏置薄膜相互间隔；各向异性磁电阻传感器，其位于所述第一永磁偏置薄膜和第二永磁偏置薄膜之间。与现有技术相比，本实用新型专利技术提供的磁电阻传感器一方面，在重置磁矩的过程中可以实现对外界磁场的正常感应；另一方面，集成度高，封装体积小，成本低。成本低。成本低。

【技术实现步骤摘要】
磁电阻传感器


[0001]本技术涉及磁传感器
，尤其涉及一种永磁偏置各向异性磁电阻传感器。

技术介绍

[0002]各向异性磁电阻传感器受到大磁场干扰后，磁矩需要重置以恢复正常的输出。传统上有两种方法：方法一，在重置线圈中通入电流，利用电流产生的磁场来重置磁矩，缺点是，传感器在重置磁矩的过程中无法提供正常输出；方法二，在传感器中集成磁铁，利用磁铁产生的磁场来重置磁矩，缺点是磁铁体积大，从而导致封装体积大，成本高。
[0003]因此，有必要提出一种技术方案来克服上述问题。

技术实现思路

[0004]本技术的目的之一在于提供一种磁电阻传感器，其一方面，在重置磁矩的过程中可以实现对外界磁场的正常感应；另一方面，集成度高，封装体积小，成本低。
[0005]根据本技术的一个方面，本技术提供一种磁电阻传感器，其包括：第一永磁偏置薄膜；第二永磁偏置薄膜，其与所述第一永磁偏置薄膜相互间隔；各向异性磁电阻传感器，其位于所述第一永磁偏置薄膜和第二永磁偏置薄膜之间。
[0006]进一步的，所述第一永磁偏置薄膜和第二永磁偏置薄膜的磁矩在所述各向异性磁电阻传感器的区域产生偏置磁场，以实时重置所述各向异性磁电阻传感器的磁矩。
[0007]进一步的，所述各向异性磁电阻传感器包括多个磁电阻传感器单元，所述磁电阻传感器单元具有磁易轴和与所述磁易轴垂直的磁敏轴；多个所述磁电阻传感器单元的磁易轴相互平行。
[0008]进一步的，所述第一永磁偏置薄膜和第二永磁偏置薄膜的磁矩平行于所述磁电阻传感器单元的磁易轴；所述偏置磁场平行于所述磁电阻传感器单元的磁易轴。
[0009]进一步的，所述磁电阻传感器单元为四个，分别记为第一磁电阻传感器单元、第二磁电阻传感器单元、第三磁电阻传感器单元和第四磁电阻传感器单元；所述第一磁电阻传感器单元、第二磁电阻传感器单元、第三磁电阻传感器单元和第四磁电阻传感器单元互连形成惠斯通电桥。
[0010]进一步的，所述各向异性磁电阻传感器其还包括电源端Vdd、接地端gnd、第一输出端x1、第二输出端x2，所述第一磁电阻传感器单元的第一端和所述第二磁电阻传感器单元的第一端与所述电源端Vdd相连；所述第三磁电阻传感器单元的第一端和所述第四磁电阻传感器单元的第一端与所述接地端gnd相连；所述第一磁电阻传感器单元的第二端和所述第三磁电阻传感器单元的第二端与所述第一输出端x1相连；所述第二磁电阻传感器单元的第二端和所述第四磁电阻传感器单元的第二端与所述第二输出端x2相连。
[0011]进一步的，所述磁电阻传感器单元包括：磁电阻条，其长边方向平行于所述磁电阻传感器单元的磁易轴；相互平行的若干个导电条，其形成于所述磁电阻条上并与所述磁电
阻条成预定角度；连接体，其位于所述磁电阻条长边方向的两端。
[0012]进一步的，所述第一永磁偏置薄膜、第二永磁偏置薄膜和各向异性磁电阻传感器集成在同一芯片上。
[0013]与现有技术相比，本技术提供的磁电阻传感器包括第一永磁偏置薄膜、第二永磁偏置薄膜，以及位于第一永磁偏置薄膜和第二永磁偏置薄膜之间的各向异性磁电阻传感器，其一方面，在重置磁矩的过程中可以实现对外界磁场的正常感应；另一方面，集成度高，封装体积小，成本低。
【附图说明】
[0014]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。其中：
[0015]图1为本技术在一个实施例中的磁电阻传感器的结构示意图；
[0016]图2为本技术在一个实施例中如图1所示的磁电阻传感器的电压输出特性曲线。
【具体实施方式】
[0017]为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。
[0018]此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本技术至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非均指同一个实施例，也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。除非特别说明，本文中的连接、相连、相接的表示电性连接的词均表示直接或间接电性相连。
[0019]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或者元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此，不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0020]请参阅图1所示，其为本技术在一个实施例中的磁电阻传感器的结构示意图。图1所示的磁电阻传感器包括各向异性磁电阻传感器101、第一永磁偏置薄膜102和第二永磁偏置薄膜103，其中，第二永磁偏置薄膜103与第一永磁偏置薄膜102相互间隔；各向异性磁电阻传感器101位于第一永磁偏置薄膜102和第二永磁偏置薄膜103之间。其中，第一永磁偏置薄膜102和第二永磁偏置薄膜103的磁矩在各向异性磁电阻传感器101区域产生偏置磁场，从而实现实时重置各向异性磁电阻传感器101的磁矩。
[0021]为了更好的说明本技术所示的磁电阻传感器的结构，在图1中定义了三维直角坐标系(即xyz坐标系)，其中，X轴的正方向水平向右，Y轴的正方向竖直向上，Z轴的正方向垂直于纸面向外。
[0022]各向异性磁电阻传感器101包括多个磁电阻传感器单元101a、101b、101c、101d，
[0023]磁电阻传感器单元101a、101b、101c、101d具有磁易轴和与所述磁易轴垂直的磁敏轴，多个磁电阻传感器单元101a、101b、101c、101d的磁易轴相互平行，其中，磁电阻传感器单元101a、101b、101c、101d的磁易轴与Y轴平行；磁电阻传感器单元101a、101b、101c、101d的磁敏轴与X轴平行。也可以说，磁电阻传感器单元101a、101b、101c、101d的磁易轴与第一永磁偏置薄膜102和第二永磁偏置薄膜103垂直。
[0024]在图1所示的具体实施例中，各向异性磁电阻传感器101包括电源端Vdd、接地端gnd、第一输出端x1、第二输出端x2和四个磁电阻传感器单元101a、101b、101c、101d，其中，四个磁电阻传感器单元101a、101b、101c、101d，分别记为第一磁电阻传感器单元101a、第二磁电阻传感器单元101b、第三磁电阻传感器单元101c和第四磁电阻传感器单元101d。第一磁电阻传感器单元101a的第一端(例如，上端或靠近第一永磁偏置薄膜102的一端)和第二磁电阻传感器单元101b的第一端(例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁电阻传感器，其特征在于，其包括：第一永磁偏置薄膜；第二永磁偏置薄膜，其与所述第一永磁偏置薄膜相互间隔；各向异性磁电阻传感器，其位于所述第一永磁偏置薄膜和第二永磁偏置薄膜之间。2.根据权利要求1所述的磁电阻传感器，其特征在于，所述第一永磁偏置薄膜和第二永磁偏置薄膜的磁矩在所述各向异性磁电阻传感器的区域产生偏置磁场，以实时重置所述各向异性磁电阻传感器的磁矩。3.根据权利要求2所述的磁电阻传感器，其特征在于，所述各向异性磁电阻传感器包括多个磁电阻传感器单元，所述磁电阻传感器单元具有磁易轴和与所述磁易轴垂直的磁敏轴；多个所述磁电阻传感器单元的磁易轴相互平行。4.根据权利要求3所述的磁电阻传感器，其特征在于，所述第一永磁偏置薄膜和第二永磁偏置薄膜的磁矩平行于所述磁电阻传感器单元的磁易轴；所述偏置磁场平行于所述磁电阻传感器单元的磁易轴。5.根据权利要求4所述的磁电阻传感器，其特征在于，所述磁电阻传感器单元为四个，分别记为第一磁电阻传感器单元、第二磁电阻传感器单元、第三磁电阻传感器单元和第四磁电阻传感器单元；所述第一磁电阻传感器单元、第二磁电阻传感器单元、第三磁电阻传感器单元和第四磁电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：李大来，王鑫，
申请(专利权)人：新纳传感系统有限公司，
类型：新型
国别省市：