高填充率的显示器制造技术

本发明专利技术公开了一种高填充率的显示器。显示器包含基板以及至少三个微型元件。基板具有至少一个定义于其上的像素。所述三个微型元件位于所述像素中。所述三个微型元件各自具有的几何中心排列为三角形。所述三个微型元件在基板上的垂直投影的总面积与所述像素在基板上的垂直投影的面积的比值大于或等于0.4。由于位于一个像素内的三个微型元件以三角形排列，因此一个像素内微型元件的填充率较高，而使显示器中一个像素内的有效发光面积以及该像素的面积的比值较高。

High fill rate display

【技术实现步骤摘要】
高填充率的显示器
本专利技术有关于一种在像素内具有高填充率的微型元件的显示器。
技术介绍
本段的论述仅用以提供有关于本专利技术的背景信息，并不全属于公知技术。近几年来，微型元件如微型发光元件，或更明确而言，发光二极管(lightemittingdiodes,LEDs)已经越来越热门并普及于商用照明应用中。作为光源，LEDs具有诸多优点，包含耗能低、寿命长、尺寸小以及开关迅速等，也因此传统的灯具，如白炽灯，已渐渐被LED灯具所取代。上述特性亦使LED在显示器上的应用前景可期。上述的多种应用可包含扩增实境(augmentedreality,AR)、混合实境(mixedreality,MR)及虚拟实境(virtualreality,VR)。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能使显示器中一个像素内的有效发光面积以及该像素的面积的比值较高的高填充率的显示器。依据本专利技术的一些实施方式，一种显示器被提出。显示器包含基板以及至少三个微型元件。基板具有至少一个定义于其上的像素。所述三个微型元件位于所述像素中。所述三个微型元件各自具有的几何中心排列为三角形。所述三个微型元件在基板上的垂直投影的总面积与所述像素在基板上的垂直投影的面积的比值大于或等于0.4。在一些实施方式中，三个微型元件中的一个的横向长度小于或等于40微米。在一些实施方式中，三个微型元件中的一个的横向长度小于或等于10微米。在一些实施方式中，三个微型元件中的一个的横向长度小于或等于8微米。在一些实施方式中，三个微型元件中的一个为红色发光二极管。在一些实施方式中，三个微型元件中的一个为绿色发光二极管。在一些实施方式中，三个微型元件中的一个为蓝色发光二极管。在一些实施方式中，三个微型元件中的一个为黄色发光二极管。在一些实施方式中，三个微型元件中的一个为青色发光二极管。在一些实施方式中，三个微型元件中的一个为紫外发光二极管。在一些实施方式中，像素的数量为多个。在一些实施方式中，显示器还包含第四微型元件，与其他三个微型元件位于同一像素中。在一些实施方式中，第四微型元件的几何中心以及三个微型元件中的两个各自具有的两个几何中心排列成三角形。在一些实施方式中，显示器进一步包含第五微型元件，位于该像素中。在一些实施方式中，第五微型元件的几何中心以及四个微型元件中的两个各自具有的两个几何中心排列为三角形。在一些实施方式中，三个微型元件中的一个的形状不同于三个微型元件中的其余者的形状。在一些实施方式中，三个微型元件的形状相同。在一些实施方式中，三个微型元件的横向长度相同。在一些实施方式中，三个微型元件中的一个的横向长度不同于三个微型元件中其余者的横向长度。综上所述，本专利技术所提出的显示器中，由于位于一个像素内的三个微型元件以三角形排列，因此一个像素内微型元件的填充率较高，而使显示器中一个像素内的有效发光面积以及该像素的面积的比值较高。附图说明图1A绘示依据本专利技术一些实施方式的显示器的一部分的俯视图，其中像素定义于显示器上且三个微型元件位于像素中。图1B绘示依据本专利技术一些实施方式的显示器的一部分的俯视图，其中显示器具有像素，像素包含定义于其上的三个次像素以及分别位于所述三个次像素中的三个微型元件。图2A绘示依据本专利技术一些实施方式的显示器的一部分的俯视图，其中两个像素定义于其上且两个彼此倒置排列。图2B绘示依据本专利技术一些实施方式的显示器的一部分的俯视图，其中两个像素定义于其上且两个彼此倒置排列，其中每个像素包含三个次像素。图3A绘示依据本专利技术一些实施方式的显示器的一部分的俯视图，其中像素定义于其上且四个微型元件位于所述的像素中。图3B绘示依据本专利技术一些实施方式的显示器的一部分的俯视图，其中显示器包含像素，像素包含定义于其上的四个次像素，且四个微型元件分别位于所述的四个次像素之中。图4A绘示依据本专利技术一些实施方式的显示器的一部分的俯视图，其中显示器包含定义于其上的像素，且五个微型元件位于所述的像素中。图4B绘示依据本专利技术一些实施方式的显示器的一部分的俯视图，其中显示器包含像素，像素包含定义于其上的五个次像素，且五个微型元件分别位于所述的五个次像素之中。图5绘示依据本专利技术一实施方式的显示器的一部分的俯视图，其中显示器具有定义于其上的像素，像素为三角形，且三个微型元件位于所述的三角形像素中。图6绘示依据本专利技术一些实施方式的显示器的一部分的俯视图，其中显示器具有定义于其上的像素，且三个八边形微型元件位于所述的像素中。具体实施方式以下将以附图公开本专利技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些公知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。并且，除非有其他表示，在不同附图中相同的元件符号可视为相对应的元件。这些附图的绘示是为了清楚表达这些实施方式中各元件之间的连接关系，并非绘示各元件的实际尺寸。本专利技术提供一种显示器。请参照图1A。图1A绘示依据本专利技术一些实施方式的显示器100a的一部分的俯视图，其中像素112定义于显示器100a上且三个微型元件120位于像素112中。此处所指的俯视图是指沿着显示器100a的主要出光表面的垂直方向观看时的视图。上述俯视图的定义可应用至本专利技术的所有内容中。在一些实施方式中，显示器100a包含基板110以及至少三个微型元件120。基板110具有至少一个定义于其上的像素112。所述三个微型元件120位于所述像素112之中，且所述的三个微型元件120各自具有的几何中心C排列成三角形(如图1A中的虚线所示)，排成如同字母Δ(delta)的形状。此处所指的几何中心C为由图1A所示的视角俯视微型元件120在基板110上的垂直投影的几何中心C。上述几何中心C的定义可应用至本专利技术的所有内容中。在一些实施方式中，所述三个微型元件120在基板110上的垂直投影的总面积与所述像素112在基板110上的垂直投影的面积的比值大于或等于0.4。在一些实施方式中，所述比值大于或等于0.6。在一些实施方式中，所述比值实质上等于1。所述比值可被定义为“填充率”(fillrate)。如此一来，相较于传统的发光二极管(lightemittingdiode,LED)显示器(其填充率通常低于0.25)，上文实施方式中所公开的显示器100a中的像素112内可具有更高的填充率。如本专利技术中所例示，如果位于一个像素中的三个微型元件为正方形，则上述三个微型元件在基板上的垂直投影的总面积为8微米*8微米*3＝192平方微米，同时上述像素在基板上的垂直投影为10微米*10微米*3＝300平方微米，因此填充率为192/300＝0.64。在另一个例子中，像素为正方形，而三个微型元件(在基板上的垂直投影的总面积相等于8微米*8微米*3＝192平方微米)各自的几何中心C排列为直线，为了容置上述三个微型元件，像素的尺寸为30微米*30微米＝900平方微米。因此，填充率等于192/900＝0.21。请参照图1B。图1B绘示依据本专利技术一些实施方式的显示器100b的一部分的俯视图，其中显示器100b具有像素112，像素112包含定义于其上的三个次像素11本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高填充率的显示器，其特征在于，包含：基板，具有定义于其上的至少一个像素；以及三个微型元件，位于所述像素中，且所述三个微型元件各自的几何中心排列成三角形，其中所述三个微型元件在所述基板上的多个垂直投影的总面积以及所述像素在所述基板上的垂直投影的面积的比值大于或等于0.4。

【技术特征摘要】
2018.04.29 US 15/965,9701.一种高填充率的显示器，其特征在于，包含：基板，具有定义于其上的至少一个像素；以及三个微型元件，位于所述像素中，且所述三个微型元件各自的几何中心排列成三角形，其中所述三个微型元件在所述基板上的多个垂直投影的总面积以及所述像素在所述基板上的垂直投影的面积的比值大于或等于0.4。2.如权利要求1所述的显示器，其特征在于，所述三个微型元件中的一个的横向长度小于或等于40微米。3.如权利要求1所述的显示器，其特征在于，所述三个微型元件中的一个的横向长度小于或等于10微米。4.如权利要求1所述的显示器，其特征在于，所述三个微型元件中的一个的横向长度小于或等于8微米。5.如权利要求1所述的显示器，其特征在于，所述三个微型元件中的一个为红色发光二极管。6.如权利要求1所述的显示器，其特征在于，所述三个微型元件中的一个为一绿色发光二极管。7.如权利要求1所述的显示器，其特征在于，所述三个微型元件中的一个为蓝色发光二极管。8.如权利要求1所述的显示器，其特征在于，所述三个微型元件中的一个为黄色发光二极管。9.如权利要求1所述的显示器，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈立宜，
申请(专利权)人：美科米尚技术有限公司，
类型：发明
国别省市：萨摩亚,WS