晶棒切片后清洗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种晶棒切片后清洗装置，属于单晶硅生产加工设备技术领域。包括固定组件及加压清洗组件，加压清洗组件包括左冲洗箱与右冲洗箱，左冲洗箱开设有右弧形卡槽，右冲洗箱上开设有左弧形卡槽，右弧形卡槽的弧面上沿轴向开设有至少一条右冲洗线缝，左弧形卡槽的弧面上沿轴向开设有至少一条左冲洗线缝，左冲洗箱与右冲洗箱内的清洗介质在压力作用下由右冲洗线缝与左冲洗线缝喷出，对卡合于右弧形卡槽与所述左弧形卡槽之间的切片后的晶棒进行冲洗。该装置能够一次性完成对整根晶棒的冲洗，清洗效率高。高压清洗介质能够充分进入到切片后的晶棒的线缝中，对切片进行冲洗，清洗效果佳。解决了切片距离小，液相传质效果弱的技术问题。

Cleaning device after slicing

【技术实现步骤摘要】
晶棒切片后清洗装置
本技术属于单晶硅生产加工设备
，具体涉及一种晶棒切片后清洗装置。
技术介绍
大尺寸半导体切片多使用多线切割，多线切割的原理是通过一根高速运动的钢线带动附着在钢丝上的切割刃料对硅棒进行摩擦，从而达到切割效果，这种机制也被称为：自由研磨切割。切割后的半导体切片如不能及时彻底的清洗，会造成砂浆液中的碳化硅和硅粉沉积到硅片表面，导致硅片脏污。然而，多线切割后，相邻两片切片之间的缝隙很窄，原有的切片清洗设备，清洗喷淋时，清水不能完全进入到线缝，从而不能将硅片表面的砂浆清洗干净，清洗效率低，清洗效果不佳，且清洗时会出现水流纹等不良现象。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本技术提供一种清洗效率高、清洗效果好的晶棒切片后清洗装置。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种晶棒切片后清洗装置，包括固定组件及加压清洗组件，所述固定组件用于将切片后的晶棒固定于所述加压清洗组件上；所述加压清洗组件包括左冲洗箱与右冲洗箱，所述左冲洗箱与所述右冲洗箱上均设置有介质入口及加压口，所述左冲洗箱开设有右弧形卡槽，所述右冲洗箱上开设有左弧形卡槽，所述右弧形卡槽与所述左弧形卡槽相对设置，以将切片后的晶棒卡合于所述右弧形卡槽与所述左弧形卡槽之间；所述右弧形卡槽的弧面上沿轴向开设有至少一条右冲洗线缝，所述左弧形卡槽的弧面上沿轴向开设有至少一条左冲洗线缝，所述左冲洗箱与所述右冲洗箱内的清洗介质在压力作用下由所述右冲洗线缝与所述左冲洗线缝喷出，对卡合于所述右弧形卡槽与所述左弧形卡槽之间的切片后的晶棒进行冲洗。优选地，所述左冲洗线缝与所述右冲洗线缝交错设置，多条所述左冲洗线缝与所述右冲洗线缝位于不同的水平面上。优选地，所述左冲洗线缝与所述右冲洗线缝的宽度为0.5mm～2mm。优选地，所述右弧形卡槽的弧面上开设有两条右冲洗线缝，所述左弧形卡槽的弧面上开设有两条左冲洗线缝。优选地，所述右弧形卡槽与所述左弧形卡槽的弧面的弧度为150°～165°。优选地，所述右弧形卡槽与所述左弧形卡槽的上边沿处开设有泥浆冲洗线缝。优选地，所述晶棒切片后清洗装置还包括基座，所述右冲洗箱固定安装于所述基座上，所述左冲洗箱滑动连接于所述基座上。优选地，所述固定组件包括至少一个平行设置的进给丝杠，所述进给丝杠一端螺接于所述基座上，另一端螺接于所述左冲洗箱，转动所述进给丝杠，驱动所述左冲洗箱靠近或远离所述右冲洗箱。优选地，所述固定组件包括平行设置的两个所述进给丝杠，所述左冲洗箱的两侧设置有连接耳板，所述进给丝杠贯穿通过且螺纹连接所述连接耳板，所述进给丝杠的两端均螺接于所述基座上，且端部设置有把手。优选地，所述基座为上端开口的箱体，包括相对设置的两块侧立板，所述右冲洗箱的两端固定安装于所述侧立板上，所述左冲洗箱的两端滑动连接于所述侧立板上。由上述技术方案可知，本技术提供了晶棒切片后清洗装置，其有益效果是：将待清洗的切片后的晶棒夹装于所述左弧形卡槽与所述右弧形卡槽之间，利用所述固定组件将所述左弧形卡槽与所述右弧形卡槽紧固，使得所述左弧形卡槽与所述右弧形卡槽的弧面与待清洗的切片后的晶棒的柱面紧密贴合，此时，所述左冲洗箱与所述右冲洗箱内的清洗介质在压力作用下由所述右冲洗线缝与所述左冲洗线缝与切片后的晶棒的线缝的结合处喷出，对卡合于所述右弧形卡槽与所述左弧形卡槽之间的切片后的晶棒进行冲洗，一次性完成对整根晶棒的冲洗，清洗效率高。其次，由所述右冲洗线缝与所述左冲洗线缝喷出的高压清洗介质能够充分进入到切片后的晶棒的线缝中，对切片进行冲洗，清洗效果佳。附图说明图1是晶棒切片后清洗装置结构示意图。图2是图1所示A部局部放大图。图3是图1所示晶棒切片后清洗装置俯视图。图4是图3所示晶棒切片后清洗装置A-A向剖面视图。图5是图4所示B部局部放大图。图中：晶棒切片后清洗装置10、固定组件100、把手110、加压清洗组件200、介质入口201、加压口202、压力控制器203、左冲洗箱210、右弧形卡槽211、右冲洗线缝2111、连接耳板212、右冲洗箱220、左弧形卡槽221、左冲洗线缝2211、泥浆冲洗线缝2112、基座300、侧立板310。具体实施方式以下结合本技术的附图，对本技术实施例的技术方案以及技术效果做进一步的详细阐述。请参看图1至图5，一实施例中，一种晶棒切片后清洗装置10，用于对切片后的晶棒进行清洗，包括固定组件100及加压清洗组件200，所述固定组件100用于将切片后的晶棒固定于所述加压清洗组件200上，所述固定组件100可以是卡钳或螺栓螺母，也可以是相对挤压板。所述加压清洗组件200包括左冲洗箱210与右冲洗箱220，所述左冲洗箱210与所述右冲洗箱220上均设置有介质入口201及加压口202，所述介质入口201用于向所述左冲洗箱210与所述右冲洗箱220中注入清洗介质，该清洗介质优选为去离子水，所述加压口202用于连接加压设备，以对所述左冲洗箱210与所述右冲洗箱220中的清洗介质加压，该加压设备优选为水压设备。所述左冲洗箱210与所述右冲洗箱220上还设置有压力控制器203，以控制清洗介质的压力。所述左冲洗箱210开设有右弧形卡槽211，所述右冲洗箱220上开设有左弧形卡槽221，所述右弧形卡槽211与所述左弧形卡槽221相对设置，以将切片后的晶棒卡合于所述右弧形卡槽211与所述左弧形卡槽221之间。所述右弧形卡槽221的弧面上沿轴向开设有至少一条右冲洗线缝2111，所述左弧形卡槽221的弧面上沿轴向开设有至少一条左冲洗线缝2211，所述左冲洗箱210与所述右冲洗箱220内的清洗介质在压力作用下由所述右冲洗线缝2111与所述左冲洗线缝2211喷出，对卡合于所述右弧形卡槽211与所述左弧形卡槽221之间的切片后的晶棒进行冲洗。本实施例中，在对切片后的晶棒进行冲洗作业时，首先将待清洗的切片后的晶棒卡合于所述右弧形卡槽211与所述左弧形卡槽221之间，并使得所述左弧形卡槽221与所述右弧形卡槽211的弧面与待清洗的切片后的晶棒的柱面紧密贴合。向所述左冲洗箱210与所述右冲洗箱220中注入清洗介质，然后对所述左冲洗箱210与所述右冲洗箱220进行加压，清洗介质在压力作用下，由所述右冲洗线缝2111与所述左冲洗线缝2211与切片后的晶棒的线缝的结合处喷出，对卡合于所述右弧形卡槽211与所述左弧形卡槽221之间的切片后的晶棒进行冲洗。而所述右冲洗线缝2111与所述左冲洗线缝2211与切片的柱面的结合处由于紧密贴合，清洗介质仅仅会有较少的渗漏。本实施例中，由于一次性可以完成一整根晶棒的清洗工作，大大提高了清洗效率。同时，清洗介质在高压作用下，可以充分的进入到相邻两个切片的缝隙中，对单晶硅切片进行彻底的冲洗，清洗效果极佳。其次，在所述右冲洗线缝2111与所述左冲洗线缝2211与切片后的晶棒的线缝的结合处，高压的清洗介质呈扇面喷出，且具有一定的雾化效果，因此削弱了水流纹产生的风险，切片清洗后的成品率具有明显改观。一具体的实施方式中，所述左冲洗线缝2211与所述右冲洗线缝2111交错设置，多条所述左冲洗线缝2211与所述右冲洗线缝2111位于不同的水平面上，以扩大左右两侧的高压清洗介质与晶棒切片的冲洗接触面，进而增强了清洗效果，避免左右两侧本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶棒切片后清洗装置，其特征在于，包括固定组件及加压清洗组件，所述固定组件用于将切片后的晶棒固定于所述加压清洗组件上；所述加压清洗组件包括左冲洗箱与右冲洗箱，所述左冲洗箱与所述右冲洗箱上均设置有介质入口及加压口，所述左冲洗箱开设有右弧形卡槽，所述右冲洗箱上开设有左弧形卡槽，所述右弧形卡槽与所述左弧形卡槽相对设置，以将切片后的晶棒卡合于所述右弧形卡槽与所述左弧形卡槽之间；所述右弧形卡槽的弧面上沿轴向开设有至少一条右冲洗线缝，所述左弧形卡槽的弧面上沿轴向开设有至少一条左冲洗线缝，所述左冲洗箱与所述右冲洗箱内的清洗介质在压力作用下由所述右冲洗线缝与所述左冲洗线缝喷出，对卡合于所述右弧形卡槽与所述左弧形卡槽之间的切片后的晶棒进行冲洗。

【技术特征摘要】
1.一种晶棒切片后清洗装置，其特征在于，包括固定组件及加压清洗组件，所述固定组件用于将切片后的晶棒固定于所述加压清洗组件上；所述加压清洗组件包括左冲洗箱与右冲洗箱，所述左冲洗箱与所述右冲洗箱上均设置有介质入口及加压口，所述左冲洗箱开设有右弧形卡槽，所述右冲洗箱上开设有左弧形卡槽，所述右弧形卡槽与所述左弧形卡槽相对设置，以将切片后的晶棒卡合于所述右弧形卡槽与所述左弧形卡槽之间；所述右弧形卡槽的弧面上沿轴向开设有至少一条右冲洗线缝，所述左弧形卡槽的弧面上沿轴向开设有至少一条左冲洗线缝，所述左冲洗箱与所述右冲洗箱内的清洗介质在压力作用下由所述右冲洗线缝与所述左冲洗线缝喷出，对卡合于所述右弧形卡槽与所述左弧形卡槽之间的切片后的晶棒进行冲洗。2.如权利要求1所述的晶棒切片后清洗装置，其特征在于，所述左冲洗线缝与所述右冲洗线缝交错设置，多条所述左冲洗线缝与所述右冲洗线缝位于不同的水平面上。3.如权利要求1或2所述的晶棒切片后清洗装置，其特征在于，所述左冲洗线缝与所述右冲洗线缝的宽度为0.5mm～2mm。4.如权利要求3所述的晶棒切片后清洗装置，其特征在于，所述右弧形卡槽的弧面上开设有两条右冲洗线缝，所述左弧形卡槽的弧面上开设有两条左冲洗...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵延祥，
申请(专利权)人：宁夏银和半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：宁夏,64