【技术实现步骤摘要】
一种低温漂极低功耗线性稳压器
本专利技术涉及供电设备领域，特别涉及一种低温漂极低功耗线性稳压器。
技术介绍
在手持终端及物联网络节点等应用场合，功耗水平直接制约了电池的连续供电时间。为尽可能降低平均功耗，电源管理模块通过定时唤醒的方式尽可能压缩电路的活跃时间。在大多数时间中芯片处于待机或者休眠模式，此时只有低速时钟电路和存储模块仍然维持供电，而工作电流也下降到几个微安或者更低的程度。因此线性稳压器自身的静态功耗必须足够低以维持高能效。传统的线性稳压器需要带隙基准电路提供不随温度和电压变化的稳定参考电压，再由闭环的驱动电路产生稳定输出电压。从功耗层面上看，独立的带隙基准电路和稳压驱动电路含有众多电流支路，包含若干放大器和偏置电路，不利于实现低偏置电流。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了克服上述问题，提供一种低温漂极低功耗线性稳压器。为达到上述目的，本专利技术采用的方法是：一种低温漂极低功耗线性稳压器，包括9个PMOS管，分别为PMOS管PM1到PMOS管PM9；两个电阻，分别为电阻R1和电阻R2；两个电容，分别为电容C1和电容C2；两个NMOS管，分别为NMOS管N...
【技术保护点】
1.一种低温漂极低功耗线性稳压器，其特征在于：包括9个PMOS管，分别为PMOS管PM1到PMOS管PM9；两个电阻，分别为电阻R1和电阻R2；两个电容，分别为电容C1和电容C2；两个NMOS管，分别为NMOS管NM1和NMOS管NM2；所述的PMOS管PM1的源极接电源，PMOS管PM1的栅极接PMOS管PM2的源极，PM1的漏极接电阻R2的正极，电阻R2的负极接地；PMOS管PM2的栅极接PMOS管PM1的漏极，PMOS管PM2的漏极接地；电容C1的正极接PMOS管PM2的栅极，电容C1的负极接地；PMOS管PM3的源极接电源，PMOS管PM3的栅极接PMOS管PM2的...
【技术特征摘要】
1.一种低温漂极低功耗线性稳压器，其特征在于：包括9个PMOS管，分别为PMOS管PM1到PMOS管PM9；两个电阻，分别为电阻R1和电阻R2；两个电容，分别为电容C1和电容C2；两个NMOS管，分别为NMOS管NM1和NMOS管NM2；所述的PMOS管PM1的源极接电源，PMOS管PM1的栅极接PMOS管PM2的源极，PM1的漏极接电阻R2的正极，电阻R2的负极接地；PMOS管PM2的栅极接PMOS管PM1的漏极，PMOS管PM2的漏极接地；电容C1的正极接PMOS管PM2的栅极，电容C1的负极接地；PMOS管PM3的源极接电源，PMOS管PM3的栅极接PMOS管PM2的源极，PMOS管PM3的漏极接NMOS管NM1的漏极；NMOS管NM1的栅极接第一NMOS管的漏极，NMOS管NM1的源极接地；PMOS管PM4的源极接电源，PMOS管PM4的栅极接PMO...
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